• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.10a
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• pp.41.1-41.1
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• 2011

본 연구에서는 MOCVD법으로 사파이어 기판위에 u-GaN를 성장한 후 Mg을 도핑시켜 p-GaN를 성장하고, RF 스퍼터를 이용하여 n-ZnO를 도포하여 n-ZnO/p-GaN 이종접합을 형성한 후 진공증착기를 이용하여 Au/Ni를 증착시켜 발광다이오드(LED)를 제작하고 전기 광학적 특성을 조사하였다. 두께가 500 nm인 u-GaN 위에 성장된 p-GaN의 운반자 농도는 $1.68{\times}10^{17}\;cm^{-3}$ 이었다. 그리고 150, 300 nm 두께의 p-GaN에 대하여 측정된 DXRD 반치폭은 각각 450 arcsec, 396 arcsec 이었고, 상온에서 2.8~3.0 eV 영역에서 Mg 억셉터와 관련된 광루미네센스가 검출되었다. RF 스퍼터링에 의해 0.7 nm/min의 속도로 증착된 n-ZnO 박막은 증착 두께에 따라 비저항이 27.7 $m{\Omega}{\cdot}cm$ 에서 6.85 $m{\Omega}{\cdot}cm$ 까지 감소하였다. 그리고 n-ZnO 박막은 (0002)면으로 우선 배향되었으며, 상온에서 에너지갭 관련된 광루미네센스가 3.25 eV 부근에서 주되게 검출되었다. n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 전류전압 특성곡선은 다이오드 방정식에 만족하는 특성을 나타내었다. 다이오드 지수는 3 V 이하 영역에서 1.64, 3~5 V 영역에서 0.85이었다. 그리고 5 V 이상 영역에서 공간전하의 제한을 받았으며, 다이오드 지수는 3.36이었다. 한편, 역방향 전류전압 특성은 p-GaN 박막의 두께에 영향을 받았으며, p-GaN 박막의 두께가 150, 300 nm 일 때 각각의 누설 전류는 $1.3{\times}10^{-3}$ mA와 $8.6{\times}10^{-5}$ mA 이었다. 상온에서 측정된 EL 스펙트럼의 주된 발광피크는 430 nm이었고, 반치폭은 49.5 nm이었다.

• Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
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• v.3 no.3
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• pp.154-160
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• 1970

The present paper deals with the growth of yellow croaker by scale age reading. This study is based on material from 596 specimens caught by the Danish seine in the Yellow Sea during the period from June 1967 to April 1968. Ring marks of the scale were formed from April to July, corresponding to the spawning season of the fish reported by Bae (1960). Growth rate of each radius of the ring was approximately 0.73. The relationship between the total length and radius of scales, and the relationship between the body weight and total length are represented by the following equations respectively: L=61.350R+50.184 $$W=4.298L^{3.227}\times10^{-3}$$ Maximum total length calculated by the diagram of Walford's growth transformation, $$L_{n+1}=0.6866L_n+10.8730$$, was 346.9mm. Growth curve of the fish can be expressed by the following von Bertalanffy's equation : $$L_t=346.9(1-e^{-0.376(t+0.609)})$$

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.4
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• pp.373-378
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• 2000

There was a great difference in the formation kinetics of $TiO_2$ and $Bi_2O_3$ on silicon, but the growth of bismuth titanate (BIT) thin film was mainly limited by the formation of $TiO_2$. As a result, the BIT film was easy to be lack of bismuth. The pulse injection metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process was introduced in order to overcome this problem by recovering the insufficient bismuth content in the film. By this pulse injection method, bismuth content was increased and also the uniform in-depth composition of the film was attained with a abrupt $Bi_4Ti_3O_{12}/Si$ interface. In addition, the crystallinity of $Bi_4Ti_3O_{12}$ thin film prepared by pulse injection process was greatly improved and the leakage current density was lowered by 1/2~1/3 of magnitude. Clockwise hysteresis of C-V was observed and the ferroelectric switching was confirmed for $Bi_4Ti_3O_{12}$ film deposited by pulse injection method.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.9 no.1
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• pp.53-63
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• 1998

The Cd1-xZnxS thin films were grown on the Si(100) wafers by a hot wall epitaxy method (HWE). the source and substrate temperature are 600℃ and 440℃, respectively. The crystalline structure of epilayers was investigated by double crystal X-ray diffraction (DCXD). Hall effect on the sample was measured by the van der Pauw method and the carrier density and mobility dependence of Hall characteristics on temperature was also studied. In order to explore the applicability as a photoconductive cell, we measured the sensitivity (γ), the ratio of photocurrent to darkcurrent (pc/dc), maximum allowable power dissipation (MAPD), spectral response and response time. The results indicated that the best photoconductive characteristic were observed in the Cd0.53Zn0.47S samples annealed in Cu vapor comparing with in Cd, Se, air and vacuum vapour. Then we obtained the sensitivity of 0.99, the value of pc/dc of 1.65 × 107, the MAPD of 338mW, and the rise and decay time of 9.7 ms and 9.3 ms, respectively.

• The KIPS Transactions:PartD
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• v.8D no.6
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• pp.835-842
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• 2001

We propose a software-reliability growth model incoporating the amount of testing effort expended during the software testing phase. The time-dependent behavior of testing effort expenditures is described by a Weibull curve. Assuming that the error detection rate to the amount of testing effort spent during the testing phase is proportional to the current error content, a software-reliability growth model is formulated by a nonhomogeneous Poisson process. Using this model the method of data analysis for software reliability measurement is developed. After defining a software reliability, we discuss the relations between testing time and reliability and between duration following failure fixing and reliability are studied in this paper. The release time making the testing cost to be minimum is determined through studying the cost for each condition. Also, the release time is determined depending on the conditions of the specified reliability. The optimum release time is determined by simultaneously studying optimum release time issue that determines both the cost related time and the specified reliability related time.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2022.05a
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• pp.230-230
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• 2022

최근 기후변화로 인해 예측이 어려운 국지성 호우가 빈번하게 발생하고 있다. 국지성 호우는 대량의 홍수를 일으켜 유송잡물을 동반한 흐름을 야기할 수 있다. 대량의 유송잡물이 하상에 퇴적되면 통수능을 저하시키기도 하며 식생효과와 마찬가지로 유목주변으로 유속이 증가하면서 세굴현상이 발생하게 되는데, 이는 하상저하를 일으키며 수공구조물의 안정성에 지속적으로 피해를 줄 수 있다. 기후변화는 또한 강우패턴을 변화시켜 식생의 성장과 활착에도 영향을 미치게 된다. 본 연구지역인 내성천 회룡포의 경우, 2015년 대가뭄 발생 이후 식생활착으로 인해 식생대 면적이 증가하고 잇는 상황이다. 이는 연구지역의 흐름과 사주교란 및 하상변동에도 큰 영향을 미칠 것으로 판단되며, 특히 식생의 증가는 유송잡물의 증가를 야기 할 수 있기 때문에 식생과 유송잡물의 영향이 하천에 미치는 영향을 예측하는 연구가 필요할 것으로 판단된다. 따라서 본 연구에서는 2차원 흐름모형인 Nays2D와 입자법기반의 유목동역학 모형을 활용하여 식생과 유송잡물이 하상변동에 미치는영향에 대한 수치실험을 수행하고 결과를 분석하였다. 여기서, 식생의 경우, 식생성장모형을 적용하여 시간에 따라 식생이 성장하여 항력이 증가하는 것으로 가정하였으며 유송잡물의 경우, 하상에 퇴적되는 유송잡물의 개수와 면적만큼 항력이 증가하는 것으로 가정하였다. 흐름의 경계 조건은 일반화된 부정류 수문곡선을 입력하였으며 초기 하도의 형상은 일정한 경사를 가지는 평지로 가정하여 부정류에 따라 하상변동이 발생하는 것으로 모의하였다. 시뮬레이션 결과, 유송잡물보다 식생대 번성이 하상변동에 상대적으로 큰 영향을 주는 것으로 나타났으며, 유송잡물의 경우 국부적으로 퇴적 분포되어 그 주변으로 침식을 일으키는 것으로 나타났다. 또한 유송잡물은 하안의 얕은수역에서 주로 퇴적되었다. 본 연구는 만곡부 하상변동에 대해 식생과 유송잡물을 고려하여 예측모의를 수행한 사례로서, 식생과 유송잡물이 흐름과 하상변동에 미치는 영향을 이해하는데 도움이 될 것으로 판단된다. 또한 이는 추후에 식생을 고려하는 하천관리방안을 수립 시, 식생과 유송잡물의 영향을 물리적으로 설명할 수 있는 근거자료로 제시할 수 있을 것으로 보인다.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2021.06a
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• pp.101-101
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• 2021

본 연구에서는 금강 유역(9,645.5 km²)을 대상으로 SWAT(Soil and Water Assessment Tool)을 이용하여 장기간 지하수 양수와 산림 성장이 수문에 미치는 영향을 평가하였다. 1976년부터 2015년까지 40년의 지하수 이용량(GU)과 산림 성장(FG) 자료를 10년 단위(1980s; 1976~1985, 1990s; 1986~1995, 2000s; 1996~2005, 2010s; 2006~2015)로 구축하고, SWAT 입력자료와 증발산량 매개변수로 사용하여 연대별 지하수 양수와 산림 생장을 반영하였다. 금강 유역 내 위치한 2개의 다목적댐과 3개의 다기능 보에서 관측된 일별 유량으로 2006년부터 2015까지 10년을 검·보정하여 모델의 적용성을 검증하였다. 5지점에 대한 검보정 결과, NSE는 0.76에서 0.79, R²는 0.78에서 0.81, RMSE는 0.55 mm/day에서 1.96 mm/day, PBIAS는 -5.48%에서 8.56%로 통계적으로 유의한 수준으로 분석되었다. 적용성을 검증한 SWAT에 각 연대에 맞는 GU와 FG 정보를 입력하여 수문을 모의하였으며, 두 요인이 물순환에 미치는 영향을 평가하기 위하여 기상조건은 2010s로 고정하였다. 모의결과, GU와 FG 변화가 주는 영향으로 유역 출구의 총유출량은 7.8%(60.7 mm/year) 감소하였으며, 1980s과 2010s에서 각각 775.0 mm/year, 714.3 mm/year의 값을 보였다. 물순환 분석 결과, 지표유출, 중간유출, 기저유출, 침투량, 토양수분은 감소하는 경향을 보였고, 증발산량과 지하수 충전량(GWR)은 증가하는 경향을 보였다. GU의 증가로 인한 지하수위의 지속적인 감소가 GWR이 증가하는 원인으로 판단하였으며, 강우 기간에 포장용수량 이상의 토양수가 빠르게 흘러 지하수 충전량을 증가시켰다고 추론하였다. 또한, 유황 곡선을 분석한 결과, 유량이 지하수 양수와 산림 생장에 영향을 받은 지역에서 시간 흐름에 따라 감소하였고, 저유량 구간에서 상대적으로 많이 감소하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.13 no.3
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• pp.215-222
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• 2002

Using an in-situ ellipsometer, we monitored the growth curve of optical recording media in real time. For confirmation of the thickness control using in-situ ellipsometry, we analyzed the deposited multi-layer sample made of Ge-Sb-Te alloy film and ZnS-Si0$_2$ dielectric films using an exsitu spectroscopic ellipsometer. The target material in the first sputtering gun is ZnS-SiO$_2$ as the protecting dielectric layer and that in the second gun is Ge$_2$sb$_2$Te$_{5}$ as the receding layer. While depositing ZnS-SiO$_2$, Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ and ZnS-SiO$_2$ films on c-Si substrate in sequence, we measured Ψ $\Delta$ in real time. Utilizing the complex refractive indices of Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ and ZnS-SiO$_2$ obtained from the analysis of spectroscopic ellipsometry data, the evolution of ellipsometric constants Ψ, $\Delta$ with thickness is calculated. By comparing the calculated evolution curve of ellipsometric constants with the measured one, and by analyzing the effect of density variation of the Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ recording layer on ellipsometric constants with thickness, we precisely monitored the growth rate of the Ge-Sb-Te multilayer and controlled the growth process. The deviation of the real thicknesses of Ge-Sb-Te multilayer obtained under the strict monitoring is post confirmed to be less than 1.5% from the target structure of ZnS-SiO$_2$(1400 $\AA$)IGST(200 $\AA$)$\mid$ZnS-SiO$_2$(200$\AA$).(200$\AA$).

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.2
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• pp.211-220
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• 1998

The stochiometric composition of $AgGaS_2$polycrystal source materials for the single crystal thin films were prepared from horizontal furnace. From the extrapolation method of X-ray diffraction patterns, it was found that the polycrystal $AgGaS_2$has tetragonal structure of which lattice constant $a_0\;and \;c_0$ were 5.756 $\AA$ and 10.305 $\AA$, respectively. $AgGaS_2$single crystal thin film was deposited on throughly etched GaAs(100) substrate from mixed crystal $AgGaS_2$by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $590^{\circ}C$ and $440^{\circ}C$ respectively, and the growth rate of the single crystal thin films was about 0.5 $mu \textrm{m}$/h. The crystallinity of the grown single crystal thin films was investigated by the DCRC (double crystal X-ray diffraction rocking curve). The optical energy gaps were found to be 2.61 eV for $AgGaS_2$single crystal thin films at room temperature. The temperature dependence of the photocurrent peak energy is well explained by the Varshni equation, then the constants in the Varshni equation are given by${\Alpha};=;8.695{\times}10^{-4};eV/K,and;{\beta};=;332;K$. from the photocurrent spectra by illumination of polarized light of the $AgGaS_2$single crystal thin film, we have found that crystal field splitting $\Delta$Cr was 0.28 eV at 20 K. From the PL spectra at 20 K, the peaks corresponding to free and bound excitons and a broad emission band due to D-A pairs are identified. The binding energy of the free excitons are determined to be 0.2676 eV and 0.2430 eV and the dissociation energy of the bound excitons to be 0.4695 eV.

• Journal of Food Hygiene and Safety
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• v.28 no.2
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• pp.168-173
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• 2013

This study was carried out to develop and validate predictive models of E. coli O157:H7 growth. Growth data of E. coli O157:H7 in Paprika were collected at 12, 24, 30 and $36^{\circ}C$. The population increased into 3.0 to 3.8 log10 CFU/g within 4 days, then continued to increase at a slower rate through 10 days of storage at $12^{\circ}C$. The lag time (LT) and maximum specific growth rate (SGR) obtained from each primary model was then modeled as a function of temperature using Davey and square root equations, respectively. For interpolation of performance evaluation, growth data for a mixture of E. coli O157:H7 were collected at time intervals in paprika incubated at the different temperatures, which was not used in model development. Results of model performance for interpolation data demonstrated that induced secondary models showed acceptable goodness of fit. Relative errors in the LT and SGR model for interpolation data (18 and $27^{\circ}C$) was 100%, which show acceptable goodness of fit and validated for interpolation. The primary and secondary models developed in this study can be used to establish tertiary models to quantify the effects of temperature on the growth of E. coli O157:H7 in paprika.