• Title/Summary/Keyword: 셀 상태

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The 4bit Cell Array Structure of PoRAM and A Sensing Method for Drive this Structure (PoRAM의 4bit 셀 어레이 구조와 이를 동작시키기 위한 센싱 기법)

  • Kim, Jung-Ha;Lee, Sang-Sun
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.44 no.6 s.360
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    • pp.8-18
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    • 2007
  • In this paper, a 4bit cell way structure of PoRAM and the sensing method to drive this structure are researched. PoRAM has a different operation from existing SRAM and DRAM. The operation is that when certain voltage is applied between top electrode and bottom electrode of PoRAM device we can classify the cell state by measuring cell current which is made by changing resistance of the cell. In the decoder selected by new-addressing method in the cell array, the row decoder is selected "High" and the column decoder is selected "Low" then certain current will flow to the bit-line. Because this current is detect, in order to make large enough current, the voltage sense amplifier is used. In this case, usually, 1-stage differential amplifier using current mirror is used. Furthermore, the detected value at the cell is current, so a diode connected NMOSFET, that is, a device resistor is used at the input port of the differential amplifier to converter current into voltage. Using this differential amplifier, we can classify the cell states, erase mode is "Low" and write mode is "High", by comparing the input value, Vin, that is a product of current value multiplied by resistor value with a reference voltage, Vref.

Design of CNN Chip with Annealing Capability (어닐링 기능을 갖는 셀룰러 신경망 칩 설계)

  • 유성환;전흥우
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics C
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    • v.36C no.11
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    • pp.46-54
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    • 1999
  • The output values of cellular neural networks would have errors because they can be stabilized at local minimums depending on the initial states of each cell. So, in this paper, we design the $6\times6$cellular neural networks with annealing capability which guarantees that the outputs reaches the global minimum to have correct output values independent of the initial states of each cell. This chip is designed using a $0.8\mu\textrm{m}$ CMOS technology The designed chip contains about 15,000 transistors and the chip size is about $2.89\times2.89\textrm{mm}^2$. The simulation results of edge extraction and hole filling using the designed circuit show that the outputs values would have errors in un-annealed case, but not in annealed case. In the simulation, the annealing time of $3\musec$ is employed.

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YSZ(yttria-stablilized ziroconia) 박막을 이용한 센서셀의 산소감응

  • 배정운;박준용;황순원;김기동;조영아;전진석;최동수;염근영
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.128-128
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    • 1999
  • 산소이온 전도체로 잘 알려진 Yttira-Stabilizd Ziroconia(TSZ)는 연료전지, oxygen pumps, chemical gas sensor 등 다양한 electrochemical divices에 이용되는 고체 전해질의 하나이다. 특히 YSZ는 oxygen 및 oxygen과 평형상태에 있는 gas들을 검출하는 sensor의 electrolyte로서 가장 많이 쓰이고 있다. 현재 상용화되어 있는 YSZ Sensor는 전통적인 bulk 형태의 ceramic으로 제작된 것으로 충분한 ionic conductivity를 얻기 위해서는 $600^{\circ}C$이상의 operating temperature를 필요로 하나 YSZ를 박막으로 제조시 낮은 operating temperature를 뿐만 아니라 sensor의 소형화, 낮은 ohmic loss 및 다양한 응용이 가능한 장점을 가질 수 있다. 본 실험에서는 산소 이온 전도체로서 8mol%-YSZ 고체전해질을 RF-magnetron bias sputtering 법을 이용하여 증착하였다. 제조된 YSZ 박막을 이용한 산소감응 센서셀 구조는 SiO2/Ni-NiO/Pt/YSZ/Pt-기판이다. 센서셀의 정상상태에서의 기전력(electromotive force ; EMF)을 산소분압(Po:1.013$\times$103Ta ~1.013$\times$105Pa)과 측정온도(30$0^{\circ}C$~$700^{\circ}C$)를 변화시키며 측정하였다. 이론적인 기전력과 측정값 사이의 편차는 Po:1.565$\times$104Pa 이하의 산소분압에서는 컸지만 이 이상의 분압에서는 이론치에 근접한 값을 가졌다. 증착한 YSZ와 Ni-NiO 박막의 구조는 X-ray diffractometer(XRD)를 이용하여 결정구조를 알아 보았고, TSZ 박막의 표면 morphology 관찰은 Scanning electron microscopy(SEM) 이용하였다. 박막의 조성분석은 X-ray energy dispersive analysis(EDX)을 사용하였다.

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Study on the Efficiency of Si-cell Depending on the Texturing (표면 거칠기와 분포 상태에 따른 Si-셀 효율에 관한 연구)

  • Oh, Teresa
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.20 no.3
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    • pp.189-194
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    • 2011
  • Si-cell was prepared with various types owing to the etching times textured by the KOH etching solution. The pn junction for solar cell was prepared on p-type Si wafer by the furnace using the $POCl_3$ and oxygen mixed precursor, and the metalization was done using by the Al back electrode and Ag front electrode. Textured Si surface was etched by the pyramid formation. The efficiency and the fill factor was increased in the Si-cell with a large size of pyramids, because of the series resistances decrease depending on the increasing of the photon absorbance. Increasing of the absorbance occurred the induction of the short current and open voltage, and then the efficiency was increased.

Implementation of Battery Management System for Li-ion Battery Considering Self-energy Balancing (셀프에너지 밸런싱을 고려한 리튬이온전지의 Battery Management System 구현)

  • Kim, Ji-Myung;Lee, Hu-Dong;Tae, Dong-Hyun;Ferreira, Marito;Park, Ji-Hyun;Rho, Dae-Seok
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.21 no.3
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    • pp.585-593
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    • 2020
  • Until now, 29 fire accidents have occurred; 22 of them were caused by the interconnection of renewable energy sources that occurred during the rest period after the lithium-ion battery had been fully charged regardless of the seasons. The fire accidents of ESS were attributed to thermal runaway due to the overcharging of a few cells with the phenomenon of self-energy balancing, which is unintentional current flow from cells with a high SOC to the low cells if the SOC condition of each cell connected in parallel is different. Therefore, this paper proposes a novel configuration and operation algorithm of the BMS to prevent the self-energy balancing of ESS and presents a hybrid SOC estimation algorithm. From the test results of the self-energy balancing phenomenon between aging and normal cells based on the proposed algorithm and BMS, it was confirmed the possibility of self-energy balancing, which is unintentional current flow from cells with a high SOC to cells with a low SOC. In addition, the proposed configuration of the BMS is useful and practical to improve the safety of lithium-ion batteries because the BMS can reliably disconnect a parallel connection of the cells if the self-energy balancing current becomes excessively high.

The QoS Improvement through Service Control in Wireless Multimedia Networks (멀티미디어 무선망에서 서비스 제어를 통한 QoS 향상)

  • 이준화;정병호;이광일;김상하
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2000.04a
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    • pp.316-318
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    • 2000
  • 미래의 무선망에서는 자원의 한계를 극복하기 위해서 셀 크기가 작은 마이크로/피코 셀 구조를 갖을 것으로 기대된다. 하지만, 이런 구조는 핸드오프의 증가를 가져오기 때문에 시간과 위치에 따라 망의 상태는 급격히 변동하게 된다. 이러한 점은 QoS 보장이 어렵거나 저하시키는 원인이 된다. 따라서, 본 논문은 멀티미디어 서비스 분포를 제어함으로써 망의 변동폭을 완화시켜 이동 QoS를 개선시키는 호 수락 알고리즘(RCAC)을 제안하였다. 실험 결과, 제안된 방식이 QoS를 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있다.

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Distributed Parallel-cell Charging-discharging System for Retired Battery Using Bi-directional Linear Regulator. (양방향 리니어 레귤레이터를 사용하는 폐배터리 병렬 분산형 충방전기 시스템)

  • Kim, Kyoung-tak;Park, Joung-hu
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2018.07a
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    • pp.159-161
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    • 2018
  • 지난 수년 간 다량으로 배출되고 있는 폐 배터리를 에너지 저장장치(ESS)로서 재활용하고자 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 ESS 시스템에는 사용하는 배터리마다의 규격이나 이전 사용 시 수명, 배출 시 상태의 차이가 존재하기 때문에 각 배터리 간 셀밸런싱 시스템이 필수로 요구된다. 현재까지 직렬형, 병렬형 등이 연구되고 있지만 모듈화나 신뢰성 등을 만족 시키기 위해서는 병렬형이 유리하다. 본 논문에서는 양방향 리니어 레귤레이터를 사용하며 셀 벨런싱 회로가 없는 병렬형 충방전 시스템을 제안하고자 한다.

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Effects of Heat Treatment in $N_2$ and Se Atmosphere on the Densification of Nanoparticle Derived Cu(In, Ga)$Se_2$ Absorber Layer (질소 및 셀레늄 분위기 열처리가 나노 입자 Cu(In, Ga) $Se_2$ 광흡수층의 치밀화에 미치는 영향)

  • Kim, Ki-Hyun;Ahn, Se-Jin;Chun, Young-Gab;Park, Byun-Ok;Yoon, Kyung-Hoon
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2005.06a
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    • pp.185-188
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    • 2005
  • 나노 입자 분무 기법을 이용한 $Cu(In,\;Ga)Se_2$ (CIGS) 광흡수층 제조 기법은 고진공 장치를 사용하지 않는다는 점에서 대면적 저가형 CIGS 태양전지 양산에 적합한 차세대 기술로 인식되고 있다. 그러나 일반적으로 스프레이 된 상태의 CIGS충 자체는 태양전지 제조에 적합하지 않은데 이는 스프레이 막의 다공성 구조 때문이다. 본 연구에서는 나노입자 분무 기법을 이용하여 증착한 CIGS 광흡수층막을 질소 또는 셀레늄 분위기에서 열처리함으로써 태양전지 제조에 적합한 치밀한 구조의 CIGS 광흡수충을 제조하고자 하였다. 실험 결과, 질소 분위기 $500^{\circ}C$의 온도에서 1시간 열처리하여도 CIGS 나노 입자의 성장은 거의 일어나지 않는 것으로 나타났다. 반면 셀레늄 분위기 $500^{\circ}C$의 온도에서 30분 열처리시 입자 크기가 $1{\mu}m$이상인 치밀한 광흡수층을 얻을 수 있었다. 본 결과는 CIGS 나노 입자의 입자 성장 반응에서 열에너지 단독에 의한 표면 에너지 감소 효과는 미미하며 셀레늄 증기의 역할이 더욱 크다는 것을 의미하는 것이다.

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Transition of Natural Convective Flows Subjected to Small-Wave-Number Sinusoidal Wall Temperatures with Phase Difference (위상 차이가 있는 작은 파동수의 정현적인 벽면 온도 하에서의 자연 대류 유동의 천이)

  • Yoo, Joo-Sik
    • 대한공업교육학회지
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    • v.33 no.2
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    • pp.300-311
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    • 2008
  • This study investigates the natural convection of air(Pr=0.7) between two walls having a small- wave- number sinusoidal temperature distributions with a phase difference. The wave number and the phase difference of wall temperatures are k=0.5 and ㄱ/2, respectively. In the conduction-dominated regime at small Rayleigh number, two slightly inclined cells are formed over one wave length. At higher Rayleigh number, however, multicellular convection occurs in thermally unstable region. A spatial symmetry is intermittently broken in the transient period at the Rayleigh number near the critical value. The steady-state flows always satisfy the spatial symmetry. A steep increase of Nusselt number occurs near the Rayleigh number at which transition of flow pattern occurs.

Simulation of amorphous selenium considering diffraction and interference models (간섭과 회절 모델을 고려한 비정질 셀레늄(a-Se) 시뮬레이션)

  • Kim, Si-hyung;Song, Kwang-soup
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2012.10a
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    • pp.997-999
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    • 2012
  • Digital X-ray image detector is widely used for radiodiagnosis. Amorphous selenium has been received attention as one of the major material that confirmed photoconductor of direct methode detector. We analysis the photocurrent using 2-dimensional device simulator when blue-ray (${\lambda}=486nm$) is irradiated and high voltage is biased. We evaluate electron-hole generation rate, electron-hole recombination rate, and electron/hole distribution in the amorphous selenium. This simulation methode is helpful to the analysis of digital X-ray image detector. We expect that many applications will be developed in digital X-ray image detector using 2-dimensional device simulator.

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