500나노 입자 및 기본 물성이 우수한 이중층상구조금속수화물(LDH)를 합성하고 PVC 수지에 적용하여 고온, 저온열안정성 및 가공특성으로 인장강도, 신율, 체적저항 등이 우수한 시제품을 합성한 후 개발한 이중층상구조금속수화물(LDH) 시제품을 사용하여 무독성안정제(금속석검계), 내외부활제류, 가공조제, 산화방지제 등 기타 첨가제 등을 사용하여 PVC수지에 적용하여 수지배합에 따른 시험편을 제작하여 배합비별로 고온, 및 저온열안정성, 체적고유저항, 가공성(인장강도, 신율 등), 내후성, 초기 착색성 등 물성, 기계적 가공특성 및 성능이 우수한 할로겐수지용 무독성배합을 개발한다. 최종적으로 개발한 이중층상구조금속수화물(LDH)을 사용하여 제조하여 PVC 수지의 열안정성 및 기계적 가공특성이 우수한 중금속계대체용 무독성복합열안정제를 개발하였다.
전기이중층 커패시터 전극으로 사용하는 활성탄에 도전제로서 CNT와 super-p의 함량에 따른 이중층 커패시터의 특성을 연구하였다. CNT 함량이 4wt%까지는 도전제로서 CNT 함량이 증가할 수록 용량이 감소하는 반면 6wt%이상에서는 CNT 함량이 증가할 수록 단위 체적당 정전용량이 증가하였다. 충, 방전 특성과 직류 저항도 정전용량의 경향과 유사함을 보이고 있으며 이와 같은 결과는 비표면적이나 도전율에 의한 결과 보다는 분산성에 의한 결과로 예상된다. Super-p 10.5wt%, CNT 6.0wt%에서 단위 체적당 정전용량은 $22g/cm^3$, 직류저항 6.1[$\Omega$]의 전기이중층 커패시터 특성을 얻을 수 있었다.
2006년부터 2009년 까지 우리나라의 벼 재배지역에서 키다리 증상을 보이는 시료를 채집하여 벼 키다리병균 118균주를 분리하였다. 분리 후 공시된 균주는 한전희석법을 이용하여 prochloraz, tebuconazole, 및 benomyl의 세 약제에 대한 저항성 정도를 검정 하였고, 각 균주의 균사 생장율을 조사하여 살균제별 $EC_{50}$ 값을 구한 결과, prochloraz 에서 0.207, tebuconazole에서 2.508, 그리고 benomyl에서 $2.752{\mu}g{\cdot}mL^{-1}$으로 조사되었다. 이들을 토대로 각 약제에 대한 F. fujikuroi 분리균의 저항성 판단 기준 농도는 prochloraz와 benomyl의 경우 각 각 0.5와 $2.5{\mu}g{\cdot}mL^{-1}$의 낮은 농도 값이 지정된 반면, tebuconazole에 대한 저항성 기준 농도는 $5.0{\mu}g{\cdot}mL^{-1}$으로 다소 높은 값이 지정되었다. 설정한 저항성 기준농도를 적용하여 저항성 균주를 조사한 결과 prochloraz와 tebuconazole 약제에 대해 17개와 19개 균주로 조사되었고, 오랜 기간 사용되어온 benomyl에 대해 저항성을 보이는 균주는 43개로 더 많이 나타났다. Prochloraz와 tebuconazole, proch1oraz와 benomyl, 및 tebuconazole과 benomyl 별로 접종원의 $EC_{50}$ 값을 비교해 본 결과, 이중저항성을 보이는 균주는 각각 4, 11, 6균주였으며, 이 3가지 약제에 모두 저항성을 보이는 균주는 CF366 와 LF3 35 2균주로 이들은 모두 경북 지역에서 분리된 균주였다. 각각의 약제에 저항성인 균주들과 이중저항성을 보인 균주, 그리고 세 가지 약제에 대해 모두 저항성인 균주와 감수성인 균주를 선발하여 균사 생장 억제율을 비교해본 결과 해당 약제에 저항성을 보이는 균주는 다른 균주에 비해 약제의 농도가 증가됨에 따라 억제 곡선이 완만하게 나타남을 알 수 있었다.
공정 플라즈마 장치에서 이중 주파수법을 이용하여 실시간 유전박막 두께 측정법에 대한 보상연구를 하였다. 이중 주파수법은 유전박막과 플라즈마 쉬스를 간단한 전기적인 등가회로로 모델링하여 유전박막의 두께를 측정하는 방법이다. 이중 주파수법의 문제는 측정탐침의 인가전압에 따른 유전박막의 두께 측정치가 다르다는 점이다. 플라즈마 쉬스를 선형 저항만으로 등가하였기 때문에, 쉬스의 인가전압에 상관없이 쉬스 저항의 값이 일정하다는 가정이 존재한다. 그러나 쉬스 저항은 쉬스의 인가전압에 종속적이면서 비선형적인 특성을 갖는다. 측정 탐침에 출력 전압이 인가될 때 쉬스 양단에서 인가전압에 따른 쉬스의 등가저항의 비선형성을 고려하여 측정 탐침에 증착된 유전박막의 커패시턴스성분에 대한 방정식을 Numerical analysis로 풀어 유전박막의 두께 측정값을 보상하였다. 보상된 위의 방법으로 다양한 RF파워, 압력에 따라 $Al_2O_3$박막의 두께를 실시간으로 측정하여 비교하였다. 그 결과 이 방법은 낮은 플라즈마 밀도(${\sim}10^9cm^{-3}$)에서도 인가전압에 따른 유전 박막두께측정의 오차를 줄일 수 있었다.
본 연구는 조직의 변화과정 이후 개인의 변화에 대한 인식과 태도가 변화수용성, 직무스트레스, 번영에 미치는 이중 매개효과를 검증하고자 하였다. 이를 위해 직장인 300명을 대상으로 설문을 실시하였으며, 변화수용성은 번영감에 정(+)의 영향을, 조직변화저항과 직무스트레스에 부(-)의 영향을, 조직변화저항은 직무스트레스에 정(+)의 영향을, 번영에 부(-)의 영향을, 직무스트레스는 번영에 부(-)의 영향을 미치는 것을 확인하였다. 또한, 변화수용성과 번영 간에 조직변화저항과 직무스트레스의 매개효과를, 변화수용성과 번영 간 및 변화수용성과 직무스트레스 간에 조직변화저항의 완전매개효과를, 조직변화저항과 번영 간 및 변화수용성과 번영 간에 직무스트레스의 부분매개 효과를 확인하였다. 마지막으로 변화수용성과 번영 간 조직변화저항과 직무스트레스는 이중 매개효과가 나타났다. 본 연구의 시사점과 제한점, 후속연구 방향성을 제시하였다.
NiFe/Cu/NiFe/IrMn/NiFe/Cu/NiFe 이중 거대자기저항-스핀밸브(GMR-SV) 박막의 진공 후열처리 온도의존성을 조사하여 강자성층 자화용이축을 유도하였다. 자유층과 고정층의 자화용이축에 의존하는 이중 스핀밸브 박막의 자기저항곡선은 외부자기장 각도를 다르게 하면서 측정하였다. 열처리온도가 $105^{\circ}C$일 때, $0^{\circ}$와 $90^{\circ}$ 사이 임의 측정 각도에서 약 2.0 %/Oe인 자장감응도 특성을 얻었다. 이러한 결과는 면상 강자성층과 자유층을 면상에서 서로 직교한 자화방향 유도를 통하여 이중구조 GMR-SV 박막이 고감도 바이오센서로 사용할 가능성을 제시하였다.
이중 교환작용은 전도전자와 자성을 가진 이온들의 상호작용에 의해 강자성이 나타나는 현상이다. 이중 교환작용의 가장 중요한 특성은 전도도와 자성이 직접적인 관계를 가진다는 것이다. 이것은 최근 산화 망간 계열의 화합물에서 관측되는 초거대 자기저항(CMR : colossal magnetoresistance)과 관련하여 많은 관심을 모으고 있다. 이 논문에서 우리는 이중교환이 무엇인지을 설명하고 이에 관한 고전적인 논의들을 정리하였다.
본 연구는 온실의 관류전열량을 분석하고 예측하는데 필요한 기초자료 제공을 위하여, 공기막 이중 PO필름의 열저항식을 모델링하였고, 전도, 복사, 대류에 의한 열저항 특성을 규명하였다. 또한 열저항식의 타당성 검증을 위해 열저항식에 의한 관류전열량의 계산값과 실험값을 비교 분석하였다. 공기막 이중 PO필름의 열저항식은 PO필름, 공기막, PO필름의 직렬 열저항식으로 구성되며, 공기막은 복사와 대류에 의한 병렬 열저항식으로 구성된다. 고온부 $T_1$의 평균온도는 276.1K, 저온부 $T_2$의 평균온도는 266.8K로 나타났으며, 다른 조건들이 동일할 경우 챔버 내부온도가 높을수록 $T_1$과 $T_2$의 평균온도와 온도차가 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 전도열저항은 $0.00091K{\cdot}W^{-1}$로 전체 열저항의 1% 미만으로 매우 미미한 수준이고, 공기막의 열저항이 $0.18K{\cdot}W^{-1}$로 전체 열저항의 99% 이상을 차지하는 것으로 나타났다. 공기막의 경우 대류열 저항이 복사열저항에 비해 1.33~2.08배 정도 크게 나타났으며, 복사열저항은 평균온도의 3제곱에 반비례하고 대류열저항은 온도차가 4.7, 5.3, 5.5, 5.7, 12.3, 13.2, 13.3, 13.5, 13.8 및 14.0K로 증가할 때 각각 0.78, 0.75, 0.74, 0.73, 0.57, 0.56, 0.56, 0.56, 0.55 및 $0.55K{\cdot}W^{-1}$로 감소하였다. 관류전열량의 계산값과 실험값의 차이는 실험조건별로 0.6~17.2W의 범위로 평균 6.9W였으며, 실험값은 계산값의 79.8~97.7% 범위로 평균 87.3% 수준으로 나타났다. 전체적인 계산값과 실험값의 관류전열량 경향성은 잘 일치하고 있으며, 공기막 이중필름의 열저항은 공기막 두께 및 주입공기의 종류와는 직접적인 상관관계를 보이지 않았다.
전자기기의 휴대성과 이동성이 강조되고 있는 현대사회에서 비휘발성 메모리는 메모리 산업에 있어 매우 매력적인 동시에 커다란 잠재성을 지닌다. 이미 공정의 한계에 부딪힌 Flash 메모리를 대신하여 10nm 이하의 공정이 가능한 상변화 메모리(Phase-Change Memory, PRAM), 스핀 주입 자화 반전 메모리(Spin Transfer Torque-Magnetic RAM, STT-MRAM), 저항 변화 메모리(Resistive Random Access Memory, ReRAM)가 차세대 비휘발성 메모리 후보로서 거론되고 있으며, 그 중에서도 ReRAM은 빠른 속도와 낮은 소비 전력, CMOS 공정 호환성, 그리고 비교적 단순한 3차원 적층 구조의 특성으로 인해 활발히 연구되고 있다. 특히 최근에는 질화물 또는 질소를 도핑한 산화물을 저항변화 물질로 사용하는 ReRAM이 보고되고 있는데, 이들은 동작전압이 낮을 뿐만 아니라 저항 변화(Resistive Switching, RS) 과정에서 일어나는 계면 산화를 방지할 수 있으므로 ReRAM의 저항 변화 재료로서 각광받고 있다. 그러나 Cell 단위의 ReRAM 소자를 Crossbar Array 구조에 적용시켰을 때 주변 Cell과의 저항 상태 차이로 인해 전류가 낮은 저항 상태(LRS)의 Cell로 흘러 의도치 않은 동작을 야기한다. 이와 같이 누설 전류(Leakage Current)로 인한 상호간의 간섭이 일어나는 Cross-talk 현상이 존재하며, 공정의 간소화와 집적도를 유지하면서 이 문제를 해결하는 것은 실용화하기에 앞서 매우 중요한 문제이다. 따라서, 본 논문에서는 Read 동작 시 발생하는 Cell과 Cell 사이의 Cross-talk 문제를 해결하기 위해 자가 정류 특성(Self-Rectifying)을 가지는 실리콘 질화물/알루미늄 질화물 이중층(Si3N4/AlN Bi-layer)으로 구성된 ReRAM 소자 구조를 제안하였으며, Sputtering 방법을 이용하여 제안된 소자를 제작하였다. 전압-전류 특성 실험결과, 제안된 구조에 대한 에너지 밴드 다이어그램 시뮬레이션 결과와 동일하게 Positive Bias 영역에서 자가 정류 특성을 획득하였고, 결과적으로 Read 동작 시 발생하는 Cross-talk 현상을 차단할 수 있는 결과를 확보하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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