Electron beam can provide convenient way to heat the substrate during Hollow Cathode Discharge (HCD) ion plating of Ti(C, N)films. Densification of columnar structrue is enhanced by longer duration of electron beam heating(EBH). While strong(111) texture is identified always to be formed, the amount of (200) oriented grains which coherently interfaced with carbide particles of the substrate increased with heating(EBH). In turns, these crystallogaphical change lead to the increase of micro hardness and adhesion of coating. Adhesion of Ti(C, N) films increased more dramatically in case of ASP30 substrate of which carbide particles dispersed more finely than M42. Therefore, it could be concluded that both the density of film and interfacial structure can affect the adhesion property. Overheating of substrate could be resulted in low adhesion resistance due to high residual stress developed in the film.
Previous studies on the liquid Gallium ion sources used an electro-chemically etched tungsten wire with a coil-type heater. Such a structure requires excessive power consumption in the course of heating the liquid metal. In this work, a new structure is proposed that replaces the coil-type heater. It uses a Gallium reservoir made of six pre-etched 250 $\mu\textrm{m}$ tungsten wires that surround the needle electrode. Gallium loading at the reservoir is observed to be much more stable, resulting in an improved beam stability.
The application of focused ion beam (FIB) technology in micro/nano machining has become increasingly popular. Its usage in micro/nano machining has advantages over contemporary photolithography or other micro/nano machining technologies such as small feature resolution, the ability to process without masks and being accommodating for a variety of materials and geometries This paper focus to apply the sputtering technology accumulated by experiments to 3d structure fabrication with high resolution. Therefore some verifications and discussions of the characteristics of FIB sputtering results according to focal length were described in this paper. And we suggested the definition of rectangular pattern profile and made the verifications of sputtering results based on definition of it.
A high-resolution shadow mask, or called a nanostencil was fabricated for high resolution lithography. This high-resolution shadowmask was fabricated by a combination or MEMS processes and focused ion beam (FIB) milling. 500 nm thick and $2{\times}2mm$ large membranes wore made on a silicon wafer by micro-fabrication processes of LPCVD, photolithography, ICP etching and bulk silicon etching. A subsequent FIB milling enabled local membrane thinning and aperture making into the thinned silicon nitride membrane. Due to the high resolution of the FIB milling process, nanoscale apertures down to 70 nm could be made into the membrane. By local deposition through the apertures of nanostencil, nanoscale patterns down to 70 nm could be achieved.
Generally, the integrated system using ion beam consists of 4 major parts, which are SEM, FIB, nano stage, and chamber. Among them, the nano stage and the chamber are designed and manufactured. The whole systems are integrated. Also, FE models are built to perform modal analyses of each part and the whole integrated system with a commercial program. Through these analyses, it is found that each part and the integrated system are very safe against vibrations including external excitations from ground and any others, because their natural frequencies are much larger than frequencies of external excitations. Also, isolation of ground induced vibration is considered.
Fabrication of a high-resolution shadow mask, or called nanostencil, is presented. This high-resolution shadowmask is fabricated by a combination of MEMS processes and focused ion beam (FIB) milling. 500 nm thick and 2x2 mm large membranes are made on a silicon wafer by micro-fabrication processes of LPCVD, photolithography, ICP etching and bulk silicon etching. Subsequent FIB milling enabled local membrane thinning and aperture making into the thinned silicon nitride membrane. Due to high resolution of FIB milling process, nanoscale apertures down to 70 nm could be made into the membrane.
칼코게나이드계 재료를 사용한 비냉각 적외선 센서의 윈도우를 제작하여 그 특성을 조사하였다. 조성을 EDS로 분석한 결과 Ge-Se-Sb로 구성되어 있음을 확인하였다. 두께 2mm인 윈도우 모재를 양면 경연마한 후 코팅 설계치로 8-12um 영역에서 평균 투과도가 95.6%로 나타났다. 이온빔보조증착장치를 이용하여 Ge, ZnS, $YF_3$ 소스로 코팅한 결과 투과도는 동일파장영역에서 약 94%로 나타났다. 칼코게나이드 원재료의 투과도는 약 69%로써 12um 영역 부근에서 강한흡수를 보였다. 코팅면의 거칠기 값(Ra)은 약 1.5 nm로써 매우 매끄러운 면을 얻었으며, 단면 SEM 측정 결과 설계치와 유사한 박막 두께를 얻었다.
용액분무법으로 RuO2 박막을 석영 기판위에 성장시켰다. RuO2 박막의 결정구조는 정방 구조이 며 격자상수 a0=4.508 A, c0=3.092 A 이였다. RuO2 박막은 금속성 전도성을 나타냈다. RuO2박마의 광흡 수도는 후열처리함에 따라 증가하였고 박막의 광흡수도의 최소값은 후열처리 온도에 의존하지 않으며 에너지로 환산하면 ∼2.0eV로 거의 일정하였다. RuO2 박막의 후열처리의 온도와 후열처리 분위기가 기 판위에 성장된 RuO2 박막의 표면형태 grain 크기 grain 경계폭 전기적특성등에 영향을 미쳤다. RuO2 박 막이 실험실내의 공기중에 노출됨으로서 시료의 표면에 S와 C가 물리 흡착되었으며 sputtering 시간이 증가함에 따라 Ar+ 이온 빔의 충겨으로 RuO2가 부분적으로 환원되어 O원자의 피크 대 피크 높이가 감 소하여 O/Ru 의피크 높이의 비가 낮게 관측되었다.
나노임프린트 공정으로 제작된 동일한 형태의 패턴 구조를 변형하거나, 표면의 특성을 조절하는 것은 임프린트 공정의 응용성을 높일 수 있는 유용한 기술이다. 본 연구진은 플라즈마와 열처리를 통하여 임프린트 나노패턴의 크기를 변형하는 연구[1]와 나노구조의 형태에 따른 표면특성의 변화 연구[2]를 수행한 바 있는데, 본 연구에서는 나노임프린트 패턴의 구조 및 표면특성을 단일 칩 내에서 연속적으로 변화하도록 제작하는 방법에 관해 고찰하였다. 나노임프린트 공정으로 제작한 패턴을 반응성이 연속적으로 변화하도록 고안된 산소 플라즈마 장치에서 식각하여 구조를 연속적으로 변형하고, 전자현미경(SEM)과 원자힘현미경(AFM), 집속이온빔(FIB) 등을 통해 표면과 단면을 확인하였으며, 구조변형 이후의 후처리에 따른 접촉각 등의 변화를 관찰하여 임프린트 나노구조 패턴 표면의 화학적 특성을 조절하는 방법을 탐구하였다. 본 연구 결과는 단일한 모 패턴으로부터 다양한 크기의 패턴을 제작하고 화학적 특성을 조절하는 것이 가능함을 보이는 것으로서, 향후 이러한 연속적 변화를 갖는 미세구조를 이용하여 혼합 물질의 분리 및 바이오 물질의 검출 등에 응용할 수 있을 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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