• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2017.05a
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• pp.527-528
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• 2017

Current-voltage characteristics of source-overlapped gate tunnel field-effect transistor (SOG-TFET) with different channel doping concentration are proposed. Due to the gaussian doping in which the channel region near the source is highly doped and that far from the source is lightly doped, the ambipolar current was reduced, compared with the uniformly-doped SOG-TFET. On-current is almost similar in P-P-N and P-I-N structure but subthreshold swing (SS) of P-P-N TFET enhanced 5 times higher than those of P-I-N TFET. off-current and ambiploar current of the proposed SOG-TFET decrease 10 times and 100 times than those of the uniformly-doped SOG-TFET.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.67-67
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• 2010

본 연구에서는 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 가볍고 내구성이 뛰어난 Al을 다양한 공정 조건에서 냉연 강판에 코팅하여 코팅층의 밀도 측정으로부터 치밀도를 알아보았다. 99.95% 순도의 Al 타겟을 사용하여 강판(냉연강판)과 실리콘 웨이퍼 시편에 증착시켰다. 시편은 알코올과 아세톤으로 초음파 세척을 하였으며 진공용기에서 펄스 전원 공급 장치를 이용하여 플라즈마 청정을 약 30분간 실시하였다. 시편 청정이 끝나면 ${\sim}10^{-6}$ Torr 까지 진공 배기를 실시하고, Ar 가스를 진공용기 내로 공급하여 ${\sim}10^{-3}$ Torr로 진공도를 유지하면서 스퍼터링으로 박막 코팅을 실시하였다. 전자석에 전류를 인가하지 않은 시편의 Al 코팅층 밀도는 bulk 밀도의 81%이며 전자석에 역방향 3 A의 전류를 인가시킨 시편의 Al 코팅층 밀도는 bulk 밀도의 약 94%를 보였다. Al 코팅층의 SEM 분석 결과, 스퍼터링 파워 증가에 따라 Al 코팅층 조직에 기공이 많아지고 두께가 증가하는 경향을 보였다. 또한 전자석의 순방향 전류가 증가하면 박막의 두께가 증가하고 치밀도가 낮아지는 반면 전자석의 역방향 전류가 증가할수록 Al 코팅층의 조직은 치밀해졌으며 전자석 전류를 역방향 3 A로 고정하고 스퍼터링 파워를 변화시켜 Al을 코팅하면 타겟 인가전압 1.5 A에서 가장 치밀한 Al 코팅층 조직을 얻을 수 있었다. 가장 치밀한 조직을 갖는 $1.57{\mu}m$의 Al 코팅층은 염수분무 시작 후 약 48시간 후에도 적청이 전면적의 5% 이내로 발생하였다. 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 냉연강판에 Al을 증착하였고 치밀한 조직의 박막을 형성함으로써 냉연 강판의 내식성을 향상할 수 있는 공정기술을 개발하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.14 no.4
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• pp.229-237
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• 2005

The degradation phenomena in SiGe hetero-junction bipolar transistors(SiGe HBTs) induced by bias stress are investigated in this review. If SiGe HBTs are stressed over a specific time interval, the device parameters deviate from their nominal values due to the internal changes in the devices. Reverse-bias stress on emitter-base(EB) junctions causes base current increase and current gain decrease because carriers accelerated by the electrical field generate recombination centers. When forward-bias current stress is conducted at an ambient temperature above $140^{\circ}C$ , hot carriers produced by Auger recombination or avalanche multiplication induce current gain fluctuation. Mixed-mode stressing, where high emitter current and high collector-base voltage are simultaneously applied to the device, provokes base current rise as EB reverse-bias stressing does.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.19-20
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• 2005

고속 동작 다이오드를 제작하기 위해 Non punch trough 형 실리콘 pn 다이오드에 다양한 조건으로 양성자를 주입하고 조건에 따른 소자의 전류-전압 특성을 분석했다. 양성자 주입은 에너지를 2.32Mev, 2.55Mev, 2.97Mev 로 또, 각 에너지 조건에서 도즈를 $1\times10^{11}cm^{-2}$, $1\times10^{12}cm^{-2}$, $1\times10^{13}cm^{-2}$로 변화 시키며 수행했다. 분석 결과, 순방향 전류 5A에서 전압 강하는 1.1V로 주입하지 않은 최초 소자의 122%로 증가하였으며 역방향 항복전압은 양성자를 주입하지 않은 소자와 비슷한 값을 보였다. 소자의 역방향 회복시간은 50nsec로써 최초 소자의 20% 수준으로 감소했다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 1998.05a
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• pp.405-408
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• 1998

In this paper, We analyzed the current-voltage characteristics with n-type silicon substrates concentration and temperature variations (Room temperature, 5$0^{\circ}C$, 75$^{\circ}C$) in platinum silicide and silicon junction. Measurement electrical parameters are forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height, saturation current, ideality factor, dynamic resistance acceding to junction concentration of substrates and temperature variations. As a result, the forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height and dynamic resistance were decreased but saturation current and ideality factor were increased by substrates concentration variations. Reverse breakdown voltage and dynamic resistance were increased by temperature variations.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.3 no.1
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• pp.229-234
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• 1999

We analyzed the reliability characteristics in platinum schottky diodes with variations of n-type silicon substrates concentrations and temperature variations of measurements. The parameters of reliability measurement analysis are saturation current. turn-on voltage and ideality factor in the forward bias, the breakdown voltage in the reverse bias with device shapes. The shape of devices are square type and long rectangular type for edge effect. As a result, we analyzed that the forward turn-on voltage, barrier height, dynamic resistance and reverse breakdown voltage were decreased but ideality factor and saturation current were increased by increased concentration in platinum and n-silicon junction parts. In measurement temperature(RT, $50^{\circ}C$, $75^{\circ}C$), the extracted electrical parameter values of reliability characteristics were increased at the higher temperature under the forward and reverse bias. The long rectangular type devices were more decreased than the square type in reverse breakdown voltage by tunneling effects of edge part.

• Journal of Korea Multimedia Society
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• v.3 no.5
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• pp.535-541
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• 2000

In this paper, we analyzed the characteristics of schottky junction to develop the voltage swing of ISL, and simulated the characteristics with the programs at this junctions. Simulation programs for analytic characteristics are the SUPREM V, SPICE, Medichi, Matlab. The schottky junction is rectifier contact between platinum silicide and silicon, the characteristics with programs has simulated the same conditions. The analytic parameters were the turn-on voltage, saturation current, ideality factor in forward bias, and has shown the results of breakdown voltage between actual characteristics and simulation characteristics in reverse bias. As a result, th forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height were decreased but saturation current and ideality factor were increased by substrates increased concentration variations.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.41-44
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• 2004

양성자 주입 기술을 pn 다이오드의 동작 속도를 향상시키기 위한 방법 이용하였다. 양성자 주입은 에너지를 2.32 MeV, 2.55 MeV, 2.97 MeV로 변화시키며 수행하여, projection 범위를 각각 접합, 공핍, 중성영역에 위치하도록 하였다. 또한 각각의 에너지 조건에서 도즈를 $1{\times}10^{11}\;cm^{-2}\;1{\times}10^{12}\;cm^{-2},\;1{\times}10^{13}\;cm^{-2}$의 세가지 조건으로 변화시켰다. 양성자 주입 조건 변화에 따른 소자 동작특성의 변화를 관찰하기 위하여 소자의 전류-전압 특성, 용량-전압 특성, 역방향 회복시간 측정을 수행하였다. 분석결과 양성자를 주입하지 않은 소자에 비해 특성의 큰 열화없이 역방향 회복시간을 약 1/5 수준으로 단축시킬 수 있는 것으로 나타났다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.06a
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• pp.399-402
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• 2009

폴리올프로세스에서 PVP(Poly Vinyl Pyrrolidone) 안정제와 $NaNO_3$ 첨가제를 통해 환원속도를 조절하여 6.8 nm의 나노 큐보옥타해드론을 합성하였다. 투과전자현미경을 통해 백금 나노입자의 격자구조를 관찰하였다. 전기화학적 측정방법을 통해 백금 큐보옥타해드론 촉매가 구형의 촉매보다 우수한 촉매 성능을 나타냄을 확인하였다. 순환전류법을 통해 백금 촉매의 역방향 픽과 순방향 픽의 비율이 더 높은 것을 관찰하였다. 이것은 백금 큐보옥타해드론 촉매가 반응중 생성되는 촉매독에 강하다는 것을 의미한다. 백금 큐보옥타해드론 촉매의 표면은 {111}면과 {100}면이 혼재하며 모서리가 많이 드러나 메탄올 산화반응에 더 우수한 촉매성능을 나타내는 것으로 사료된다. 백금 촉매의 모양을 조절함으로서 백금 촉매의 표면 구조를 조절하였으며 이를 통해 높은 전류밀도를 나타내는 우수한 촉매를 합성할 수 있었다. 또한 0 ~ 0.6 V(NHE) 영역에서 촉매의 안정성을 평가한 결과 더 높은 안정성을 나타냄을 확인하였다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.14 no.4
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• pp.214-218
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• 2011

The electrochemical characteristics and performance of redox flow battery using the soluble lead has been evaluated. Cyclic voltammetry was performed on the materials to evaluate deposition and dissolution of lead and lead dioxide. In the negative region, a reduction peak is not observed, and on the reverse scan, on-set voltage is observed at -0.47 V(vs SCE). In the positive region, the distinct peak is observed on the forward and reverse scan. The charge/discharge experiments were carried out graphite electrode in the beaker cell. The charging(deposition) of lead occurs at around 0.5 V(vs SCE) and discharging(dissolution) of lead occur at around 0.25 V(vs SCE). The potential difference is about 0.25 V. The charging(deposition) of dioxide lead is at 1.77 V(vs SCE) and discharging(dissolution) is at around 0.95 V(vs SCE) during first cycle. On subsequent cycles, the charging of dioxide lead starts at below 1.5 V(vs SCE), after a period the voltage increase to 1.7 V(vs SCE). The voltage of discharging is stable at around 1.0 V(vs SCE).