• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.10 no.1
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• pp.9-17
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• 1973

This paper dealt with composition of current stable negatil'e resistance circuit based on Beam resistance of the tube SAMUEL SEBLY suggested. Beam resistance which is decreased by input current increment on definite region of current, accompanied generation of equivalent e. m. f on model circuit. With equivalent e. m. f there appeared increased current on circuit but decrease of terminal voltage. Bloc constructed by above concept induced transistorized circuit which have NPN and a PNP Transistor. Circuit operation predicted and calculated values of negative resistance are coincident with experimental results. A Circuit proposed on this paper sllowed good linearity on Ve-Ji characteristics.

• Annual Conference of KIPS
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• 2022.11a
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• pp.188-190
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• 2022

본 연구에서는 정전류(Constant Current) 방식에 전압강하법을 이용하여 접촉저항 측정 시스템을 구현하고 측정값을 블루투스 통신을 통해 안드로이드 운영체제에서 확인할 수 있도록 앱을 개발한다. 측정가능한 범위로 0 Ω에서 10.24 Ω 사이의 접촉 저항을 MCP3424 18 bit 분해능 ADC를 사용하여 측정할 수 있도록 설계하였다. 기존에는 반고정 저항과 별도의 전류계를 이용하여 정전류를 설정하였으나, 본 연구에서는 측정의 정밀도 및 편리성 개선을 위해 0.1% 고정밀 고정저항을 병렬로 4개 연결하여 구현하였으며, 또한 1:1 Unity Gain Buffer를 구성하고 Ultra High Precision Z-Foil 방식으로 오차 0.01%, 온도 계수 0.05 ppm/℃ 저항을 사용하여 실제로 측정한 샘플 저항 값의 결과를 확인하였다.

• Journal of IKEEE
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• v.20 no.2
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• pp.181-183
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• 2016

In this work, the merged PiN Schottky(MPS) diodes based silicon carbide(SiC) have been optimized and designed for 1200V diodes by 2D-atlas simulation tool. We investigated the optimized characteristics of SiC MPS diodes such as breakdown voltage and specific on-resistance by varying the doping concentrations of P-Grid/epi-layer and space of P-Grid, which are the most important parameters. The breakdown voltage and specific on-resistance, based on Baliga's Figure Of Merit (BFOM), have been compared with and the SiC-based MPS diodes show improved BFOMs with low values of specific on-resistance and high breakdown voltage. It has been demonstrated 1,200 V SiC MPS diodes will find useful applications in high voltage energy-efficient devices.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.50 no.7
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• pp.109-114
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• 2013

Power MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) are widely used in power electronics applications, such as BLDC (Brushless Direct Current) motor and power module, etc. For the conventional power MOSFET device structure, there exists a tradeoff relationship between specific on-state resistance and breakdown voltage. In order to overcome the tradeoff relationship, a non-uniform super-junction (SJ) trench MOSFET (TMOSFET) structure for an optimal design is proposed in this paper. It is required that the specific on-resistance of non-uniform SJ TMOSFET is less than that of uniform SJ TMOSFET under the same breakdown voltage. The idea with a linearly graded doping profile is proposed to achieve a much better electric field distribution in the drift region. The structure modelling of a unit cell, the characteristic analyses for doping density, and potential distribution are simulated by using of the SILVACO TCAD 2D device simulator, Atlas. As a result, the non-uniform SJ TMOSFET shows the better performance than the uniform SJ TMOSFET in the specific on-resistance at the class of 100V.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.2
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• pp.155-160
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• 2010

The effect of process temperature of a final annealing step in the fabrication of phase change memory (PCM) devices was investigated. Discrete PCM devices employing $Ge_2Sb_2Te_5$ (GST) films as an active element were made in a pore-style configuration, and they were annealed at various temperatures ranging from 160 to $300^{\circ}C$. The behaviors of cell resistance change from SET resistance to RESET resistance were totally different according to the annealing temperatures. There was a critical annealing temperature for the fabrication of normal PCM devices and abnormal operations were observed in some devices annealed at temperatures lower or higher than the critical temperature. Those influences of annealing temperature seem closely related to the thermal stability of a top electrode/GST/heating layer multilayer structure in the PCM devices.

• Journal of IKEEE
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• v.26 no.4
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• pp.728-735
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• 2022

In this work, we investigated a high-voltage (~4.5 kV) 4H-SiC power DMOSFET with modifications of current spreading layer (CSL), which was introduced below the p-well region for low on-resistance. These include the following: 1) a thickness of CSL (T_CSL) from 0 um to 0.9 um; 2) a doping concentration of CSL (N_CSL) from 1×10¹⁶ cm^-3 to 5×10¹⁶ cm^-3. The design is optimized using TCAD 2D-simulation, and we found that CSL helps to reduce specific on-resistance but also breakdown voltage. The resulting structures exhibit a specific on-resistance (R_on,sp) of 59.61 mΩ·cm², a breakdown voltage (V_B) of 5 kV, and a Baliga's Figure of Merit (BFOM) of 0.43 GW/cm².

• 기계와재료
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• v.23 no.3
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• pp.16-29
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• 2011

결정 합금 대비 비정질 합금은 높은 경도를 갖기 때문에 마모 저항성도 좋고 내부 식성 등 환경에 대한 저항성도 월등하며, 또한 과냉된 액상 상태까지 재가열하게 되면 낮은 점성도를 갖게 되므로 복잡한 3차원적인 형상을 가지는 부품을 환경에 대한 저항성, 피로 저항성, 강도 및 경도 등을 모두 고려하여 높은 정밀도를 가지고 제조하는 것이 가능하므로 우수한 물성을 갖는 구조 및 기능성 재료로의 다양한 응용이 타진되고 있다. 이러한 비정질 합금의 변형 거동에 대한 연구는 대부분 유리 천이 온도 이하에서의 전단 및 파단에 이르는 이른바 불균일 변형(Inhomogeneous Deformation) 거동에 대한 이해를 위한 실험 및 해석적 연구에 집중되어 왔다. 반면 상업화의 기반이 되는 고상 기반 2차 정형 성형은 과냉 액상 영역에서의 구조 완화 및 결정화롤 대표되는 미세 구조 제어 균일 변형(Homogeneous Deformation)에 대한 이해 없이는 불가능하므로, 이러한 관점에서 비정질 합금 특유의 점성 유동 특성을 이용한 균일 변형 응용 예시 및 미세구조 변화 연계 해석 기술의 현황을 소개하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1716-1717
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• 2011

잉크젯으로 인쇄된 실버 나노입자가 오븐, 레이저, 전기를 이용한 소결방법에 의해 소결되었다. 전도성 라인은 드롭 온 디맨드형(drop-on-demand) 잉크젯 프린터에 의해 유리 기판 위에 인쇄되었다. 레이저를 이용한 소결은 레이저 강도와 조사시간을 변화시키면서 실버나노입자를 소결하였고, 전기 소결은 인쇄된 라인에 정전류 방식을 이용하여 인가해주는 전류값을 변화시키면서 소결하였다. 소결방법에 따른 비저항변화, 단면적 변화, 미세구조변화를 관찰하였고 이 결과를 오븐 소결 결과와 비교하였다. 전기를 이용하여 소결하였을 경우 가장 낮은 비저항을 얻을 수 있었고, 은의 고유 비저항에 비하여 1.7배 큰 비저항을 얻었다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1995.05a
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• pp.784-789
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• 1995

핵융합로 제1벽재로서 주목받고 있는 저방사화 Fe-Cr-Mn-W계 오스테나이트 스테인리스강에 소량의 V을 첨가하고 그 기본 조성에 시그마상의 생성억제와 합금의 고온강도 향상에 효과가 있는 질소함량을 변화시켜 전보에서 보고한 소둔열처리의 영향에 이어 미세 조직 특성 및 부식 저항성에 미치는 시효열처리의 영향을 살펴보았다. 부식저항성 평가를 위해서는 양극분극시험, 침지시험 수소취성 시험을 행하였으며, 석출상의 생성양상을 살펴보기 위해서는 광학현미경 관찰, 자성측정, EPR시험 및 경도시험을 행하였다. 시험결과, 질소의 함량이 증가할수록 시그마상의 석출이 억제되는 것을 알 수 있었으며, 시효시 실험합금의 부식저항성은 주로 $600^{\circ}C$부근에서 오스테나이트상의 입계에 석출하는 크롬탄화물과 50$0^{\circ}C$부터 비교적 넓은 온도 구간에 걸쳐 페라이트상으로부터 석출 변태되는 시그마상에 의해 지배되고 있음을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Society for Bio-Environment Control Conference
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• 1998.10a
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• pp.126-128
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• 1998

토양의 완충능이 없는 양액재배에서 Ca 흡수는 양이온과의 길항작용, 온도, 습도 및 염류농도 등에 의해 변화된다. 배양액내 무기 양이온 중 Ca 과 K, Mg의 복합비율 조성에 따른 상추의 광합성, 기공저항, 수분이용효율 및 증산량을 측정하여 상추 tipburn에 관여하는 Ca 흡수를 알아보고자 본 실험을 수행하였다. (중략)