• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.10
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• pp.832-837
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• 1997

본 연구에서는 반도체 소자의 수율을 현저히 저하시키는 반도체 습식 세정 시 건조 후 웨이퍼 표면에 형성된 water mark의생성 원인을 고찰하였다. 이를 위해 초순수수의 물방울을 다른 접촉각의 시편 위에 고의로 잔류시킨 후 질소 및 산소 분위기에서 건조시켰다. 건조 분위기와 상관없이 HF 처리된 소수성의시편 뿐만 아니라 친수성의 시편에서도 water mark이 관찰되었다. 생성된 water mark의 크기는 분위기에 무관하게 접촉각이 증가함에 따라 감소하였다. 그러나 산소 분위기에서 HF처리된 시편은 건조 후 질소 분위기에서 생성된 water mark의 크기보다 2배이상 크게 형성되었다. 이들 산소 및 질소 분위기에서 HF 처리된 실리콘 시편 위에 생성된 water mark의 성분을 AES(Auger Electron Spectroscopy)로 분석한 결과 water mark는 실리콘과 산소의 화합물 형태로 존재함을 확인하였다. AAS(Atomic Absorption Spectroscopy)분석 결과 건조 분위기에 상관 없이 HF처리된 실리콘 시편 위에 물방울을 30분 잔류시 물방울 내의 실리콘 농도가 증가하였다. 또한 물방울내 ozone을 첨가하여 실리콘 표면을 산화 시켰을 때 물방울과 표면의 접촉각 감소와 water mark의크기의 증가를 초래하였다.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.20 no.3
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• pp.135-140
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• 2020

Since the process gas that is essential in the semiconductor process is a harmful gas, it is an essential task to solve it in an environmentally friendly manner. Currently, the cleaning technology used in the semiconductor process is mostly a wet cleaning based on hydrogen peroxide developed in the 1970s, and the SC-1 cleaning liquid for removing particles on the surface uses a mixture of ammonia and hydrogen peroxide. Therefore, environmental problems are caused, and economic problems caused by excessive water use are also serious. For this reason, the products developed through this study are used to decompose the process harmful gas from the chamber outlet into a harmless gas before entering the vacuum pump, or by incineration and the gaseous components are deposited on the pump. I want to solve the problem. In this paper, CPS (Confined Plasma Source) is proposed to save environment and improve productivity by replacing harmful gases (N2, CF4, SF6⋯., Etc) which are indispensable in semi-contamination process with innocuous gases or incineration with plasma, to study.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.34 no.1
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• pp.183-188
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• 2017

This study deals with $de-SO_X$ and $de-NO_X$ process of a wet scrubber for small size ship engines. The experiment was conducted according to the E3 mode of the $NO_X$ technical code. In order to discharge the sulfur containing flue gas, ditertiarybutyldusulfide was added to the diesel fuel to increase the sulfur content. NO gas, which occupies most of the nitrogen oxides in the exhaust gas, was oxidized into $NO_2$ and absorbed by a wet scrubber. The developed equipment of this work achieved 100% of removal efficiency for highly soluble $SO_2$ gas in an aqueous solution.

• Prospectives of Industrial Chemistry
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• v.22 no.5
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• pp.1-13
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• 2019

국제해사기구(IMO, international maritime organization)는 2015년부터 배출규제해역(ECA, emission control area)을 운항하는 선박은 황 함유량이 0.1%(m/m) 이하로 강화된 기준을 만족하는 연료를 사용해야 하며, 2020년부터는 모든 선박에 대해 황 함유량이 0.5%(m/m) 이하인 연료를 사용하거나 동등 이상의 성능을 갖는 배출가스 후처리 장치의 설치를 의무화하였다. 이에 따라, 선박에서 배출되는 오염물질을 제어할 수 있는 다양한 기술이 개발되고 있으며, 후처리 관점에서 습식 스크러버(wet scrubber)는 선박의 디젤 엔진에서 배출되는 이산화황(sulfur dioxide)을 저감시키기 위한 가장 적합한 해결책으로 알려져 있다. 습식 스크러버는 해수를 사용하는 개방형 스크러버(open loop scrubber)와 화학세정수를 사용하는 폐쇄형 스크러버(closed loop scrubber)로 구분된다. 습식 스크러버는 오염물질의 효율적인 처리가 가능하지만 유지보수비가 비싸고, 폐수 발생으로 인한 2차 오염발생 및 부식에 매우 취약한 단점이 있다. 따라서 최근에는 스크러버 내부의 부식을 방지하기 위한 내부식성 재질에 관한 연구와 흡수제(absorbent)의 고도화 연구가 활발히 진행되고 있다. 또한, 하이브리드형 스크러버(hybrid scrubber)는 개방형과 폐쇄형 스크러버의 장점을 결합한 기술로 황산화물의 배출을 규제하는 배출규제해역에서는 폐쇄형 스크러버를 가동하고, 선박이 공해상으로 진입할 경우 개방형 스크러버로 전환함에 따라 황산화물 배출 및 반응 후 세척수의 폐수배출 기준을 동시에 만족할 수 있다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.6
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• pp.532-537
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• 1998

The purpose of this study was to investigate the behavior of ozone in DI water and the reaction with wafers during the semiconductor wet cleaning process. The solubility of ozone in DI water was not only dependent on the temperature but also directly proportional to the input concentration of ozone. The lower the initial ozone concentration and the temperature, the longer the half-life time of ozone. The reaction order of ozone in DI water was calculated to be around 1.5. The redox potential reached a saturation value in 5min and slightly increased as the input ozone concentrations increased. The completely hydrophilic surface was created in Imin when HF etched silicon wafer was cleaned in ozonized DI water containing higher ozone concentrations than 2ppm. Spectroscopic ellipsometry measurements showed that the chemical oxide formed by ozonized DI water was measured to be thicker than that by piranha solution. The wafers contaminated with a non-ionic surfactant were more effectively cleaned in ozonized DI water than in piranha and ozonized piranha solutions.

• Journal of the Korean Society of Marine Environment & Safety
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• v.27 no.6
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• pp.898-904
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• 2021

This experimental study aims to investigate the use of a wet electrostatic precipitator as a post-treatment device to satisfy the strict emission regulations for sulfur oxides and particulate matter (PM). The inlet/outlet of a wet electrostatic precipitator was installed in a funnel using a marine four-stroke diesel engine (STX-MAN B&W) consuming marine heavy fuel oil (HFO) with a sulfur content of about 2.1%. Measurements were then obtained at the outlet of the wet electrostatic precipitator; an optical measuring instrument (OPA-102), and the weight concentration measurement method (Method 5 Isokinetic Train) were used for the PM measurements and the Fourier transform infrared (FT-IR; DX-4000) approach was used for the sulfur oxide measurements. The experimenst were conducted by varying the engine load from 50%, to 75% and 100%; it was noted that the PM reduction efficiency was a high at about 94 to 98% under all load conditions. Additionally, during the process of lowering the exhaust gas temperature in the quenching zone of the wet electrostatic precipitator, the sulfur dioxide (SO₂) values reduced because of the cleaning water, and the reduction rate was confirmed to be 55% to 81% depending on the engine load.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.05a
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• pp.129-133
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• 2005

대기압 글로우 플라즈마를 이용하여 반도체 리드프레임(Alloy 42) 도금 전처리 습식 공정을 건식으로 대체하였다. 13.56 MHz의 RF 전원을 사용하여 300 W 파워에서 안정적인 대기압 글로우 플라즈마를 발생시켰으며, 금속 리드프레임에 플라즈마가 직접 접촉해도 아크나 스트리머 발생이 없었다. 플라즈마 소스 가스로는 알곤(Ar)을 사용하였으며, 활성가스로 산소($O_2$)를 첨가하였다. 300 W 파워에서 산소를 50 sccm 공급하고 100 mm/sec 속도로 리드프레임을 처리한 결과, 처리 전 접촉각이 $82^{\circ}$에서 처리 후 $10^{\circ}$ 이하로 낮아졌다. 플라즈마 처리 후 리드프레임 표면 거칠기 변화를 AFM으로 측정하였다.

• Resources Recycling
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• v.32 no.1
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• pp.33-41
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• 2023

Herein, we selectively recovered Zn and produced ZnSO₄ from electric arc furnace dust using a hydrometallurgical process. The analysis of the properties of the electric arc furnace dust revealed that the Fe content (9.9%) was relatively low while the Mn content (19%) was high as compared to the composition of general dust. Therefore, an appropriate hydrometallurgical process was designed based on the properties of the raw materials. In the leaching process involving the use of 1.6 M sulfuric acid and 20% solid-liquid ratio at 60℃ for 1 h, 85% of the Zn and Mn got dissolved while the Fe was not leached. To selectively recover Zn, a solvent extraction process using D2EHPA as the extractant was chosen, and 99% of the Zn was extracted using 0.8 M D2EHPA with 32% saponification and an O/A ratio of 2 using counter-current 3-stage extraction. Mn was entirely scrubbed with an aqueous sulfuric acid solution of pH 1.5. Finally, Zn was concentrated and stripped using 1.5 M sulfuric acid at an O/A ratio of 4 using counter-current 4-stage stripping. The stripping solution contained 40 g/L of Zn, and 99.9% of ZnSO₄∙H₂O was obtained by vacuum distillation.

• Journal of Conservation Science
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• v.18 s.18
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• pp.63-74
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• 2006

All rock materials of the three storied stone pagoda in Seoakri were composed of light gray alkali granite with medium grained and developed with small mialolitic cavities. This stone pagoda is preserving almost archetype except the head part because there was repair work already. But, foundation, basement and roof rocks are serious state by microbial invasion such as lichens. Because there are tree and grass that cause direct effect to stone pagoda surrounding. Therefore, conservation treatment executed the primary dry cleaning and secondary wet cleaning treatment. Stone surface is partly not removed well such as lichens which part removed using cleansing device that use high temperature steam. Some treated part concrete and epoxy resin remove and retreatment with mixing talc and alkali granite powder to epoxy resin. Did color matching at mixing process of epoxy resin and fillers to properties with set the feel of a material. Also, drainage ditched to minimize inflow of rainwater fall from slope that is on the east of stone pagoda, tree and grass in stone pagoda surrounding wished to do remove and control occurrence of lichens hereafter minimizing moisture conteats.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.10a
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• pp.23-23
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• 2011

Chemical-Mechanical Planarization (CMP) 공정이란 화학적 반응 및 기계적인 힘이 복합적으로 작용하여 표면을 평탄화하는 공정이다. 이러한 CMP 공정은 반도체 산업에서 회로의 고집적화와 다층구조를 형성하기 위하여 도입되었으며 반도체 제조를 위한 필수공정으로 그 중요성이 강조되고 있다. 특히 최근에는 Inter-Level Dielectric (ILD)의 형성과 Shallow Trench Isolation (STI) 공정에서실리콘 산화막을 평탄화하기 위한 CMP 공정에 대해 연구가 활발히 이루어지고 있다. 그러나 CMP 공정 후 scratch, pitting corrosion, contamination 등의 Defect가 발생하는 문제점이 존재한다. 이 중에서도 scratch는 기계적, 열적 스트레스에 의해 생성된 패드의 잔해, 슬러리의 잔유물, 응집된 입자 등에 의해 표면에 형성된다. 반도체 공정에서는 다양한 종류의 실리콘 산화막이 사용되고 gks이러한 실리콘 산화막들은 종류에 따라 경도가 다르다. 따라서 실리콘 산화막의 경도에 따른 CMP 공정 및 이로 인한 Scratch 발생에 관한 연구가 필요하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 scratch 형성의 거동을 알아보기 위하여 boronphoshposilicate glass (BPSG), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) tetraethylorthosilicate (TEOS), high density plasma (HDP) oxide의 3가지 실리콘 산화막의 기계적 성질 및 이에 따른 CMP 공정에 대한 평가를 실시하였다. CMP 공정 후 효율적인 scratch 평가를 위해 브러시를 이용하여 1차 세정을 실시하였으며 습식세정방법(SC-1, DHF)으로 마무리 하였다. Scratch 개수는 Particle counter (Surfscan6200, KLA Tencor, USA)로 측정하였고, 광학현미경을 이용하여 형태를 관찰하였다. Scratch 평가를 위한 CMP 공정은 실험에 사용된 3가지 종류의 실리콘 산화막들의 경도가 서로 다르기 때문에 동등한 실험조건 설정을 위해 동일한 연마량이 관찰되는 조건에서 실시하였다. 실험결과 scratch 종류는 그 형태에 따라 chatter/line/rolling type의 3가지로 분류되었다 BPSG가 다른 종류의 실리콘 산화막에 비해 많은 수에 scratch가 관찰되었으며 line type이 많은 비율을 차지한다는 것을 확인하였다. 또한 CMP 공정에서 압력이 증가함에 따라 chatter type scratch의 길이는 짧아지고 폭이 넓어지는 것을 확인하였다. 본 연구를 통해 실리콘 산화막의 경도에 따른 scratch 형성 원리를 파악하였다.