• Proceedings of the KWS Conference
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• 2009.11a
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• pp.65-65
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• 2009

철강 재료의 GMA 용접 시, 보호가스로 $CO_2$ 가스를 사용하면 가격이 저렴하고 용입이 깊다는 장점이 있어 국내에서 광범위하게 사용되어 왔다. 그러나 일반적으로 활성가스인 $CO_2$를 사용한 GMA용접은 아크가 불안정하고 스패터가 많이 발생한다는 단점이 있어 아크 안정성 개선의 필요성이 부각되었다. 거기다 용접 자동화 및 용접 품질의 고급화 추세로 아크 안정성이 $CO_2$용접에서 점점 중요해지면서, 아크 안정화 및 스패터 저감을 위한 연구가 활발히 진행되어 왔다. 본 연구에서는 GMA 용접 재료인 solid wire의 표면에 이온화 에너지가 낮은 금속인 인듐(In)을 전해 도금하여 중전류의 $CO_2$ 용접에 적용하였다. 고속 촬영과 아크 모니터링 분석을 통하여 금속 이행 모드 및 아크 안정화에 미치는 영향에 관하여 연구하였다. 동일 전압, 전류 조건에서 도금 두께를 달리하여 용접을 실시, 도금 두께에 따른 아크 안정성의 경향을 분석하였다. 그 결과 도금 두께가 두꺼워짐에 따라 아크가 넓어지는 것을 확인하였으며, 이는 아크 내에 이온화도가 높은 인듐 이온이 다량 포함됨으로써 이온의 양이 증가하기 때문인 것으로 생각된다. 또한 도금 두께가 일정 이상이 되면, 이행 모드가 용적의 아래에서 아크가 발생하는 반발 이행 모드에서 용적의 윗부분에서 아크가 발생하는 입상 용적 이행 모드로 바뀌었으며, 이때 단락 수가 현저히 줄어들어 아크가 안정해졌다. 이에 따라 인듐 도금 와이어는 기존보다 낮은 전류 영역에서도 안정적인 아크와 금속 이행 모드를 가지게 됨을 확인하였다.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.31 no.4
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• pp.694-702
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• 2014

The micron-sized ITO(indium tin oxide) particles were prepared by spray pyrolysis from aqueous precursor solutions for indium, and tin and organic additives solution. Organic additives solution with citric acid(CA) and ethylene glycol(EG) were added to aqueous precursor solution for Indium and Tin. The obtained ITO particles prepared by spray pyrolysis from the aqueous solution without organic additives solution had spherical and filled morphologies whereas the obtained ITO particles with organic additives solution had more hollow and porous morphologies with increasing mole of organic additives. The micron-sized ITO particle with organic additives was changed fully to nano-sized ITO particle whereas the micron-sized ITO particle without organic additives was not changed fully to nano-sized ITO particle after post-treatment at $700^{\circ}C$ for 2 hours and wet-ball milling for 24 hours. The size of primary ITO particle by Debye-Scherrer formula and surface resistance of ITO pellet were measured.

• Journal of Biomedical Engineering Research
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• v.24 no.3
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• pp.203-208
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• 2003

The effect of indium on the microstructure and hardness of a Au-Pt-Cu ternary alloy was investigated using optical microscopy, differential scanning calorimeter, scanning electron microscopy x-ray diffractometry, electron probe microanalizer and vickers hardness tester. A hardness of the solution floated Au-Pt-Cu-0.5In quarternary alloy with 0.5 wt.% was reached a maximum value (162 Hv) in 30 min at 550$^{\circ}C$ in the range of 150 to 950$^{\circ}C$ but that of the alloy was rapidly increased until 30 min with increasing aging time at 550$^{\circ}C$ and after that was remained almost constant value. Also, the microhardness of the matrix Au-Pt-Cu ternary alloy aged at 550$^{\circ}C$ for 30 min was continuously increased with indium contents and the grain size of Au-Pt-Cu ternary alloy decreased as increased indium contents. Analyses of EPMA and XRD revealed that the matrix Au-Pt-Cu-In quarternary alloy is composed of fcc structure and intermetallic InPt$_3$ precipitate with Ll$_2$ structure. Based on this investigation, it can be concluded that an increase in microhardness of Au-Pt-Cu-In quarternary alloy is due to precipitation hardening InPt$_3$ and grain size refinement.

• Resources Recycling
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• v.27 no.2
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• pp.24-31
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• 2018

In this study, waste ITO target is dissolved into hydrochloric acid to generate a complex indium-tin chloride solution. Nano sized ITO powder with an average particle size below 30 nm are generated from these raw material solutions by spray pyrolysis process. Also, in this study, thermodynamic equations for the formation of indium-tin oxide (ITO) are established. As the reaction temperature increased from $800^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$, the proportion and size of the spherical droplet shape in which nano sized particles aggregated gradually decreased, and the surface structure gradually became densified. When the reaction temperature was $800^{\circ}C$, the average particle size of the generated powder was about 20 nm, and no significant sintering was observed. At a reaction temperature of $900^{\circ}C$, the split of the droplet was more severe than at $800^{\circ}C$, and the rate of maintenance of the initial atomized droplet shape decreased sharply. The average particle size of the powder formed was about 25 nm. The ITO particles were composed of single solid crystals, regardless of reaction temperature. XRD analysis showed that only the ITO phase was formed. Remarkably, the specific surface area decreased by about 30% as the reaction temperature increased from $800^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$.

• Proceedings of the KSME Conference
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• 2005.11a
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• pp.132.1-132.1
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• 2005

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2017.03a
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• pp.453-456
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• 2017

이 논문에서는 HEMT 소자에서 사용되는 3-5족 물질의 1차원 구조에 대하여 self-consistent Schrodinger Poisson solver를 수치해석적으로 구현하였다. 이를 바탕으로 갈륨과 인듐의 비율이 줄고 알루미늄의 조성비가 증가하는 상황에 대하여 시뮬레이션 해본 결과 알루미늄의 조성비가 더 큰 것이 그렇지 않은 것보다 이차원 전자가스 채널에 더 많은 전자를 모이게 하는 것을 관찰할 수 있었다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.36 no.4
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• pp.606-609
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• 1992

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.08a
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• pp.303-303
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• 2007

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.66-66
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• 2000

Electrochromism이란 기전력 방향에 의한 가역적으로 색이 변하는 현상을 말하며, 열린 회로 기억성을 가지며 소비전력이 적고, 우수한 착색 효율을 갖는 등 여러 가지 유용성 때문에 디스플레이 및 전기적 착색 유리창에의 기술적 적용 가능성을 보이고 있다. 본 연구에서는 가장 우수한 일렉트로크로믹 특성을 내는 것으로 알려진 WO3 박막과 대향 전극으로 V2O5 박막을 사용하였다. 이들 박막은 알칼리 이온 주입물질이며, coloration.bleaching상태에서 광학 밀도가 크고, 내구성이 좋으며, 작은 비용으로 재료를 사용할 수 있다. 그리고 더 우수한 장점으로 부각되는 대면적의 코팅의 매력적인 기술인 졸겔법으로 제조 가능한 특성을 가지고 있다. 졸겔법 및 진공증착법으로 박막을 제조하고, 박막산화 및 수명저하 등의 위험이 적은 리튬이온을 이용하여 소자를 제작한 후 일렉트로크로믹 특성을 조사하고, 우수한 소자의 제조조건을 얻고자 하였다. 측정결과 졸겔법으로 제조된 WO3 박막과 V2O5 박막을 수증기 분위기에서 50$0^{\circ}C$로 1시간 열처리한 경우 가장 우수한 투과 변화율을 나타내었다. 정상전압인 2 volt보다 높은 3 volt로 cyclic voltamogram을 측정하는 과정에서 정.역방향 동작을 거듭할수록 peak이 크게 감소하는 현상을 발견하였으며, 양이온의 흐름에 의해 물질의 이동이 발생할 것이라는 판단아래 Auger depth profile을 측정한 결과 WO3막의 텅스텐과 ITO막의 인듐이 상호 확산하는 것을 관찰할 수 있었다. 이를 방지하기 위해 수백 의 텅스텐 박막을 WO3 막 위에 증착한 후 cyclic voltamogram과 Auger depth profile을 측정한 결과, cyclic voltamogram의 peak의 감소량이 1/10이하로 감호하였으며, 리튬이온의 흐름에 의한 인듐과 텅스텐의 이동을 효과적으로 방지할 수 있었다. 따라서 텅스텐 확산방지막의 삽입이 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 효과적인 방법이라고 사료된다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.10 no.5
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• pp.337-342
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• 2001

Infrared sensors with one or two dimensional arrays are usually bonded via indium bumps to Si CMOS read out circuits. Therefore, both sensing of infrared beams and processing of signals are performed at the focal plane. This gives us a benefit of reducing noise as well as size of infrared detectors. We have developed a way of boding indium bumps with keeping sensor and ROIC parallel to each other. The flip chip bonder developed has a very simple structure and is easy to operate. So we expect that reliability will be improved very much.