Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)
- 2011.10a
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- Pages.41.1-41.1
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- 2011
n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 전기.광학적 특성
- Kim, Jun ;
- Song, Chang-Ho ;
- Sin, Dong-Hwi ;
- Jo, Yeong-Beom ;
- Bae, Nam-Ho ;
- Byeon, Chang-Seop ;
-
Kim, Seon-Tae
- 김준 (한밭대학교 신소재공학부, 정보전자부품소재연구소) ;
- 송창호 (한밭대학교 신소재공학부, 정보전자부품소재연구소) ;
- 신동휘 (한밭대학교 신소재공학부, 정보전자부품소재연구소) ;
- 조영범 (한밭대학교 신소재공학부, 정보전자부품소재연구소) ;
- 배남호 (한밭대학교 신소재공학부, 정보전자부품소재연구소) ;
- 변창섭 (한밭대학교 신소재공학부, 정보전자부품소재연구소) ;
-
김선태
(한밭대학교 신소재공학부, 정보전자부품소재연구소)
- Published : 2011.10.27
Abstract
본 연구에서는 MOCVD법으로 사파이어 기판위에 u-GaN를 성장한 후 Mg을 도핑시켜 p-GaN를 성장하고, RF 스퍼터를 이용하여 n-ZnO를 도포하여 n-ZnO/p-GaN 이종접합을 형성한 후 진공증착기를 이용하여 Au/Ni를 증착시켜 발광다이오드(LED)를 제작하고 전기 광학적 특성을 조사하였다. 두께가 500 nm인 u-GaN 위에 성장된 p-GaN의 운반자 농도는