• The Magazine of the IEIE
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• v.19 no.5
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• pp.47-52
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• 1992

Ta₂O/Si 계면에서 SiO₂층이 dry O₂ 및 N₂분위기에서 열처리에 의해 형성되며 열처리 온도가 증가할수록 이층의 두께가 증가한다. Dry O₂ 및 N₂에서 열처리 할 때 얇은 Ta₂O 박막(40nm 이하)의 누설전류는 열처리 온도가 증가함에 따라 감소한다. 유전상수 vs 열처리 온도 관계에서 750℃또는 800℃에서 Ta₂O 박막의 결정화에 따른 최대값을 보여주며, 이러한 결정화에 의한 유전상수 증가 효과는 두꺼운 Ta₂O 박막에서 현저히 나타난다. 그러나 고온에서 열처리하면 계면에서 SiO₂층의 형성과 성장 때문에 유전상수는 감소한다. Al/Ta₂O/Si MIS capacitor의 stress에 따른 flat band voltage와 gate voltage instability는 열처리에 의해서 형성된 계면 SiO₂성장으로 설명할 수 있다. 열처리 조건의 함수로서 Ta₂O박막의 전기적 특성은 Ta₂O박막형성 방법에 관계없이 Ta₂O 박막 두께에 강하게 의존한다.

• Journal of Korea Foresty Energy
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• v.21 no.3
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• pp.10-17
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• 2002

This study was carried out to investigate a heat treatment condition and suitable drying schedule of bamboo material(Phyllostachys nigra var. henonis) for a vertical flute with small-notched bamboo. It is very important to prevent drying defects during its drying process. We investigated the effort of heat treatment the most suitable drying schedule for small-notched bamboo vertical flute without drying defects in this research. A direct heat treatment method and drying conditions of 3($20^{\circ}C$ 65%, $40^{\circ}C$ 40%, and dry at air condition) were applied to the Bamboo specimen that felled in several areas for a month. The result suggested that the most suitable drying schedule with the less split and the shortest time was to dry at $40^{\circ}C$, 40% condition and it was useful to direct heat-treatment because of reducing the number and size of split during drying bamboo.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• v.36 no.6
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• pp.41-48
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• 2008

The required energy for the heat treatment of pine log was evaluated in this study. A proper heat treatment of pine log infected by pinewood nematode (Bursaphelenchus xylophilus) can prevent spreading of the infection by pinewood nematode and make the infected pinewood valuable again. The FAO (Food and Agriculture Organization of the United Nations) heat treatment standard for various types of infected wood for which a heat treatment of the core part of the wood is necessary is 30 minutes at $56^{\circ}C$, taking into account the international standards for phytosanitary measures (ISPM No. 15). In this study, the energy consumption during the heat treatment was separated into two kinds of energy, initial energy for heating kiln drier and to reach set point temperature and relative humidity and the required energy supplementing heat loss. The initial required energy per unit time is greater than that during the treatment. The energy consumption per unit time varied little during the heat treatment. As a result, the set point relative humidity with set dry bulb temperature and density of wood dependent on moisture content are very important factors to change energy consumption in the experiment. The heat treatment at higher temperature and higher humidity levels requires more energy consumption but less treatment time. It is expected that a more effective energy program could be planed for the heat treatment of pine log through this study.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.10a
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• pp.177-178
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• 2008

열처리 조건이 이종접합 유기태양전제(heterojunction organic photovoltaics)의 power conversion efficiency(PCE)에 미치는 영향에 대해 살펴보았다. 본 연구에서는 열처리 온도와 열처리 시간을 변수로 다양한 조건하에서 유기태양전지를 제작하고 AM1.5G 조건에서의 효율 변화를 관찰하였다. 열처리 온도는 $90^{\circ}C$에서 $170^{\circ}C$까지 변화시키며 태양전지의 특성변주를 측정하였으며, 유리 기판 상에 제작된 태양전지의 경우에 $150^{\circ}C$의 열처리 온도에서 가장 우수한 효율을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 2011.04a
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• pp.298-302
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• 2011

티타늄 용접부는 수소취성과 잔류응력에 대한 영향을 최소화 하기 위해 용접 후 잔류응력 제거 열처리 작업을 수행하고 있다. 하지만, 현재 항공 분야에 널리 사용하고 있는 규격에 따라 열처리 온도가 다양하게 설정되어 있어 현장에 적용하기에는 어려움이 있다. 이에 규격 별로 대표하고 있는 열처리 조건을 선정하여 열처리 조건에 따른 용접부에 대한 잔류응력, 잔류수소량을 확인하였고, 용접부에 대한 강도와 충격 인성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.218.1-218.1
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• 2013

GeSbTe 삼원계 칼코겐화물 합금은 광디스크 및 상변화 메모리에서 활성물질로 사용되는 대표적인 재료이다. GeSbTe 합금은 결정질 상과 비정질 상의 두 종류의 상을 갖는데 그 상에 따라 반사율 및 전기저항이 서로 다르기 때문에 활성물질로서 작용한다. GeSbTe 합금 구성원소의 일부를 포함하는 두 종류의 물질로 접합을 형성하고 열처리 공정을 수행함으로써 GeSbTe 합금을 국부적으로 생성하는 방법이 최근에 보고되었다. 이러한 방법을 상변화 메모리 소자 제조에 이용하면 GeSbTe 합금을 제한된 영역에 나노 스케일로 만드는 것이 가능해져서 GeSbTe 합금의 상변화를 유도하는데 필요한 프로그래밍 전류를 낮추는 효과를 얻을 수 있다. 상변화 메모리 소자 내에서의 GeSbTe 합금의 두께 또는 크기는 상변화 메모리 소자의 동작 특성을 좌우하는 중요한 파라미터이며 이것은 열처리 공정 조건에 따라 결정되므로 열처리 공정 조건에 따라 GeSbTe 합금이 생성되는 양상이 어떻게 변화하는지를 밝힐 필요가 있다. 따라서 본 연구에서는 다양한 열처리 온도 조건에서 Ge-Sb-Te 삼성 분계에서의 구성 원소들의 상호확산 거동을 조사하였다. 순수한 Ge 박막과 조성이 다른 SbTe 박막의 접합을 형성하고 773K까지의 온도 범위에서 열처리를 실시하였다. Auger 수직 분석을 이용하여 Ge, Sb, 및 Te 원소의 깊이 방향의 확산 정도를 조사하였으며 그 결과로서 열처리 온도가 증가함에 따라 상호확산 정도가 심해지고 Te 원소가 상호확산에 있어서 중요한 역할을 한다는 사실을 확인하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.58.2-58.2
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• 2010

본 연구에서는 n-type wafer에 비정질 실리콘을 증착한 이종접합 태양전지를 열처리 방법을 이용하여 열처리의 효과를 분석함으로써 이종접합 태양전지에 효율적인 열처리 효과에 대하여 연구하였다. P, N-layer는 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) I-layer는 HWCVD(Hot wire chemical vapor deposition), ITO는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 동일한 조건에서 제작하였고 rapid thermal process를 이용하여 진공 중에서 $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $220^{\circ}C$, $250^{\circ}C$까지 열처리를 하였다. 열처리 전과 후 QSSPC로 minority carrier life time, 자외 가시선 분광분석 장치로 투과 반사도를, Ellipsometer로 흡수 계수 등의 변화를 조사하였다. 열처리 후 Minority carrier life time, Voc 및 광변환 효율이 증가하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.10
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• pp.884-890
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• 1997

Sputtering 방법을 통해 Si기판 위에 Ti와 TiN박막을 증착하고 저압 반응관내에서 Cu*hfac)(TMVS)를 precursor로 사용 MOCVD Cu박막을 증착하여 Cu/TiN/Ti/Si구조의 다층박막을 제조하였고 이에 대한 열처리 방식 및 분위기 변화 등을 통해 열처리 조건에 따른 Cu 박막의 특성 변화에 대해 조사하였다. 열처리 방식으로는 Cu박막을 형성한 후 공기 중에 노출이 없이 바로 열처리하여 Cu산화물 형성을 억제할 수 있는 in-situ열처리 방식이 유리하고, 열처리 분위기로는 Cu 박막의 표면이나 결정립계 내에 존재하는 Cu 산화물을 환원시켜 줄 수 있는 H$_{2}$(10%)/Ar분위기가 표면평탄화, 결정립 크기 증가 및 비저항 감소측면에서 우수한 특성의 Cu박막을 얻을 수 있음을 확인하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.109-117
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• 1995

고에너지 이온주입시 격자결함의 생성 및 열처리 거동이 double crystal X-ray와 단면 TEM을 사용하여 연구되었다. 3MeV P+ 이온주입한 실리콘의 DCXRD 분석 결과조사량 증가에 따라 모재 내의 변형량은 증가하였다. HRTEM 분석 결과 고에너지 이온주입시 결함은 표면 부근에 희박하고 Rp 부근에 집중되어 있었다. 또한 이온주입 상태의 결함층은 dark band의 형태로 존재하였으며 열처리시 이차결함은 이곳으로부터 생성됨이 관찰되었다. 3MeV P+,$1X1015extrm{cm}^2$의 조건으로 이온주입된 실리콘 시편의 열처리에 따른 X-ray rocking curve 분석을 통하여 열처리 온도가 $550^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$로 증가함에 따라 모재 내부의 최대 변형량이 7X10-4에서 2.9X10-4으로 감소함이 관찰되었다. 특히 $550^{\circ}C$ 열처리한 시편의 경우 표면으로부터$-1.5mu$m 영역에 작은 변형층이 넓게 잔존하였으며 열처리온도를 $700^{\circ}C$로 증가한 경우 제거되었다. 이온주입시 생성된 일차결함들은 $700^{\circ}C$ 열처리시 $60^{\circ}$ 전위와 <112> 막대 모양 결함, $1000^{\circ}C$ 열처리시 <110>방향의 전위루프로 열처리 조건에 따라 여러 가지 모양의 이차결함으로 변화하였다. 고에너지 이온주입에 의해 발생한 이차결함은 고온에서도 안정하여 고온 열처리에 의한 제거가 용이하지 않았다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• v.22 no.3
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• pp.135-141
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• 1997

The study of anneal characteristics is important for TL dosimeter to reuse. To obtain the annealing condition of the recently developed, new TL dosimeter, LiF:Mg,Cu,Na,Si Teflon Tills in a disk type (diameter 4.5 mm, thickness about $90mg/cm^2$), we studied for pre-irradiation annealing, readout procedure and post-readout annealing, in order. The gamma irradiations were carried out with a $^{60}Co$, dose of 0.1 Gy. We have used the method that observe the variation of thermoluminescent(TL) intensity of these Teflon TLDs over repeated cycles by changing both anneal temperature and anneal time with the TLD reader and the oven. There is a 5% loss in sensitivity over the ten repeated readouts by the annealing condition:pre-irradiation annealing at $80^{\circ}C$ for one hour, readout to $280^{\circ}C$ and post-readout annealing at $270^{\circ}C$ for 20 seconds.