Kim, Gil-Young;Jung, Yeon-Sik;Byun, Dong-Jin;Choi, Won-Kook
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.42
no.4
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pp.245-250
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2005
ZnO was deposited on sapphire single crystal substrate by an ultrasonic pyrolysis of Zinc Acetate Dehydrate (ZAH) with carrying Ar gas. Through Thermogravimetry-Differential Scanning Calorimetry(TG-DSC), zinc acetate dihydrate was identified to be dissolved into ZnO above $380^{\circ}C$. ZnO deposited at $380-700^{\circ}C$ showed polycrystalline structures with ZnO (101) and ZnO (002) diffraction peaks like bulk ZnO in XRD, and from which c-axis strain ${\Sigma}Z=0.2\%$ and compressive biaxial stress$\sigma=-0.907\;GPa$ was obtained for the ZnO deposited $400^{\circ}C$. Scanning electron microscope revealed that microstructures of the ZnO were dependent on the deposition temperature. ZnO grown below temperature $600^{\circ}C$ were aggregate consisting of zinc acetate and ZnO particles shaped with nanoblades. On the other hand the grain of the ZnO deposited at $700^{\circ}C$ showed a distorted hexagonal shape and was composed of many ultrafine ZnO powers of 10-25 nm in size. The formation of these ulrafine nm scale ZnO powers was explained by the model of random nucleation mechanism. The optical property of the ZnO was analyzed by the photoluminescence (PL) measurement.
$TiO_{2}$/Se : Te heterojunction for color sensor has been fabricated by RF reactive sputtering and thermal evaporation methods onto glass substrate. The optimum deposition condition of $TiO_{2}$ films was such that RF power was 120 W, substrate temperature was $100^{\circ}C$, oxygen concentration was 50%, working pressure was 50 mTorr for the $TiO_{2}$ film thickness of $1000{\AA}$. In this case, the optical transmittance of $TiO_{2}$ film at 550 nm-wavelength was 85%, resistivity was $2{\times}10^9{\Omega}{\cdot}cm$, refractive index was 2.3, and optical bandgap was 3.58 eV. The composition ratio of 0 to Ti by AES analysis was 1.7. When $TiO_{2}$ films were annealed at $400^{\circ}C$ for 30 min. in $O_{2}$ ambient, the optical transmittance of $TiO_{2}$ films at the wavelength range of $300{\sim}580$ nm was improved from 0 to 25%. When Se : Te films were annealed at $190^{\circ}C$ for 1 min., photosensitivity under illumination of 1000 lux was 0.75. The optical bandgap of Se : Te films was 1.7 eV. The structures of Se : Te films were the hexagonal with (100) and (110) orientation. The spectral response of a-Se was improved by the addition of Te, especially in the long wavelength region. The $TiO_{2}$/Se : Te heterojunction showed wide spectral response, and more improved one than that of a-Si film in the blue light region.
In this study, new hydroxyapatite powder surface composites were investigated for protective effects against ultraviolet rays. Hydroxyapatite (HAp) is biocompatible and does not cause nebula phenomenon on skin. We investigated the surface modification of hydroxyapatite to improve UV block and skin usage. Dimethicone, lauroyl lysine, triethoxycaprylylsilane and silica were used as coating agents for the surface modification of HAp. To prepare the composite complex of the modified surface, the dimethicone, lauroyl lysine and triethoxycaprylylsilane were prepared by a dry process, and silica by a hydrothermal synthesis method. The HAp-silica was chosen as the best composite powder when measuring its sun protection levels. We investigated the characteristics of the surface of HAp-silica by SEM, particle size analyzer and energy dispersive spectrometry (EDS). Additionally, the stability in the formulation, UV block effect, and safety in BB creams were investigated. In conclusion, HAp-silica prepared by the modification of HAp complex surface improved the skin usage and UV block effect by enhancing the white cloudy phenomenon. These results indicate that HAp-silica may be used for UV block cosmetics.
M(10)-Ni(5)/SBA-15(M=Ce, Nd, Sm) catalysts were prepared for the partial oxidation of methane (POM) to syngas. The catalysts were characterized by BET, TEM, and XPS. The BET-specific surface area and average pore size for M(10)-Ni(5)/SBA-15(M=Ce, Nd, Sm) were 538.8, 504.3, and $447.3m^2/g$ and 6.4, 6.8, and 7.1 nm, respectively. TEM results showed that the mesoporous hexagonol structure was formed for SBA-15, while the homogeneous dispersion of Ni and Ce particles on the surface was formed for Ce(10)-Ni(5)/SBA-15 caused by the confinment effect of SBA-15. XPS data confirmed that $Ce^{4+}$ and $Ce^{3+}$ on the surface catalyst have two oxidation states due to the lattice oxygen species ($O^{2-}$, $O^-$). The yields of POM to syngas over Ce(10)-Ni(5)/SBA-15 were 52.9% $H_2$ and 21.7% CO at 1 atm, 973 K, $CH_4/O_2=2$, $GHSV=1.08{\times}10^5mL/g_{cat.}{\cdot}h$, and these values were kept constant even after 75 h on streams. The same tendency of syngas yields was observed for M(10)-Ni(5)/SBA-15(M=Ce, Nd, Sm). These results confirm that the redox reaction of promoters including Ce, Nd, and Sm enhanced the stability and yield of catalysts.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.259-259
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2011
염료감응형 태양전지(Dye-Sensitized Solar Cells:DSSC)는 환경 친화적이며, 저가의 공정에 대한 가능성으로 기존의 고가의 결정질 실리콘 태양전지의 경제적인 대안으로 각광을 받고 있다. 최근 염료감응형 태양전지는 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide : TCO)으로 사용되는 Fluorine Tin Oxide (FTO)가 증착된 유리기판 위에 주로 제작된다. FTO는 낮은 비저항과 가시광선 영역에서 높은 투과도를 가지는 우수한 전기-광학적 특성을 갖지만, 비교적 공정이 까다로운 Chemical Vapor Deposition (CVD)법으로 제조하며, 전체 공정비용의 60%를 차지하는 높은 생산단가로 인해 현재 FTO를 대체할 재료개발 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 ZnO (Zinc Oxide)는 우수한 전기-광학적 특성과 비교적 저렴한 가격으로 새로운 TCO로써 주목받고 있다. ZnO는 넓은 energy band gap (3.4 [eV])의 육방정계 울자이트(hexagonal wurtzite) 결정 구조를 가지는II-VI족 n형 반도체 물질이며, III족 금속원소인 Al, Ga 및 In 등의 불순물을 첨가하면 TCO로서 우수한 전기-광학적 특성과 안정성을 나타낸다. 이들 물질중 $Zn^{2+}$ (0.060 nm)의 이온반경과 유사한 $Ga^{2+}$0.062 nm) 이온이 ZnO의 격자반경을 최소화 시킬 수 있다는 장점으로 최근 주목 받고 있다. 하지만 Ga-doped ZnO (GZO)의 경우 DSC에 사용되는 루테늄 계열의 산성 염료 하에 장시간 두면 표면이 파괴되는 문제가 발생하며, $TiO_2$ paste를 Printing 후 열처리하는 과정에서도 박막의 파괴가 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해 $TiO_2$ Blocking Layer를 GZO 투명전극 위에 증착하였다. 또한, $TiO_2$ Blocking Layer를 적용한 GZO 박막을 전면전극으로 이용하여 DSC를 제작하여 효율을 확인하였다. 2wt%의 $Ga_2O_3$가 도핑된 ZnO 박막은 20mTorr 400$^{\circ}C$에서 Pulsed Laser Deposition (PLD)에 의해 성장되었고, $TiO_2$박막은 Ti 금속을 타겟으로 이용하여 30mTorr 400$^{\circ}C$에서 증착되었다. Scanning electron microscopy (FE-SEM)을 이용한 박막 분석 결과 $TiO_2$가 증착된 GZO 박막의 경우 표면 파괴가 일어나지 않았다. Solar Simulator을 이용하여 I-V특성 측정결과 상용 FTO를 사용한 DSC 수준의 효율을 나타내었다. 이에 따라 Pulsed Laser Deposition을 이용해 제작된 GZO 기판은 $TiO_2$ Blocking Layer를 이용하여 표면 파괴를 방지할 수 있었으며, 이는 향후 염료감응형 태양전지의 투명전극에 적용 가능 할 것으로 판단된다.
$\alpha$-Fe$_2$O$_3$ thin films were prepared on Si substrate by a pulsed laser deposition system and characterized by X-ray and Mossbauer spectroscopy. The appropriate conditions of pulsation was the power of 5.128 W/cm2 at on oxygen pressure of 0.1 Torr at a substrate temperature of 30$0^{\circ}C$. After that the film was heated at 80$0^{\circ}C$ for 1 day. The particles shape deposited on the film was ellipsoidal and the average length and width were 200~300 nm, 70~150 am respectively. The crystal structure was conformed to be of corundums symmetry with the hexagonal unit cell having a lattice constant of u = 5.03$\pm$0.05 $\AA$, c = 13.735$\pm$0.05 $\AA$. The average angles between the atomic spin and the magnetic hyperfine field of Fe ion were 38$^{\circ}$and 48$^{\circ}$ at above and blow the Morin transition temperature respectively. The Morin transition was found to occur at the temperature ranges from 200 K to room temperature and atomic spin direction was assumed to change from 48$^{\circ}$ to 80$^{\circ}$in respect to the c-axis.
The late pupal stage of Drosophila melanogaster occurs immediately before the completion of retinal development, during which the rhabdomere rapidly forms. In this period, the photoreceptor cells were fixed and dehydrated using a high-pressure freezer (HPF) and freeze substitution (FS) technique, which is the most effective in preserving the cell structures, and observed using high-voltage electron microscopy (HVEM) at 1000 KV. The rhabdomere was classified structurally into three types of formation patterns using stereo-tiling image of thick sections. Initially, hexagonal arrays of rhabdomere existed in different angles. In addition, small pieces of rhabdomere could be observed in the cytoplasm of the photoreceptor rolls, which were visible during the profess of rhabdomere formation. In addition, multiple layers of rhabdomere strings were observed. We observed there are at least three types of vesicles related to rhabdomere formation in photoreceptor cells. In addition, it was found that these vesicles initiate the formation of the rhabdomeres during the pupal stage. Collectively, these data suggest that rhabdomeres were mainly formed through vesicles, and that parts of the rhabdomere formed first and then gathered and formed rhabdomeres in the late pupal stage.
Polycrystalline CdS thin films were grown on ceramic substrate using a chemical bath deposition method. They were annealed at various temperature and X-ray diffraction patterns were measured by X-ray diffractometer in order to study CdS polycrystal structure. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the CdS samples annealed in $N_{2}$ gas at $550^{\circ}C$ it was found hexagonal structure whose lattice constants $a_{o}$ and $c_{o}$ were $4.1364{\AA}$ and $6.7129{\AA}$, respectively. Its grain size was about $0.35{\mu}m$. Hall effect on this sample was measured by Van der Pauw method and studied on carrier density and mobility defending on temperature. From Hall data, the mobility was likely to be decreased by piezo electric scattering at temperature range of 33K and 150k and by polar optical scattering at temperature range of 150K and 293K. We measured also spectral response, sensitivity (${\gamma}$), maximum allowable power dissipation and response time on these samples.
Polycrystalline CdSe thin films were grown on ceramic substrate using a chemical bath deposition (CBD) method. They were annealed at various temperature and X-ray diffraction patterns were measured by X-ray diffractometer in order to study CdSe polycrystal structure. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the CdSe samples annealed in $N_{2}$ gas at $450^{\circ}C$ it was found hexagonal structure whose lattice parameters $a_{o}$ and $c_{o}$ were $4.302{\AA}$ and $7.014{\AA}$, respectively. Its grain size was about $0.3{\mu}m$. Hall effect on this sample was measured by Van der Pauw method and studied on carrier density and mobility depending on temperature. From Hall data, the mobility was likely to be decreased by piezo electric scattering at temperature range of 33 K and 200 K, and by polar optical scattering at temperature range of 200 K and 293 K. We measured also spectral response, sensitivity (${\gamma}$), maximum allowable power dissipation and response time on these samples.
Seong Jun Cheon;Jae Ryung Choi;Sang Bok Lee;Je In Lee;Horim Lee
Composites Research
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v.36
no.5
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pp.289-296
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2023
In this study, we investigated the electromagnetic properties and microwave absorption characteristics of M-type hexagonal ferrites, which are known as millimeter-wave absorbing materials, according to their calcination temperature. The M-type ferrites synthesized using a molten salt-based sol-gel method exhibited a single-phase M-type crystal structure at calcination temperatures above 850℃. The synthesized particle size increased as well with the calcination temperature. Saturation magnetization increased gradually with increasing calcination temperature, but coercivity reached a maximum at 1050℃ and then rapidly decreased. After preparing a thermoplastic polyurethane (TPU) composite containing 70 wt% of M-type ferrites, we measured the complex permittivity and permeability in the Q-band (33-50 GHz) and V-band (50-75 GHz) frequency ranges, where ferromagnetic resonance occurred. Strong magnetic loss from ferromagnetic resonance occurred in the 50 GHz band for all composite samples. Based on the measured results, we calculated the reflection loss of the TPU/M-type ferrite composite. By calculating the reflection loss of the M-type ferrite composite, the M-type ferrite calcined at 1250℃ showed excellent electromagnetic wave absorption performance of more than -20 dB at 52 GHz with a thickness of about 0.5 mm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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