• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권12호
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• pp.965-971
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• 2001

$\beta$-Ga$_2$O$_3$ nanobelts and nanoparticles were synthesized from mechanically ground GaN powders with thermal annealing in a nitrogen atmosphere and an oxygen atmosphere, respectively. The study of field emission scanning electron microscopy (FESEM) on the microstructures of nanomaterials revealed that the nanobelts synthesized in the nitrogen atmosphere are with the range of 20~1000nm width and 10 ~100nm thickness, and that nanomaterials are nanoparticles with 20~50nm radius obtained by thermal annealing in an oxygen atmosphere. The crystal structure of the $\beta$-Ga$_2$O$_3$ nanobelts and nanoparticles was in this study investigated by X-ray diffractometer (XRD) and high-resolution transmission electron microscope (HRTEM). The formation processes of the nanobelts and nanoparticles will be discussed in this paper.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.2612-2617
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• 2013

본 연구에서는 스틸 헤어커터와 비교하여 절삭성, 내식성 내마모성이 우수하고 생체친화성이 뛰어난 소재인 지르코니아($ZrO_2$)를 원료로 하는 헤어커터 개발을 위하여 설계, 성형, 소결, 연마가공 최적화를 통해 두께 0.253mm의 초박형 지르코니아 커터를 제작하였다. 커터 시편을 전자주사현미경(SEM)으로 관찰한 결과, 성형성과 절삭면 가공이 양호한 것으로 나타났으며, 절단시험을 통해 상품성이 충분한 것으로 평가되었다. 본 지르코니아 커터 가공기술 연구결과를 이용하여 면도기, 여성용 제모기, 눈썹정리기 등 고부가가치 미용기구 개발에 활용 될 수 있다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제55권6호
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• pp.291-296
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• 2006

In this study, the sputtered BTO film was polished by CMP process with the self-developed $BaTiO_3$- and $TiO_2$-mixed abrasives slurries (MAS), respectively. The removal rate of BTO ($BaTiO_3$) thin film using the $BaTiO_3$-mixed abrasive slurry (BTO-MAS) was higher than that using the $TiO_2$-mixed abrasives slurry ($TiO_2$-MAS) in the same concentrations. The maximum removal rate of BTO thin film was 848 nm/min with an addition of $BaTiO_3$ abrasive at the concentration of 3 wt%. The sufficient within-wafer non-uniformity (WIWNU%) below 5% was obtained in each abrsive at all concentrations. The surface morphology of polished BTO thin film was investigated by atomic force microscopy (AFM).

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권10호
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• pp.812-816
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• 2000

It is very important to understand the correlation of between inter dielectric(ILD) CMP process and various facility factors supplied to equipment to equipment system. In this paper, the correlation between the various facility factors supplied to CMP equipment system and ILD-CMP process was studied. To prevent the partial over-polishing(edge hot-spot) generated in the wafer edge area during polishing, we analyze various facilities supplied at supply system. With facility shortage of D.I water(DIW) pressure, we introduced an adding purified $N_2$(P$N_2$)gas in polishing head cleaning station for increasing a cleaning effect. DIW pressure and P$N_2$gas factors were not related with removal rate, but edge hot-spot of patterned wafer had a serious relation. We estimated two factors (DIW pressure and P$N_2$gas) for the improvement of CMP process. Especially, we obtained a uniform planarity in patterned wafer and prohibited more than 90% wafer edge over-polishing. In this study, we acknowledged that facility factors supplied to equipment system played an important role in ILD-CMP process.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권9호
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• pp.759-764
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• 2003

Recently, CMP (chemical mechanical polishing) technology has been widely used for global planarization of multi-level interconnection for ULSI applications. However, COO (cost of ownership) and COC (cost of consumables) were relatively increased because of expensive slurry. In this paper, we have studied the possibility of recycle of roused silica slurry in order to reduce the costs of CMP slurry. The post-CMP thickness and within-wafer non-uniformity (WIWNU) wore measured as a function of different slurry composition. As an experimental result, the performance of reused slurry with annealed silica abrasive of 2 wt％ contents was showed high removal rate and low non-uniformity. Therefore, we propose two-step CMP process as follows , In tile first-step CMP, we can polish the thick and rough film surface using remaked slurry, and then, in the second-step CMP, we can polish the thin film and fine pattern using original slurry. In summary, we can expect the saying of high costs of slurry.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권12호
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• pp.1027-1033
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• 2007

In this research, the polishing pad for W CMP has been analyzed to understand stabilization of polishing performance. For stabilization of process, the polishing pad condition is one of important factors. The polishing pad plays a key role in polishing process, because it contact with reacted surface of wafer[1]. The physical property of pad surface is ruled by conditioning tool which makes roughness and profile of pad surface. Pad surface affects on polishing performance such as RR(Removal Rate) and uniformity in CMP. The stabilized pad surface has stable roughness. And its surface has high level of wettability which can increase the probability of abrasive adhesion on pad. The result of this research is that the reduction of break-in and dummy polishing process were achieved by artificial machining to make stable pad surface. In this research, urethane polishing pad which is named IC pad(Nitta-Haas Inc.) and has micro pore structure, is studied. Because, this type of pad is the most conventional type.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권2호
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• pp.131-136
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• 2000

We have investigated the slurry induced metallic contaminations of undoped and doped silicate oxides surface on CMP cleaning process. The metallic contaminations by CMP slurry were evaluated in four different oxide films, such as plasma enhanced tetra-ethyl-orthyo-silicate glass(PE-TEOS), O3 boro-phos-pho-silicate glass(O3-BPSG), PE-BPSG, and phospho-silicate glass(PSG). All films were polished with KOH-based slurry prior to entering the post-CMP cleaner. The Total X-Ray fluorescence(TXRF) measurements showed that all oxide surfaces are heavily contaminated by potassium and calcium during polishing which is due to a CMP slurry. The polished O3-BPSG films presented higher potassium and calcium contaminations compared to PE-TEOS because of a mobile ions gettering ability of phosphorus. For PSG oxides, the slurry induced mobile ion contamination increased with an increase of phosphorus contents. In addition, the polishing removal rate of PSG oxides had a linear relationship as a function of phosphorus contents.

• 한국융합학회논문지
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• 제12권12호
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• pp.145-151
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• 2021

Ti Gr4에 TPS 법을 이용하여 HA 코팅을 수행하여 코팅층에 대한 물리적특성 및 생체적합성을 판단하여 의료용 부품으로서의 활용성에 대한 평가를 하였다. 직경 25mm Ti Gr4 합금 시험편을 기계가공 후 #120, #400, #1,000 샌드페이퍼 및 바렐 연마로 표면을 연마를 하여 ASTM F1185-88로 HA 코팅은 한 후 HA 코팅층의 두께, 표면조도, 강도 및 접착력 측정 시험과 세포독성 시험을 하였다. Ti Gr4에 대한 HA 코팅 결정도는 75.51%, Ca/P 비는 1.67의 값을 얻을 수 있었다. HA 코팅층의 두께는 Ti 소재의 표면거칠기가 거칠수록 증가하고, 코팅의 강도 및 접착력은 시험장치의 지그 형상, 에폭시 성분, 크로스헤드 속도 등에 따라 변화가 있을 것으로 예측된다. 세포독성 시험은 Grade 3의 반응성으로 적합한 것으로 나타났다. 본 실험 결과 TPS에 의한 Ti Gr4 소재의 HA 코팅 두께 향상과 골융합을 촉진이 가능할 것으로 확인되어 인체삽입용으로 상용화가 가능할 것으로 판단된다.

• 구강회복응용과학지
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• 제37권4호
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• pp.177-185
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• 2021

기존의 3 mol%의 이트라아(Y₂O₃)로 안정화된 정방정 지르코니아(3 mol% yttria stabilized tetragonal zirconia polycrystal, 3Y-TZP) 뿐만 아니라 이트리아 함량이 증가된 반투명 지르코니아(translucent zirconia)를 이용한 단일구조 지르코니아 보철물의 사용이 증가하면서 치과용 지르코니아의 광학적 성질에 영향을 미치는 요소에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다. 이트리아 함량, 보철물 두께, 소결과정, 연마 및 광택소성 그리고 치과용 시멘트 등과 같은 치과기공실 및 진료실 과정의 처리 방법에 따라 치과용 지르코니아의 광학적 효과가 다르게 나타난다. 이트리아 농도의 증가는 반투명도의 개선과 동시에 차폐효과의 감소를 유발할 수 있으며 수복물 두께가 증가할수록 반투명도는 감소하지만 지르코니아 블록의 물성에 따라 요구되는 두께가 다르므로 주의해야 한다. 고속소결 방식은 제작시간을 단축시키나 경우에 따라 보철물의 반투명도가 감소할 수 있다. 지르코니아의 표면거칠기 및 광택소성 처리에 따라 광학적 결과도 영향을 받을 수 있다. 적절한 유색 시멘트의 사용은 지르코니아의 차폐효과에 도움이 되어 보다 자연스러운 보철치료가 가능하다.

• 대한소아치과학회지
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• 제31권1호
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• pp.66-78
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• 2004

초기의 접착 시스템은 여러 단계의 술식을 필요로 하였으며 술자의 기술과 재료의 성질에 크게 좌우되었으나 최근 산부식, priming, adhesive를 한번에 적용할 수 있는 all-in-one adhesive system이 등장하였다. 치과에서의 vibration의 이용은 치석의 제거 및 접착제의 점도를 낮추는데 이용되어왔으며 vibration은 접착제의 흐름성을 향상시켜 film thickness를 낮추어 수복물 주위의 미세누출을 줄이는데 도움을 준다. 이에 저자들은 all-in-one adhesive system에서 vibration이 법랑질과 상아질의 접착강도와 레진침투에 미치는 효과를 알아보고자 하였다. 법랑질 시편은 발거 후 실온에서 0.1% thymol 용액에서 보관된 30개의 건전한 사람의 대구치를 무작위로 10개씩 세군으로 나누고 근원심 방향으로 두 부분으로 분리하여 각각은 같은 접착제를 사용하고 초음파진동여부를 다르게 하였고, 아크릴레진을 이용하여 직경 1-inch의 PVC관에 매몰한 후 협설면이 아크릴봉과 동일한 높이가 되도록 220-, 600-grit 연마지로 순차적으로 연마하였고 군당 10개씩 여섯 군으로 분류하였다. 1군과 2군은 Prompt L-Pop(3M-ESPE, Seefeld, Germany), 3군과 4군은 One-Up Bond F(Tokuyama Corp., Tokyo, Japan), 5군과 6군은 AQ bond(Sun Medical Co., Kyoto, Japan)를 제조사의 지시에 따라 도포하였다. 2군, 4군, 6군은 초음파 치석제거기를 이용하여 치면에 대고 15초간 진동을 가한 후 광중합하였다. 상아질 시편은 치관부 법랑질을 제거한 후 상아질면을 아크릴 봉과 동일한 높이가 되도록 하고 법랑질 시편과 동일하게 처리하였다. 이후 직경 2mm, 높이 3mm의 Teflon mold(Ultradent, U.S.A.)를 이용하여 복합레진을 충전한 후 40초씩 두 번에 나누어 광중합한 후 24시간동안 실온에서 증류수에 보관하였다. 열순환 시행한 후, 만능측정기(Instron 4465)로 전단결합강도를 측정하였으며 Resin tag의 양상을 비교하기 위해 각 군의 시편의 치질을 완전히 용해시킨 후 표면을 주사전자현미경사진으로 관찰하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1 법랑질에서 초음파 진동을 가한 군(2, 4, 6군)은 가하지 않은 군(1, 3, 5군)에 비해 평균 전단결합강도가 높게 나타났다. 그 차이는 Ad bond 군을 제외하고 통계적으로 유의하였다(p<0.05). 2. 상아질에서 초음파 진동을 가한 군(2, 4, 6군)은 가하지 않은 군(1, 3, 5군)에 비해 평균 전단결합강도가 높게 나타났다. 그러나 그 차이는 One-Up Bond F군을 제외하고는 통계적으로 유의한 차이가 없었다. 3. 전자 현미경 관찰에서 초음파 진동을 가한 군에서 더 많은 법랑질의 소실과 상아질에서 resin tag의 길이가 길었고 lateral branch의 수도 많이 관찰되었다.