• Title/Summary/Keyword: 쓰기평가

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SLC Buffer Performance Improvement using Page Overwriting Method in TLC NAND Flash-based Storage Devices (TLC 낸드 플래시기반 저장 장치에서 페이지 중복쓰기 기법을 이용한 SLC 버퍼 성능향상 연구)

  • Won, Samkyu;Chung, Eui-Young
    • Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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    • v.53 no.1
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    • pp.36-42
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    • 2016
  • In multi-level-cell based storage devices, TLC NAND has been employed solid state drive due to cost effectiveness. Since TLC has slow performance and low endurance compared with MLC, TLC based storage has adopted SLC buffer scheme to improve performance. To improve SLC buffer scheme, this paper proposes page overwriting method in SLC block. This method provides data updates without erase operation within a limited number. When SLC buffer area is filled up, FTL should execute copying valid pages and erasing it. The proposed method reduces erase counts by 50% or more compared with previous SLC buffer scheme. Simulation results show that the proposed SLC buffer overwrite method achieves 2 times write performance improvement.

Design and Performance Evaluation of a Flash Compression Layer for NAND-type Flash Memory Systems (NAND형 플래시메모리를 위한 플래시 압축 계층의 설계 및 성능평가)

  • Yim Keun Soo;Bahn Hyokyung;Koh Kern
    • Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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    • v.32 no.4
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    • pp.177-185
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    • 2005
  • NAND-type flash memory is becoming increasingly popular as a large data storage for mobile computing devices. Since flash memory is an order of magnitude more expensive than magnetic disks, data compression can be effectively used in managing flash memory based storage systems. However, compressed data management in NAND-type flash memory is challenging because it supports only page-based I/Os. For example, when the size of compressed data is smaller than the page size. internal fragmentation occurs and this degrades the effectiveness of compression seriously. In this paper, we present an efficient flash compression layer (FCL) for NAND-type flash memory which stores several small compressed pages into one physical page by using a write buffer Based on prototype implementation and simulation studies, we show that the proposed scheme offers the storage of flash memory more than $140\%$ of its original size and expands the write bandwidth significantly.

A Study on the Improvement of Teaching Competence of Pre-service Science Teachers based on the Teaching Evaluation and Reflective Journal Writings on Science Class (수업 평가와 반성 저널쓰기를 통한 예비 과학교사들의 수업 수행 능력 개선에 대한 연구)

  • Kim, Hyun-Jung;Hong, Hun-Gi;Jeon, Hwa-Young
    • Journal of The Korean Association For Science Education
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    • v.30 no.6
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    • pp.836-849
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    • 2010
  • The purpose of this study is to analyze changes of competency observed in teaching of pre-service science teachers through the teaching evaluation and reflective journal writings on science class during the period of student-teaching at high school. To do this, we videotaped all the science classes of six pre-service teachers participating in this study, evaluated their class teachings, and collected moving video clips recorded in their classes, reflective journals, interviews, instructional materials, and teaching evaluation they have provided. From the "Standards for teaching evaluation of science instruction" developed by Korea Education Curriculum and Assessment, sixteen evaluation elements were selected and used for the analysis. According to our results, all preservice teachers show improvement of teaching performance in most of the class evaluation elements as the number of science classes increases. They presented the lowest improvement in the 'to design meaningful learning program,' which was one of the sixteen elements. However, there are substantial individual differences in the pre-service teachers' teaching competence on each evaluation element. Although they thought that 'understanding of scientific concepts' is the most important part of a science class in the beginning of student-teaching training, they showed changes in recognition that 'interaction and respect' and 'managing student behaviors' are also important in the end. They have recognized that writing a reflective journal, based on the video clips recorded in class and teaching evaluation, helps improve their teaching competency. In addition, improvement in teaching competency has influence upon career-orientation towards the school teacher in the future.

Exemplary Mathematics Assessment Tasks in Quadratic Functions (함수 단원 평가 과제의 실천예시)

  • 고상숙;이석현
    • The Mathematical Education
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    • v.43 no.2
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    • pp.163-175
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    • 2004
  • We believe new assessment strategies and practices need to be developed that will enable teachers and others to assess students' performance in a manner that reflect the 7th Korean curriculum reform vision for school mathematics. This research was conducted to develop the assessment tasks based on the current literatures such as National Council of Teachers of Mathematics (1999) and Korea Institute of Curriculum & Evaluation(KICE, 2002, 2003) in quadratic functions of the secondary school and to find the effect of these tasks by classifying students' responses. The research instrument were composed of three criteria, the previous knowledge, the application of quadratic functions, and the general properties in functions. The research data were collected from 32 high school students in a suburb of Seoul and sorted by their similarities and differences in mathematical understanding. Through the research, we could know more than ever before about how the students learned mathematics and about how to improve teachers' mathematical instruction.

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A Two-level Indexing Method in Flash Memory Environment (플래시 메모리 환경을 위한 이단계 인덱싱 방법)

  • Kim, Jong-Dae;Chang, Ji-Woong;Hwang, Kyu-Jeong;Kim, Sang-Wook
    • Journal of KIISE:Computing Practices and Letters
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    • v.14 no.7
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    • pp.713-717
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    • 2008
  • Recently, as the capacity of flash memory increases rapidly, efficient indexing methods become crucial for fast searching of a large volume of data stored in flash memory. Flash memory has its unique characteristics: the write operation is much more costly than the read operation and in-place updating is not allowed. In this paper, we propose a novel index structure that significantly reduces the number of write operations and thus supports efficient searches, insertions, and deletions. We verify the superiority of our method by performing extensive experiments.

The Design and Implementation of a Multimedia Program for Emergent Literacy Teaching (입문기 아동의 문자지도를 위한 멀티미디어 프로그램의 설계 및 구현)

  • Lee, Mi-Wha;Lee, Sang-Hyun
    • Journal of The Korean Association of Information Education
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    • v.7 no.2
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    • pp.141-151
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    • 2003
  • The purpose of this study was to design and develop a multimedia program for elementary school students' emergent literacy teaching. The program aims at helping students improve their reading ability and enhance their letter decoding ability through drill-and-practice as well as tutorial instructional strategies. To that end, the instructional materials were reorganized so as to provide a basic syllable table and writing examples with standard pronunciation. The multimedia program is composed of three sections: basic literacy teaching, advanced literacy teaching, and evaluation sections. The implications of the study were discussed.

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Heat Treatment Effects of Staggered Tunnel Barrier (Si3N4 / HfAlO) for Non-volatile Memory Application

  • Jo, Won-Ju;Lee, Se-Won
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.196-197
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    • 2010
  • NAND형 charge trap flash (CTF) non-volatile memory (NVM) 소자가 30nm node 이하로 고집적화 되면서, 기존의 SONOS형 CTF NVM의 tunnel barrier로 쓰이는 SiO2는 direct tunneling과 stress induced leakage current (SILC)등의 효과로 인해 data retention의 감소 등 물리적인 한계에 이르렀다. 이에 따라 개선된 retention과 빠른 쓰기/지우기 속도를 만족시키기 위해서 tunnel barrier engineering (TBE)가 제안되었다. TBE NVM은 tunnel layer의 전위장벽을 엔지니어드함으로써 낮은 전압에서 전계의 민감도를 향상 시켜 동일한 두께의 단일 SiO2 터널베리어 보다 빠른 쓰기/지우기 속도를 확보할 수 있다. 또한 최근에 각광받는 high-k 물질을 TBE NVM에 적용시키는 연구가 활발히 진행 중이다. 본 연구에서는 Si3N4와 HfAlO (HfO2 : Al2O3 = 1:3)을 적층시켜 staggered의 새로운 구조의 tunnel barrier Capacitor를 제작하여 전기적 특성을 후속 열처리 온도와 방법에 따라 평가하였다. 실험은 n-type Si (100) wafer를 RCA 클리닝 실시한 후 Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD)를 이용하여 Si3N4 3 nm 증착 후, Atomic layer deposition (ALD)를 이용하여 HfAlO를 3 nm 증착하였다. 게이트 전극은 e-beam evaporation을 이용하여 Al를 150 nm 증착하였다. 후속 열처리는 수소가 2% 함유된 질소 분위기에서 $300^{\circ}C$$450^{\circ}C$에서 Forming gas annealing (FGA) 실시하였고 질소 분위기에서 $600^{\circ}C{\sim}1000^{\circ}C$까지 Rapid thermal annealing (RTA)을 각각 실시하였다. 전기적 특성 분석은 후속 열처리 공정의 온도와 열처리 방법에 따라 Current-voltage와 Capacitance-voltage 특성을 조사하였다.

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EHD 잉크젯에서의 전압과 기판속도 변화에 의한 토출 연구

  • Im, Byeong-Jik;Lee, Gyeong-Il;Lee, Han-Seong;O, Se-Uk;Lee, Cheol-Seung;Kim, Seong-Hyeon;Ju, Byeong-Gwon;Jo, Jin-U
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.633-633
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    • 2013
  • 직접쓰기 기술은 재료의 낭비가 적고, 생산가격의 절감, 빠른 공정속도 및 유독물질 발생 없이 친환경적인 공정이 가능하여 디스플레이 및 인쇄전자 산업 등 다양한 분야에서 적용이 가능한 기술로 평가 받고 있다. 특히 EHD (Electro-Hydro-Dynamics) 기술을 이용한 잉크젯 방식의 경우 기존의 직접쓰기 기술에서는 어려운 고해상도의 패터닝이 가능하고 다양한 특성의 잉크에 적용 가능하다는 장점을 지니고 있어 크게 각광받고 있다. 본 연구는 내경 $60{\mu}m$, 외경 100 ${\mu}m$인 지르코니아 재질의 세라믹 노즐을 사용하여 EHD 잉크젯에서의 인가전압과 기판속도 변화에 의한 토출 현상을 연구하였다. BM 잉크를 이용하여 전압을 1.7~2.25 kV 증가하여 토출 시 구현된 라인의 선폭은 22~38 ${\um}m$까지 커졌고, AMO 잉크를 이용하여 기판속도를 25~500 mm/s 증가시켜 토출 시 구현된 라인의 선폭은 $91{\sim}21{\mu}m$로 줄어들며 라인의 두께는 400~110 nm얇아지는 것을 확인하였다. 이처럼 노즐에 인가되는 전압과 기판 속도에 따라 토출의 양상이 달라지므로 이를 적절히 조합하면 안정적으로 원하는 토출을 구현할 수 있다.

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Performance Evaluation of Linux Page Cache on Solid-State Disk (SSD에 대한 리눅스 페이지 캐시의 성능 평가)

  • Lee, Joo-Hwan;Kim, Jung-Hyun;Kim, Hong-June;Lee, Jae-Jin;Choi, Jae-Young;Lim, Sun-Young
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2010.06b
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    • pp.368-373
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    • 2010
  • 플래시 메모리의 집적도가 높아지고 가격이 저렴해 짐에 따라 낸드 플래시 기반의 SSD의 사용이 확산 되고 있다. 플래시 메모리 기반 SSD는 기존의 하드디스크와 비교하여 여러 가지 장점을 가지지만 덮어 쓰기가 불가능한 특성상 쓰기 공간 확보를 위해 가비지 컬렉션이 수행되어야 하는 단점을 가진다. 이러한 단점을 개선하기 위해 다양한 연구들이 제안되었다. 이 중, 운영체제의 페이지 캐시에 대한 연구가 상반된 주장을 보이고 있는 점[11, 12, 13]에 착안하여 실험을 통해 이를 재확인하였다. 실험 결과, 큰 용량의 페이지 캐시가 SSD를 스토리지로 갖는 시스템에서 파일 입출력 성능을 크게 향상시키는 것을 확인 할 수 있었다.

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차세대 비 휘발성 메모리 적용을 위한 Staggered tunnel barrier ($Si_3N_4$/HfAlO) 에 대한 전기적 특성 평가

  • Yu, Hui-Uk;Park, Gun-Ho;Nam, Gi-Hyeon;Jeong, Hong-Bae;Jo, Won-Ju
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.219-219
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    • 2010
  • 기존의 플로팅 타입의 메모리는 소자의 소형화에 따른 인접 셀 간의 커플링 현상과 전계에 따른 누설전류의 증가 등과 같은 문제가 발생한다. 이에 대한 해결책으로서 전하 저장 층을 폴리실리콘에서 유전체를 사용하는 SONOS 형태의 메모리와 NFGM (Nano-Floating Gate Memory)연구가 되고 있다. 그러나 높은 구동 전압, 느린 쓰기/지우기 속도 그리고 10년의 전하보존에 대한 리텐션 특성을 만족을 시키지 못하는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결 하고자 터널베리어를 엔지니어링 하는 TBM (Tunnel Barrier Engineering Memory) 기술에 대한 연구가 활발히 진행 중이다. TBM 기술은 터널 층을 매우 얇은 다층의 유전체를 사용하여 전계에 따른 터널베리어의 민감도를 증가시킴으로써 빠른 쓰기/지우기 동작이 가능하며, 10년의 전하 보존 특성을 만족 시킬 수 있는 차세대 비휘발성 메모리 기술이다. 또한 고유전율 물질을 터널층으로 이용하면 메모리 특성을 향상 시킬 수가 있다. 일반적으로 TBM 기술에는 VARIOT 구조와 CRESTED 구조로 나눠지는데 본 연구에서는 두 구조의 장점을 가지는 Staggered tunnel barrier 구조를 $Si_3N_4$와 HfAlO을 이용하여 디자인 하였다. 이때 HfO2와 Al2O3의 조성비는 3:1의 조성을 갖는다. $Si_3N_4$와 HfAlO을 각각 3 nm로 적층하여 리세스(Recess) 구조의 트랜지스터를 제작하여 차세대 비휘발성 메모리로써의 가능성을 알아보았다.

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