• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.07a
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• pp.161-162
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• 2016

일반적으로 사용되는 전력 스위치 소자에는 IGBT, MOSFET 등이 있다. 그 중 IGBT 소자는 용량 특성이 우수하여 고 용량 인버터에서 사용가능하다는 장점이 있으나 턴 오프 동작 시 손실 특성과 다이오드 역 회복 특성으로 인해 고속 스위칭 동작에는 부적합하다는 단점이 있다. 최근에는 SiC를 사용한 MOSFET의 개발이 진행되어 MOSFET의 대용량화 및 스위칭 손실저감이 이루어졌고 이에 따라, 본 논문에서는 SiC MOSFET을 이용한 고속 스위칭 인버터를 제안하였으며 그 특성을 기존의 IGBT 소자를 이용한 인버터와 비교분석하고 이를 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.07a
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• pp.165-166
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• 2016

본 논문에서는 Common-Mode Noise가 저감된 계통연계형 단상인버터의 파워소자선정에 따른 스위칭 손실 저감을 제안한다. 풀브리지 회로에서 상용전원 레퍼런스 주파수로 상보적인 스위칭 신호를 주는 PWM_1구간에는 비교적 천천히 스위칭하기 때문에 컨덕션 loss가 적은 IGBT를 사용하며, 보다 빠른 스위칭 주파수로 동작하는 PWM_2구간에서는 Switching loss가 적은 MOSFET을 사용하여 전체적인 스위치에서 발생되는 손실을 저감한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.195-197
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• 2018

3레벨 컨버터는 높은 입력을 갖는 어플리케이션에서 널리 사용되고 있다. 3레벨 컨버터는 스위치의 전압 스트레스를 입력전압의 절반으로 줄일 수 있다는 장점을 가지지만 경부하에서 영전압 스위칭을 할 수 없다는 단점을 갖고 있다. 이 논문에서는 경부하 조건에서도 영전압 스위칭을 할 수 있는 새로운 3레벨 컨버터를 제안한다. 또한 제안하는 컨버터는 1차측의 환류전류를 없애고, 정류단 다이오드의 전압 스트레스를 낮추어 도통손실을 저감할 수 있다. 따라서 1차측 스위치의 영전압 스위칭을 통해 경부하의 높은 효율을 달성하고, 1차측 회로와 2차측 정류단의 도통손실을 감소시켜 중부하의 높은 효율을 달성할 수 있다. 제안하는 컨버터는 입력전압 540-600V, 출력파워 750W(48V/15.625A) 조건에서 실험을 진행하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.319-320
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• 2014

본 논문은 DCM(Discontinuous Conduction Mode)로 동작하는 3상 인터리브드 양방향 DC-DC컨버터를 다룬다. 전류 리플을 줄이기 위해 3상 인터리브드 방식을 이용하였으며 소프트 스위칭 조건을 확보하기 위해 DCM동작을 한다. DCM동작시 스위칭 손실을 분석하고 이를 저감하기 위하여 새로운 스위칭 기법을 제시하며 실험으로 유용성을 입증한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.5-6
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• 2012

하나의 태양전지에 모듈화 시킨 소용량 MIC는 크기제한 및 신뢰성, 고효율이 가장 큰 문제가 되고 있다. 이러한 문제로 MIC는 태양전지의 높이에 맞게 설계하기 위해 변압기 코어와 컨버터 스위칭손실을 감소시켜야 한다. 본 논문에서는 Active Clamp방식의 인터리브드 플라이백컨버터를 적용하여 소형화 및 스위칭손실을 줄이는 고효율 MIC를 제안하였다.

• Asia-pacific Journal of Multimedia Services Convergent with Art, Humanities, and Sociology
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• v.8 no.11
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• pp.523-530
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• 2018

It has been studied over the long time for the high efficiency and high power density of the power converter. It is possible to obtain higher power conversion efficiency and small volume by increasing switching frequency, however, the switching loss is also increased. The soft switching technique can overcome of the above deficiency. The design and analysis method for ZVS(Zero Voltage Switching) Phase Shifte Full bridge converter is presented in this paper. The power transfer depends on the phase difference between two legs of the power stage and the maximum power conversion efficiency is achieved by the optimum leakage inductance value. The waveform of the current and voltage of the operational mode is analysed and the corresponding switch status is plotted as on/off status. A ZVS full bridge converter for a communication rectifier with 2kW output power is implemented and its performance are verified through PSIM software simulation and experimental results.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.4 no.4
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• pp.377-383
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• 1999

A new soft switching single stage AC-DC full bridge boost converter with unit input power factor and isolated output i is presented in this paper. Due to the use of a non-dissipative snubber on the primary side, a single stage high-power f factor isolated full bridge boost converter has a significant reduction of switching losses in the main switching devices. The non-dissipative snubber adopted in this study consists of a snubber capacitor Cr, a snubber inductor Cr, a fast r recovery snubber diode Dr' and a commutation diode Dp. This paper presents the complete operating principles, t theoretical analysis and experimental results.

• Journal of IKEEE
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• v.25 no.1
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• pp.15-24
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• 2021

In this paper, 1700 V EPDT (Extended P+ shielding floating gate Double Trench) MOSFET structure, which has a smaller switching time and loss than CDT (Conventional Double Trench) MOSFET, is proposed. The proposed EPDT MOSFET structure extended the P+ shielding area of the source trench in the CDT MOSFET structure and divided the gate into N+ and floating P- polysilicon gate. By comparing the two structures through Sentaurus TCAD simulation, the on-resistance was almost unchanged, but Crss (Gate-Drain Capacitance) decreased by 32.54 % and 65.5 %, when 0 V and 7 V was applied to the gate respectively. Therefore, the switching time and loss were reduced by 45 %, 32.6 % respectively, which shows that switching performance was greatly improved.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.11a
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• pp.9-10
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• 2013

본 논문에서는 무손실 수동 스너버를 갖는 탭인덕터 부스트 컨버터를 제안한다. 기존의 탭인덕터 부스트 컨버터는 누설 인덕턴스와 기생 커패시턴스의 공진에 의한 전압 스트레스의 증가와 그것을 저감시키기 위한 손실 스너버가 사용되어야 한다. 그리고 MOSFET가 하드 스위칭하므로 방열을 위한 추가 PCB 공간확보가 필요하다. 이런 문제점을 무손실 스너버 회로를 추가하여 부품의 스트레스와 스위칭 손실을 최소화하고 PCB 면적을 최적화할 수 있다. 본 논문에서는 제안된 부스트 컨버터의 동작원리를 이론적으로 해석하고, 모의실험 및 시제품 제작하여 검증한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2011.07a
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• pp.38-39
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• 2011

본 논문은 PWM DC-AC 인버터에서의 AC 필터 인덕터 코아 손실 계산을 위한 간단한 방법을 제시한다. 코아 손실 분석을 위해서 AC 필터 인덕터로 아몰퍼스 C-Core (AMCC-320)를 선택하였다. 단상하프브릿지 전압형 인버터와 간이 열량계를 이용하여 코아 손실을 측정하고 제시한 방법을 검증하였다. 기본적으로 인버터 스위칭은 SPWM 방법을 사용하였으며, 스위칭 주파수와 모듈레이션 인덱스를 가변하면서 실제 제작한 간이 열량계로 코아 손실을 측정하였다.