• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2008.11a
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• pp.93-96
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• 2008

500나노 입자 및 기본 물성이 우수한 이중층상구조금속수화물(LDH)를 합성하고 PVC 수지에 적용하여 고온, 저온열안정성 및 가공특성으로 인장강도, 신율, 체적저항 등이 우수한 시제품을 합성한 후 개발한 이중층상구조금속수화물(LDH) 시제품을 사용하여 무독성안정제(금속석검계), 내외부활제류, 가공조제, 산화방지제 등 기타 첨가제 등을 사용하여 PVC수지에 적용하여 수지배합에 따른 시험편을 제작하여 배합비별로 고온, 및 저온열안정성, 체적고유저항, 가공성(인장강도, 신율 등), 내후성, 초기 착색성 등 물성, 기계적 가공특성 및 성능이 우수한 할로겐수지용 무독성배합을 개발한다. 최종적으로 개발한 이중층상구조금속수화물(LDH)을 사용하여 제조하여 PVC 수지의 열안정성 및 기계적 가공특성이 우수한 중금속계대체용 무독성복합열안정제를 개발하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.265-265
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• 2009

전기이중층 커패시터 전극으로 사용하는 활성탄에 도전제로서 CNT와 super-p의 함량에 따른 이중층 커패시터의 특성을 연구하였다. CNT 함량이 4wt%까지는 도전제로서 CNT 함량이 증가할 수록 용량이 감소하는 반면 6wt%이상에서는 CNT 함량이 증가할 수록 단위 체적당 정전용량이 증가하였다. 충, 방전 특성과 직류 저항도 정전용량의 경향과 유사함을 보이고 있으며 이와 같은 결과는 비표면적이나 도전율에 의한 결과 보다는 분산성에 의한 결과로 예상된다. Super-p 10.5wt%, CNT 6.0wt%에서 단위 체적당 정전용량은 $22g/cm^3$, 직류저항 6.1[$\Omega$]의 전기이중층 커패시터 특성을 얻을 수 있었다.

• The Korean Journal of Pesticide Science
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• v.14 no.4
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• pp.427-432
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• 2010

Rice bakanae disease caused by Fusarium fujikuroi is one of the most serious rice diseases in Korea. From 2006 to 2009, 118 F. fujikuroi isolates were collected from various regions of rice fields in Korea. Resistance assay of 118 F. fujikuroi isolates to prochloraz, tebuconazole, and benomyl, were performed using agar dilution method. To investigate inhibitory effects of the fungicides, minimum inhibitory concentration of mycelial growth (MIC) and effective concentration inhibiting mycelial growth by 50% ($EC_{50}$) for 118 isolates were calculated using Sigmaplot 8.02 (Antro, SPSS UK, Ltd). Based on the means of $EC_{50}$ values, baseline resistance values were determined as $0.5{\mu}g{\cdot}mL^{-1}$ for prochloraz, $5.0{\mu}g{\cdot}mL^{-1}$ for tebuconazole and $2.5{\mu}g{\cdot}mL^{-1}$ for benomyl. Number of resistant isolates to each fungicide was 17, 19 and 43 for prochloraz, tebuconazole and benomyl, respectively. Furthermore, 4 isolates showed the double resistance to both prochloraz and tebuconazole, 6 isolates to prochloraz and benomyl, and 11 isolates to tebuconazole and benomyl. Isolates CF366 and LF335 isolated from Gyeongbuk province were resistant to the three fungicides tested, prochloraz, tebuconazole and benomyl.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2013.12a
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• pp.71-72
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• 2013

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.442-442
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• 2010

공정 플라즈마 장치에서 이중 주파수법을 이용하여 실시간 유전박막 두께 측정법에 대한 보상연구를 하였다. 이중 주파수법은 유전박막과 플라즈마 쉬스를 간단한 전기적인 등가회로로 모델링하여 유전박막의 두께를 측정하는 방법이다. 이중 주파수법의 문제는 측정탐침의 인가전압에 따른 유전박막의 두께 측정치가 다르다는 점이다. 플라즈마 쉬스를 선형 저항만으로 등가하였기 때문에, 쉬스의 인가전압에 상관없이 쉬스 저항의 값이 일정하다는 가정이 존재한다. 그러나 쉬스 저항은 쉬스의 인가전압에 종속적이면서 비선형적인 특성을 갖는다. 측정 탐침에 출력 전압이 인가될 때 쉬스 양단에서 인가전압에 따른 쉬스의 등가저항의 비선형성을 고려하여 측정 탐침에 증착된 유전박막의 커패시턴스성분에 대한 방정식을 Numerical analysis로 풀어 유전박막의 두께 측정값을 보상하였다. 보상된 위의 방법으로 다양한 RF파워, 압력에 따라 $Al_2O_3$박막의 두께를 실시간으로 측정하여 비교하였다. 그 결과 이 방법은 낮은 플라즈마 밀도(${\sim}10^9cm^{-3}$)에서도 인가전압에 따른 유전 박막두께측정의 오차를 줄일 수 있었다.

• Journal of Venture Innovation
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• v.4 no.3
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• pp.89-108
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• 2021

This study purposed to investigate the double mediating effect of the resistance and the job stress between the acceptance and the flourishing in organizational change. The survey has executed on 300 employees. The acceptance of organizational change was positively related to the flourishing, negatively to the resistance of organizational change and the job stress. The resistance of organizational change was positively related to the job stress, negatively to the flourishing. The job stress was negatively related to the flourishing. The resistance of organizational change was meditating the acceptance to change and the job stress, and the acceptance to change and the flourishing. The job stress on the acceptance to change and the flourishing partially mediated as well as the resistance to change and the flourishing. The resistance to change and the job stress double meditated the acceptance to change and the flourishing. The implications, limitations of this study for future research were discussed.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.23 no.3
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• pp.98-103
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• 2013

The magnetic easy axis of the ferromagnetic layer for the dual-type GMR-SV (giant magnetoresistance-spin valve) having NiFe/Cu/NiFe/IrMn/NiFe/Cu/NiFe multuilayer structure controlled by the post annealing treatment. The magnetoresistive curves of a dual-type IrMn based GMR-SV depending on the direction of the magnetic easy axis of the free and the pinned layers are measured by the different angles for the applied fields. By investigating the switching process of magnetization for an arbitrary measuring direction, the optimum annealing temperature having a steady and isotropy magnetic sensitivity of 2.0 %/Oe was $105^{\circ}C$. This result suggests that the in-plane orthogonal magnetization for the dual-type GMR-SV film can be used by a high sensitive biosensor.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.7 no.1
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• pp.55-67
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• 1997

Double exchange interaction leads to the ferromagnetism by the direct coupling between conduction electrons and magnetic ions. The most intriguing feature of double exchange is the explicit connection of the conductivity with the magnetism, which has drawn much interest in relation to the colossal magnetoresistance (CMR) recently observed in manganese oxide compounds. In this review, we explain the basic physics of double exchange and examine the classical discussions.

• Journal of Bio-Environment Control
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• v.22 no.4
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• pp.316-321
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• 2013

This study was carried out to analyze heat transfer characteristics and heat flow through air-inflated double layer PO film with thermal resistance method. The experiments was conducted in the laboratory controlled air temperature between 258.0 K and 278.0 K. The experimental materials were made up two layers PO film and an inflated-air layer. The thickness of air-inflated layer was fixed at 3 types of 110, 175, 225 mm. The electrical circuit analogy for heat transfer by conduction, radiation and convection was introduced. Experimental data shows that the dominant thermal resistance in heat transfer through the air-inflated double layer film was convection. Calculation errors were 1.1~18.5 W for heat flow. In result, the method of thermal resistance could be introduced for analysis of heat flow characteristics through air-inflated double layer film.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.306.2-306.2
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• 2014

전자기기의 휴대성과 이동성이 강조되고 있는 현대사회에서 비휘발성 메모리는 메모리 산업에 있어 매우 매력적인 동시에 커다란 잠재성을 지닌다. 이미 공정의 한계에 부딪힌 Flash 메모리를 대신하여 10nm 이하의 공정이 가능한 상변화 메모리(Phase-Change Memory, PRAM), 스핀 주입 자화 반전 메모리(Spin Transfer Torque-Magnetic RAM, STT-MRAM), 저항 변화 메모리(Resistive Random Access Memory, ReRAM)가 차세대 비휘발성 메모리 후보로서 거론되고 있으며, 그 중에서도 ReRAM은 빠른 속도와 낮은 소비 전력, CMOS 공정 호환성, 그리고 비교적 단순한 3차원 적층 구조의 특성으로 인해 활발히 연구되고 있다. 특히 최근에는 질화물 또는 질소를 도핑한 산화물을 저항변화 물질로 사용하는 ReRAM이 보고되고 있는데, 이들은 동작전압이 낮을 뿐만 아니라 저항 변화(Resistive Switching, RS) 과정에서 일어나는 계면 산화를 방지할 수 있으므로 ReRAM의 저항 변화 재료로서 각광받고 있다. 그러나 Cell 단위의 ReRAM 소자를 Crossbar Array 구조에 적용시켰을 때 주변 Cell과의 저항 상태 차이로 인해 전류가 낮은 저항 상태(LRS)의 Cell로 흘러 의도치 않은 동작을 야기한다. 이와 같이 누설 전류(Leakage Current)로 인한 상호간의 간섭이 일어나는 Cross-talk 현상이 존재하며, 공정의 간소화와 집적도를 유지하면서 이 문제를 해결하는 것은 실용화하기에 앞서 매우 중요한 문제이다. 따라서, 본 논문에서는 Read 동작 시 발생하는 Cell과 Cell 사이의 Cross-talk 문제를 해결하기 위해 자가 정류 특성(Self-Rectifying)을 가지는 실리콘 질화물/알루미늄 질화물 이중층(Si3N4/AlN Bi-layer)으로 구성된 ReRAM 소자 구조를 제안하였으며, Sputtering 방법을 이용하여 제안된 소자를 제작하였다. 전압-전류 특성 실험결과, 제안된 구조에 대한 에너지 밴드 다이어그램 시뮬레이션 결과와 동일하게 Positive Bias 영역에서 자가 정류 특성을 획득하였고, 결과적으로 Read 동작 시 발생하는 Cross-talk 현상을 차단할 수 있는 결과를 확보하였다.