• 전력전자학회논문지
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• 제4권1호
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• pp.13-18
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• 1999

본 논문은 공간전압벡터 PMW 인버터에서 전압벡터로 구성된 육각형 내부의 전압영역을 충분히 이용함으로써 보다 많은 출력 전압을 얻을 수 있도록 하는 새로운 과변조 기법을 제안한다. 제안된 과변조 기법은 벡터제어에 적용할 수 있어, 높은 전압이 요구 되는 운전 영역에서 벡터제어 전동기 구동시스템의 출력 토크능력을 향상시킬수 있다. 제안된 기법에서는 벡터 제어시 요구되는 특성인 자속의 제어\ulcorner역을 과변조 운전영역에서도 유지하도록 자속성분 전류를 우선적으로 제어하고, 그 대신 토크 성분 전류는 약간 희생하도록 하여, 과변조 운전영역에서도 벡터제어가 잘 수행되도록 하였다. 이를 위해, 과변조시 자속을 제어하는 전류제어기의 d축 출력전압은 제안없이 보존하는 반면, 토크를 제어하는 전류제어기의 q축 출력전압은 지령 전압벡터가 육각형 변위에 위치하도록 제한한다. 22[kW] 유도전동기 구동시스템에 대한 시뮬레이션 및 실험을 통해 제안된 기법의 타당성을 검증하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권7호
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• pp.57-65
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• 2002

본 논문에서는 CMOS로 구현된 2.5v 10-bit 300MSPS의 D/A 변환기를 제안하였다. 이를 위해 전체구조는 고속동작에 유리한 전류구동 방식의 8+2 분할 타입으로 상위 8-bit은 Thermometer Code 기법을 이용한 전류셀 매트릭스(Current Cell Matrix)로, 하위 2-bit은 이진 가중 전류열(Binary Weighted Current Array)로 설계하였다. 우수한 다이내믹 특성 및 고속 동작을 만족시키기 위해 낮은 글리치 에너지를 갖는 새로운 전류셀과 BDD(Binary Decision Diagram)에 의한 논리합성 기법을 활용한 새로운 역 Thermometer Decoder를 제안하였다. 제안된 DAC는 $0.25{\mu}m$, 1-Poly, 5-Metal, n-well CMOS 공정으로 제작되었으며, 유효 칩 면적은 $1.56mm^2$이고, 2.5V의 전원전압에서 84mW의 전력소모를 나타내었다. 모의실험 및 측정을 통해 최대 글리치 에너지는 0.9pVsec@fs=100MHz, 15pVsec@fs=300MHz로 나타났다. 또한 출력 주파수가 1MHz, 샘플링 주파수가 300MHz에서의 INL과 DNL은 약 ${\pm}$1.5LSB 이내로, SFDR은 45dB로 측정되었다.

• 센서학회지
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• 제5권5호
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• pp.1-10
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• 1996

EFG Si 태양전지를 전류-전압, 표면광전압, 전자빔유도_전류, 전자미세프로브, 전자역산란의 여러 가지 기술을 이용하여 분석하였다. 전류-전압 그래프를 여러 온도에서 측정한 결과 EFG-Si 태양전지는 전압에 따라 변하는 shunt 저항을 가진 것이 밝혀졌다. 이러한 shunt 저항은 precipitate와 grain boundary에 의해 생긴 것으로 공간전하영역 내의 불순물 에너지 준위로 tunneling에 의해 이동한 캐리어의 재결합으로 일어난 결과이다. 전류-전압 과 표면광전압 기술을 결합하면 태양전지의 pn접합과 기판 (substrate)을 동시에 분석할 수 있다. Diode ideality factor와 표면 광전압은 Pn접합의 특성을, 소수캐리어 확산거리는 substrate특성을 표시한다. EFG 태양 전지를 분석한 결과, 전압에 따라 변하는 shunt 저항은 효율에 따라 정도 차이는 있지만 모든 시편에서 발견되며, 태양전지의 성능을 저하시키는 중요한 원인 중의 하나가 된다.

• 전력전자학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.346-352
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• 2002

본 논문에서는 정류용 다이오드의 역 회복시 발생하는 손실을 줄이기 위한 새로운 듀얼 모드로 동작하는 ZCS-PWM 승압형 컨버터를 제안한다 제안된 회로에서 각각의 스위치는 소프트 스위칭 조건에서 매 사이클마다 교번으로 스위칭 동작을 하고 스위치 $S_2$에 직렬로 공진형 인덕터 Lr을 달아서 스위칭 손실과 EMI 노이즈와 관련된 정류용 다이오드$(D, D_1)$의 역 회복 전류를 감소시켰다. 제안된 컨버터는 기존의 ZVT-PWM 컨버터$^{[2]}$에 수동 및 능동 소자를 더 이상 추가하지 않기 때문에 각 소자들이 받는 전류/전압 스트레스는 기존의 하드 스위칭 컨버터 같다. 본 논문에서는 제안된 회로의 동작을 분석하고 이를 바탕으로 제작 및 실험을 통해서 타당성을 입증하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제20권9호
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• pp.900-905
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• 2009

본 논문에서는 전류 블리딩(bleeding)과 입력 인덕티브 직렬-피킹을 이용한 공통 드레인 귀환(Common Drain Feedback: CDFB) CMOS 광대역 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier: LNA)를 설계하였다. 캐스코드 증폭기와 귀환 증폭기를 DC 결합하여 블리딩 전류의 조정을 통해 LNA의 이득과 잡음 지수(Noise figure: NF)의 동적 제어를 실현하였다. 제작한 LNA는 2.5 GHz의 대역폭에서, 고이득 영역은 $1.7{\sim}2.8\;dB$ NF와 17.5 dB 이득, 그리고 27 mW의 전력 소비를 보이고, 저 이득 영역은 $2.7{\sim}4.0\;dB$ NF와 14 dB 이득, 그리고 1.8 mW의 전력 소비를 보인다.

• 융합신호처리학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.141-145
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• 2008

길이가 서로 다른 평행선로에 전류가 흐르는 경우, 커먼모드 전류(Common mode current)에 의한 전자파의 방사가 일어난다. 이러한 방사 원리를 이용하여 경량, 소형의 길이가 다른 2소자 선형 안테나가 제안되어 있다. 그러나 이 안테나의 경우 선으로 결합된 구조를 가지기 때문에 제작에 있어서 많은 제약이 따른다. 본 논문에서는 선형 안테나의 단점을 개선하고, 제작과 설계가 용이한 평면 기판에 길이가 다른 2소자 평면 안테나를 설계하고, 광대역(UWB: Ultra Wide Band)의 특성을 가지는 안테나를 설계하였다. 그리고 안테나 소자에 삼각형 패치 S, 노치, 테이퍼를 설계함으로서 방사특성은 다이 폴 안테나와 비슷하나 보다 넓은 대역에서 동작하는 안테나를 제작 할 수 있었다. 그 결과 비대역($VSWR{\le}2$)이 약 58%가 되었다.

• 전기화학회지
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• 제1권1호
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• pp.28-32
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• 1998

1M LiPF_6/EC:DME(1:1) 전해질 용액에서 시간-전위차법, 순환 전압-전류법, 시간-전류법 , 그리고 임피던스법을 이용하여 리튬 이온 전지의 충방전 용량을 조사하였고 초기 충전과정에서 용매 분해로 형성된 필름의 영향을 알아보았다. 충 방전 결과에 따르면, 1 M $LiPF_6/EC:DME$를 이용한 반쪽전지의 초기 비가역 용량은 상당히 크게 나타났다 이러한 비가역 용량은 대부분 용매 분해에 의한 것으로 해석되었으며, 용매 분해로 인하여 MPCF전극 표면에 필름이 형성되었다. 초기 충전과정에서 형성된 필름은 방전과정에서 산화되지 않았으며 2번째 충전부터 용매 분해는 더 이상 관찰되지 않았다. 또한 초기 충전과정에서 EC:DME용매속의 Li이 MPCF층 속으로 삽입될 때 용매와 함께 삽입됨을 알 수 있었다. 이러한 삽입이 진행될 때 MPCF표면의 입자들이 박리되고, 박리된 입자들과 용매 분해 생성물들이 서로 섞여 필름을 형성하므로써 필름의 저항은 크게 나타났다.

• 한국토양비료학회지
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• 제15권4호
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• pp.233-240
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• 1982

수도(水稻) 등숙기간중(登熟期間中) 동화산물 전류의 품종간 특성과 식물체내 무기성분조성이 동화산물 전류에 미치는 영향 등을 구명하기 위하여 표식탄소(標識炭素)($^{14}C$)를 이용, 본 시험이 실시되었다. 곡실로의 $^{14}C$ 전류와 수기충(受器充) 전속도(塡速度)는 일치하는 경향이었고 품종 및 특성은 등숙 후기전류우세형(I형 : 아끼바레), 등숙초기전류우세형(II형 ; 태백벼, 추풍벼), 중간형(III형 ; 밀양 23호, 밀양 42호, 유신)등 3群으로 분류되었다. 질소영양상태와 $^{14}C$의 곡실로의 전류간에는 역상관의 경향을 보였다. 유수형성기부터 출수기까지 인산, 가리. 석회, 고토, 및 규산의 공급중단은 곡실입중을 약 4~12% 감소시켰으나 출수기에 동화된 $^{14}C$의 곡실로의 전류를 증가시켰고 출수 후 이들 성분의 재공급효과는 인산>고토>가리, 석회의 순(順)이었으며 규산의 재공급효과는 인정하기 어려웠다. 광합성능은 질소영양에 크게 좌우되었으며 인산, 가리, 석회의 공급중단은 단엽광합성능(單葉光合成能)을 현저히 감소시켰으나 반면에 규산의 공급중단은 광합성능을 증가시켰다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권10호
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• pp.678-686
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• 2001

CaAs metal semiconductor field effect transistor (MESFET) 소자의 전달컨덕턴스 분산 (transconductance dispersion) 현상과 게이트 누설 전류의 원인을 capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS) 측정을 이용하여 해석하였다. DLTS 스펙트럼에서는 활성화 에너지가 각각 0.65×0.07 eV와 0.88 × 0.04 eV인 두개의 표면 결함과 0.84 × 0.01 eV의 활성화 에너지를 갖는 EL2를 관찰하였다. 전달컨덕턴스 분산 측정 결과, 전달컨덕턴스는 5.5 Hz ∼ 300 Hz의 주파수 영역에서 감소하였다. 전달컨덕턴스 분산을 온도의 함수로 측정한 결과, 온도가 증가할수록 전이 주파수는 증가하였고 전이 주파수의 온도 의존성으로부터 0.66 ∼ 0.02 eV의 활성화 에너지를 구할 수 있었다. 게이트 누설 전류 측정에서는 0.15 V 이하의 게이트 전압에서 순 방향과 역 방향 게이트 전압이 일치하는 오믹 전류-전압 특성을 나타내었고 게이트 누설 전류의 온도 의존성으로부터 구한 활성화 에너지는 0.63 ∼ 0.01 eV로 계산되었다. 서로 다른 방법으로 구한 활성화 에너지의 비교로부터 표면 결함 H1이 주파수에 따라서 감소하는 전달컨덕턴스 분산 및 게이트 누설 전류의 원인임을 알 수 있었다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제31권1호
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• pp.44-49
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• 2014

인지질(L-${\alpha}$-phosphatidylethanolamine, LAPE) 단분자층 LB막의 전기화학적 특성을 통하여 그 안정성을 순환전압전류법으로 조사하였다. LAPE 단분자층 LB막은 ITO glass에 LB법을 사용하여 제막하였다. 전기화학적특성은 0.5 N, 1.0 N, 1.5 N 및 2.0 N $KClO_4$ 용액에서 3 전극 시스템으로 순환전압전류법에 의해 측정하였다. 측정범위는 연속적으로 1650 mV로 산화시키고, 초기 전위인 -1350 mV로 환원시켰다. 주사속도는 각각 50, 100, 150, 200 및 250 mV/s로 설정하였다. 그 결과 LAPE LB막은 순환전압전류곡선으로부터 산화전류로 인한 비가역공정으로 나타났다. LAPE LB막은 전해질농도가 0.01 N, 0.05 N. 0.10 N, 0.15 N 과 0.20 N $KClO_4$ 용액에서 확산계수(D)는 각각 195, 15.9, 5.75, 1.38 및 $0.754cm^2s^{-1}{\times}10^{-9}$을 얻었다.