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Effect of nitridation of sapphire in $NH_3$ ambient on GaN grown by MOCVD

  • 송근만;김동준;문용태;박성주
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.115-115
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    • 2000
  • Wide band gap을 갖는 III-V족 반도체인 GaN는 파란색에서 자외선영역에 이르는 발광소자용으로, 그리고 최근에는 전자소자로도 가장 유망한 반도체 중의 하나이다. 하지만 격자상수가 일치하는 적당한 기판이 존재하지 않아 성장된 GaN 박막 내에는 많은 결함들이 존재하게 된다. 일반적으로 가장 널리 쓰이는 기판은 사파이어 기판이 주로 이용되고 있는데 사파이어는 GaN와 격자상수 불일치가 16%에 이르므로 고품질의 GaN 박막을 성장시키기 위해서는 격자상수 불일치를 어느 정도 완화시키면서 초기성장과정의 컨트롤이 매우 중요하다. 이러한 방법들로는 GaN박막 성장 전에 사파이어 기판 질화처리를 하거나 buffer 층을 도입하는 것인데, 이에 관한 많은 연구들이 보고되고 있다. 하지만 각각 두 공정에 관한 연구는 많이 되어 있지만 두 공정사이를 연결해 주는 공정처리법에 관한 연구는 보고되고 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 사파이어기판 질화처리를 한 후 buffer 층을 성장시키기 전까지 chamer 내부의 분위기 가스가 GaN 박막성장 거동에 어떤 영향을 주는지에 관해 연구하였다. 질화처리 후 chamber 내부의 분위기 가스가 GaN 박막 성장 거동에 미치는 영향을 연구하기 위하여 두 개의 시편 A,B를 준비하였다. 시편 A는 먼저 사파이어 기판을 유기용매를 이용하여 cleaning 한 후 장비에 장입되었다. 수소분위기하에서 10nsrks 104$0^{\circ}C$에서 가열한 후 30초간 암모니아 유속을 900sccm으로 유지하며 사파이어 기판 질화처리를 수행하였다. GaN buffer 층을 성장하기 위하여 104$0^{\circ}C$에서 56$0^{\circ}C$로 온도를 내리는 과정중 질화처리를 위하여 흘려주었던 암모니아 유속을 차단한 채 수소분위기에서만 온도를 내렸다. 56$0^{\circ}C$에서 GaN buffer 층을 300 성장시킨 후 102$0^{\circ}C$의 고온에서 2$\mu\textrm{m}$ 두께로 GaN 박막을 성장하였다. 시편 B는 질화처리 후 단계부터 GaN 박막성장 단계에 이르기까지 AFM을 이용하여 두 시편의 성장거동을 비교 분석하였다. 두 시편의 표면을 관찰한 결과 시편 A는 2차원적 성장을 하며 매우 매끄러운 표면을 갖는데 반해, 시편 B는 3차원적 성장을 하며 매우 거친 표면을 보였다. 또한 두 시편 A, B를 XRD, PL, Hal 측정으로 분석한 결과 시편 A가 시편 B보다 우수한 구조적, 광학적, 전기적 특성을 보였다.

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가시설 부식 강재의 잔존 인장 내하성능 평가에 관한 실험적 연구 (An Experimental Study on the Evaluation of Residual Tensile Load-carrying Capacity of Corroded Steel Plates of Temporary Structure)

  • 김인태;장홍주;정지영
    • 한국강구조학회 논문집
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    • 제22권5호
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    • pp.399-409
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    • 2010
  • 강구조물은 부식에 의한 단면감소와 이로 인한 내하성능의 저하가 우려된다. 그러나 부식손상이 강부재의 내하성능에 미치는 영향과 잔존 내하성능 평가법은 명확하게 정립되어 있지 않은 실정이다. 본 연구에서는 부식 손상된 지하철 가시설 주형보의 웨브와 플랜지에서 절취한 부식시편의 인장실험을 실시하여, 부식손상이 인장 내하성능에 미치는 영향과 인장 잔존 내하성능 평가법에 대하여 검토하였다. 부식 가시설 주형보로부터 절취한 총 21개의 부식시편은 먼저 화학적 방법에 의해 부식생성물을 제거하고 1mm간격으로 표면형상을 측정한 후 인장실험을 실시하였다. 이러한 인장실험 결과는 주형보의 플랜지에서 절취하여 두께 13mm로 기계 가공한 무부식 기준시편의 인장실험 결과와 비교하여, 잔존두께와 표면형상이 부식강재의 항복하중, 인장하중 및 연신율에 미치는 영향을 정량화하였다. 그리고 부식의 유무에 상관없이 일정한 강재의 극한강도를 이용하여 무부식 등단면 강재와 동일하게 인장응력을 평가할 수 있는 불규칙 변단면 부식강재의 유효두께를 표면형상 측정결과로 산출한 평균잔존두께와 표준편차로 정식화하였다. 또한 이러한 결과를 실무에도 적용할 수 있도록 부식강재의 합리적인 잔존두께 측정간격도 제시하였다.

나노두께 퍼말로이에서의 계면효과에 의한 자기적 물성 변화 (Evolution of Magnetic Property in Ultra Thin NiFe Films)

  • 정영순;송오성
    • 한국자기학회지
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    • 제14권5호
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    • pp.163-168
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    • 2004
  • 나노 두께의 NiFe의 자기적 특성을 살펴보기 위해 Si(100)/ $SiO_2$(200 nm)/Ta(5 nm)/N $i_{80}$F $e_{20}$(1~15 nm)의 구조를 ICP형 헬리콘 스퍼터로 제작하였다. 제작된 시편의 자기적 물성은 SQUID를 이용하여 $\pm$50 Oe에서의 4.2K와 300K에서 각각의 M-H loop를 측정하여 자기탄성에너지 변화와 보자력을 확인하였다. 또한 SQUID로 4.2K-300K에서의 M-T curve를 통해 온도에 따른 포화자화를 두께에 따라 살펴보았다. TEM을 사용하여 제작된 시편의 각 계면간의 미세구조를 살펴보았다 나노두께의 NiFe는 3 nm 이하에서는 $B_{bulk}$=0, $B_{surf}$=-3${\times}$$10^{-7}$(J/$m^2$)의 자기 탄성계수를 보였으며, 보자력은 급격히 증가하는 것을 확인하였다. 나노 두께의 퍼말로이는 계면효과에 의해서 벌크특성과 다른 자기탄성계수, 보자력, Ms의 변화가 발생하였다. 따라서 나노급 소자를 제작할 때 이러한 변화를 고려하여 설계하여야 하였다.

고체추진제의 파괴인성에 대한 온도 및 두께의 영향 (Effect of Temperature and Thickness on Fracture Toughness of Solid Propellant)

  • 서보휘;김재훈
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제37권11호
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    • pp.1355-1360
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    • 2013
  • 균열이 발생된 고체추진제는 연소면적 증가에 따른 과연소 현상으로 인해 로켓의 손상 또는 파괴까지 일어날 수 있기 때문에 파괴인성을 평가하는 것은 매우 중요하다. 이 재료에 파괴인성에 미치는 온도 및 두께의 영향을 확인하기 위하여, 시험 온도는 $-60^{\circ}C$에서 $60^{\circ}C$ 범위, 시편의 두께는 4, 12.5, 24.5 mm 의 3 종류로 변화하여 Center cracked tension(CCT) 시편을 이용하여 파괴인성을 평가하였다. 본 시험 결과로부터 파괴인성은 온도 증가와 함께 감소하는 경향을 보이고 두께 변화에 대한 파괴인성은 $-60^{\circ}C$를 제외한 다른 온도조건에서 두께 12.5 mm 일 때 가장 크게 나타나고 있다. 고체추진제의 파괴인성은 $-60^{\circ}C$부근에서 유리전이거동에 의한 변화하는 것을 알 수 있다.

중합 광원과 중합 시간이 복합레진의 표면 경도에 미치는 영향 (INFLUENCE OF LIGHT SOURCE AND CURING TIME ON SURFACE HARDNESS OF RESIN COMPOSITES)

  • 배상만;이광희;김대업;안호영
    • 대한소아치과학회지
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    • 제28권2호
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    • pp.199-206
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    • 2001
  • 플라즈마 아크 광원을 사용하는 광중합기를 저출력 할로겐 광원을 사용하는 전통적인 광중합기와 비교 평가하기 위하여, 세 종류의 복합레진을 두께가 2, 3, 4, 5mm인 몰드에 충전하고 레진 상면을 할로겐광으로 40초간, 플라즈마광으로 3, 6, 9초간 조사한 후 레진 상면과 하면의 표면미세경도를 각각 측정하였다. 레진시편 상면의 표면경도와 하면의 표면경도 간의 차이는, 두께 2mm 시편에 할로겐광을 40초간 조사하였거나 플라즈마광을 9초간 조사한 경우들을 제외하고, 모두 유의하였다(P<0.05). 레진시편 상면의 표면경도는 전체 실험군들에서 서로 유의한 차이가 없었다. 레진시편 하면의 표면경도는 전체적으로 보아 할로겐광을 40초간 조사한 군들에서 가장 높았고 플라즈마광의 조사시간이 감소함에 따라 감소하였으며 레진시편의 두께가 증가함에 따라 감소하였다. 이상의 결과는 복합레진의 중합깊이 측면에서 볼 때 3, 6, 9초간 조사하는 고출력 플라즈마광의 중합능력이 40초간 조사하는 저출력 할로겐광의 중합능력에 미치지 못함을 시사한다.

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의치상 레진 강화재가 의치상 굽힘강도에 미치는 영향 (The Effect of Reinforcing Materials on the Transverse Strength of Denture Base Resin)

  • 이준식;송영균;조인호
    • 구강회복응용과학지
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    • 제28권4호
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    • pp.327-337
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    • 2012
  • 본 연구에서는 광중합형 석영 섬유인Quarts Splint$^{TM}$ Mesh를 중심으로 다양한 강화재의 의치상 보강 효과에 대해 알아보고자 하였다. 의치상 레진으로 Lucitone199$^{(R)}$와 QC-20을 사용하였으며 강화재로 폴리에틸렌 섬유인 Ribbond$^{(R)}$, Quarts Splint$^{TM}$ Mesh, 금속 격자 강화재를 사용하였다. $2.0{\times}10.0{\times}65.0mm$ 시편을 각각 10개씩 제작하였으며 $2.5{\times}10.0{\times}65.0mm$, $3.0{\times}10.0{\times}65.0mm$ 시편도 제작하였다. Lucitone199$^{(R)}$ 레진은 QC-20 레진보다 높은 굽힘강도를 나타내었으며, 대조군에서 유의차를 나타내었다(p<0.05). Lucitone199$^{(R)}$ 및 QC-20 레진으로 제작한 2.0 mm 두께 시편에서 굽힘강도는 금속 격자 강화재, Quarts Splint$^{TM}$ Mesh, Ribbond$^{(R)}$, 대조군 순으로 감소되었다. Lucitone199$^{(R)}$ 레진을 이용하여 제작한 두께 2.0 mm, 2.5 mm 시편에서 Quarts Splint$^{TM}$ Mesh로 보강한 군은 대조군보다 유의하게 높은 굽힘강도를 나타내었으며(p<0.05), 두께 3.0 mm 시편에서는 유의차가 없었다.

전영역 스캐닝 자유공간 측정 시스템을 이용한 GFRP의 유전율 분포 가시화 (Visualization of Permittivity Distribution in GFRP using Full-Field Scanning Free Space Measurement System)

  • 현종민;;이정률
    • Composites Research
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    • 제31권3호
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    • pp.99-103
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    • 2018
  • 본 연구에서는 스캐닝 자유공간 측정 시스템을 이용하여 전자기적 특성을 가지는 표준 시편에 대한 전영역 유전율 분포를 가시화한다. 먼저 테플론 두께 차이에 따라, 유전율 측정 결과, 유전율 실수와 손실정접 측정결과가 두께변화에도 타측정과 이론치와 비교하여 신뢰할 수 있는 결과를 획득하였고 이어 Glass/epoxy 시편에 적용하여 재료에 따라 다른 유전율 분포가 나타나는 것을 제시하였다. 스캔영역을 통해, 시편 전영역에 대한 유전율 분포를 가시화 할 수 있었으며, 재료 물성 평가를 넘어 레이돔 혹은 스텔스 구조 규모의 대상체에도 적용할 수 있음을 확인하였다.

삼차원 집적화를 위한 초박막 실리콘 웨이퍼 연삭 공정이 웨이퍼 표면에 미치는 영향 (Effect of Si Wafer Ultra-thinning on the Silicon Surface for 3D Integration)

  • 최미경;김은경
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.63-67
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    • 2008
  • 전자산업의 소형화와 경량화 추세에 맞추어 최근 집적 칩(IC)이나 패키지를 적층시키는 삼차원 집적화(3D integration) 기술 개발은 차세대 핵심기술로 중요시되고 있다. 본 연구에서는 삼차원 집적화 공정 기술 중 하나인 초박막 실리콘 웨이퍼 연삭(grinding)공정이 웨이퍼 표면에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 실리콘 웨이퍼를 약 $30{\mu}m$$50{\mu}m$ 두께까지 연삭한 후, 미세연삭(fine grinding) 단계까지 처리된 시편을 건식 연마(dry polishing) 또는 습식 애칭(wet etching)으로 표면 처리된 시편들과 비교 분석하였다. 박막 웨이퍼 두께는 전계방시형 주사전자현미경과 적외선 분광기로 측정하였고, 표면 특성 분석을 위해선 표면주도(roughness), 표면손상(damage), 경도를 원자현미경, 투과정자현미경 그리고 나노인덴터(nano-indentor)를 이용하여 측정하였다. 표면 처리된 시편의 특성이 표면 처리되지 않은 시편보다 표면주도와 표면손상 등에서 현저히 우수함을 확인 할 수 있었으나, 경도의 경우 표면 처리의 유무에 관계없이 기존의 벌크(bulk)실리콘 웨이퍼와 오차범위 내에서 동일한 것으로 보였다.

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공정 단계에 따른 박형 Package-on-Package 상부 패키지의 Warpage 특성 분석 (Warpage Characteristics Analysis for Top Packages of Thin Package-on-Packages with Progress of Their Process Steps)

  • 박동현;정동명;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제21권2호
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    • pp.65-70
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    • 2014
  • 박형 package-on-package의 상부 패키지에 대하여 PCB 기판, 칩본딩 및 에폭시 몰딩과 같은 공정단계 진행에 따른 warpage 특성을 분석하였다. $100{\mu}m$ 두께의 박형 PCB 기판 자체에서 $136{\sim}214{\mu}m$ 범위의 warpage가 발생하였다. 이와 같은 PCB 기판에 $40{\mu}m$ 두께의 박형 Si 칩을 die attach film을 사용하여 실장한 시편은 PCB 기판의 warpage와 유사한 $89{\sim}194{\mu}m$의 warpage를 나타내었으나, 플립칩 공정으로 Si 칩을 PCB 기판에 실장한 시편은 PCB 기판과 큰 차이를 보이는 $-199{\sim}691{\mu}m$의 warpage를 나타내었다. 에폭시 몰딩한 패키지의 경우에는 DAF 실장한 시편은 $-79{\sim}202{\mu}m$, 플립칩 실장한 시편은 $-117{\sim}159{\mu}m$의 warpage를 나타내었다.

균열 아크릴 시편의 기체 확산계수와 균열폭의 관계 (Relationship between Crack Width and Gas Diffusion Coefficient of Cracked Acrylic Specimens)

  • 이도근;임민혁;신경준
    • 한국건설순환자원학회논문집
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    • 제6권4호
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    • pp.245-251
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    • 2018
  • 최근 구조물의 유지관리의 중요성이 부각되면서 자기치유 콘크리트 기술 분야의 연구가 활발히 이루어지고 있다. 이에 반해서 자기치유 성능을 평가하기 위한 척도는 부족한 실정이다. 균열폭을 측정하기 위한 방법으로 시각적인 방법이 1차적으로 사용되고 있으나 시편 내부의 균열폭을 관찰하기가 어려우며, 비균질한 균열특성으로 인해 표면에 대한 국부적인 측정만 할 수 있는 단점이 있다. 균열에 대한 간접적인 평가 방법으로 투수실험이 널리 활용되고 있지만 물의 점성으로 인한 문제가 있으며, 또한 실험 중 시편내부 물질의 용출될 가능성이 존재한다. 본 연구에서는 기체확산 특성을 활용한 균열폭 평가 방법을 제안하고자 하였다. 아크릴로 이상화된 직선균열을 제작하여 균열폭, 두께에 따른 시편의 확산계수를 분석하였다. 실험결과를 통하여 균열폭과 확산계수는 선형관계에 있음을 보였고, 두께와 확산계수는 역수의 관계에 있음을 증명하였다.