• Title/Summary/Keyword: 성장온도

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Isolation of Conditional Lethal Temperature-sensitive Mutants of Bacillus sphaericus (Bacillus sphaericus의 치사감온성 돌연변이체의 분리)

  • Kim, Young Han;Lee, Hyung Hoan
    • Microbiology and Biotechnology Letters
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    • v.13 no.1
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    • pp.41-49
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    • 1985
  • Bacillus sphaericus was mutagenized with UV light irradiation and dimethyl sulfate. Thirty-five conditional lethal temperature-sensitive(ts) mutants were isolated at the nonpermissive temperature of $42^{\circ}C$ and classified into three groups by their growth characteristics on the nutrient broth, peptone glucose yeast extract agar and mineral salts agar. First was the lethal ts group, 24 mutants, which did not grow at the nonpermissive temperature, the second, 9 mutants, was the less growth is group whose growth was restricted to one-half, and the third, 2 mutants, was the cold lethal ts group whose growth was restricted at the permissive temperature($25^{\circ}C$and $30^{\circ}C$)

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A study on the SiC single crystal growth conditions by the resistance heating method (저항가열 방식에 의한 SiC 단결정 성장 조건에 관한 연구)

  • Kang, Seung-Min
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.26 no.2
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    • pp.53-57
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    • 2016
  • 6H-SiC single crystals were grown by using a resistance heating system. It was recognized that the growth behavior was different according to the different growth temperatures. It was revealed that the temperatures at the source feeding and at the crystal growth position had to be controlled independently. In this report, the effect of growth temperature on the SiC crystal growth was discussed.

Characterization of Zn Doping in AIGaInP Epitaxy Layer Grown by MOCVD (유기금속 화학증착법을 사용한 AIGAInP층의 Zn 도우핑 농도의 특성)

  • Yun, Gi-Hyeon;Kim, Nam-Heon
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.6 no.9
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    • pp.950-958
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    • 1996
  • 저압 유기금속 화학증착법을 사용하여 AIGaInP층의 diethylzinc의 III족 원소(AO, Ga, In)에 대한 비와 성장온도 변화에 따른 Zn(acceptor)의 첨가 농도특성을 연구하였다. Diethylzinc의 III족 원소(AI, Ga, In)비를 0.4에서 2.0까지 변화시켜 본 결과 0.85일 때 가장 높은 acceptor 농도를 가졌으며, 성장온도를 69$0^{\circ}C$에서 80$0^{\circ}C$까지 변화시킨 결과 성장온도에 대한 변화는 69$0^{\circ}C$-73$0^{\circ}C$일 때 온도가 증가함에 따라 acceptor농도는 커졌으며, 그 이상에서는 감소하였다. 또한, 성장속도가 빠를수록 높은 acceptor 농도를 가지게 되어 3.3$\mu\textrm{m}$/hr의 성장속도일 때 8x1017/㎤의 가장 높은 acceptor 농도를 얻을수 있다.

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수열합성법으로서 제조한 ZnO 나노와이어의 성장온도에 따른 특성 분석

  • Kim, Ju-Hyeon;Lee, Mu-Seong;Kim, Ji-Hyeon;Gang, Hyeon-Cheol
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.292.1-292.1
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    • 2013
  • ZnO, Ga2O3, In2O3 등 산화물 반도체는 최근 디스플레이, 태양전지 등 전자산업에서 중요한 소재로 전 세계적으로 많이 연구되고 있다. 그 중에서도 ZnO는 나노와이어, 나노점 등 나노구조체 형태로 제조가 가능해 짐에 따라 센서 등의 반도체 소자로의 응용가능성이 매우 큰 것으로 알려져 있다. ZnO 나노와이어는 chemical vapor deposition법을 이용하여 $800^{\circ}C$이상의 고온에서 제조 가능하다고 알려져 있다. 또한 저온 증착법으로 수열합성법이 있는데, 이때에는 사용되는 화학물질, 성장온도 등 제조 조건에 따라 특성이 크게 달라진다. 본 연구에서는 수열합성법으로 제조한 ZnO 나노와이어의 성장온도에 따른 물성을 분석하였다. 특히 ZnO 나노와이어의 지름 및 길이 변화가 두드러지게 나타났다. 성장온도 변화에 따라 나노와이어의 지름이 30 nm부터 100 nm까지 변화하였으며, 이에 따른 광학적 특성 또한 변하였다. XRD, SEM, PL, Raman 분광법으로 측정한 결과를 발표할 예정이다.

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증착조건 변화에 따른 화학증착 알루미나 휘스커의 성장 및 특성변화

  • Kim, Jun-Gyu;Kim, Hyo-Jun;Choe, Du-Jin
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.66-66
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    • 2010
  • 알루미나는 높은 온도에서 열적으로 안정되고 경도가 높으며 내화학, 내마모 특성이 우수하며 또한 강도대비 비중이 낮아 무게를 줄일 수 있다는 장점을 가지고 있다. 이러한 특성으로 인하여 우주항공, 국방, 원자력등 극한의 온도를 견뎌야 하는 고도의 신뢰성이 요구되는 고온구 조물로서 응용이 되고 있다. 특히 알루미나를 휘스커 형태로 만들어 세라믹 복합체에 결합 할 경우 복합체의 기지 내에서 강화재의 역할을 함으로써 취성 파괴를 억제하고 열 전도율 저하등의 이점을 가져올 수 있다. 그리하여 본 연구에서는 알루미나 휘스커를 성장을 위하여 Al-triisoproxide계를 이용하여 화학기상증착법으로 가장 안정된 열적 특성을 가지고 온도의 변화에 따라 상 변화가 일어 나지 않는 알파 알루미나 상을 가지는 알루미나 휘스커를 성장시키기 위한 연구를 하였다. 또한 증착 온도, 압력, 입력기체비등 증착 조건을 변화시켜가면서 알파 알루미나 휘스커의 성장 거동을 살펴 보았다. 증착 조건 변화에 따라 알파 알루미나는 막이 증착되는 부분과 휘스커가 성장되는 부분이 있으며 휘스커의 밀집도와 길이방향, 직경방향 성장등 여러 가지 성장 특성을 달리하였다. 이러한 결과를 바탕으로 증착조건에 따른 알파 알루미나 휘스커 성장영역을 도식화하였다.

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성장 온도에 따른 InP/GaP SPS 구조의 광학적 특성

  • Byeon, Hye-Ryeong;Ryu, Mi-Lee;Song, Jin-Dong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.229.1-229.1
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    • 2013
  • 초격자는 동종의 III-V 삼원 합금층을 성장하는 동안 스피노달 분해(spinodal decomposition)로 인한 원자배열(atomic ordering)과 상분리phase separation)에 의해서 발생하는데 MBE (molecular beam epitaxy)과 MOVPE (metalorganic vapor phase epitaxy)를 이용하여 성장시킬 때 주로 발생한다. 본 논문에서는 성장온도에 따른 InP/GaP SPS (short-period superlattices) 구조의 광학적 특성 변화를 시료의 온도와 여기광의 세기를 이용하여 분석하였다. 시료는 MBE 장비를 이용하여 성장하였으며, SPS층은 659쌍의 GaP(2.9 ${\AA}$)과 InP(3.1 ${\AA}$)로 이루어져 있고, GaP 층을 처음에 증착한 뒤, InP 층을 증착 하였다. 성장시 온도를 $400^{\circ}C$, $425^{\circ}C$, $460^{\circ}C$ 그리고 $490^{\circ}C$로 변화를 주어 성장하였다. 이들 시료를 GT400, GT425, GT460 그리고 GT490이라 하였고 이에 대한 광학적 특성을 PL (photoluminescence)를 이용하여 분석하였다. 10 K에서 PL 피크는 GT400 시료는 634 nm, GT425 시료는 636 nm, GT460 시료는 680nm, 그리고 GT490 시료는 692 nm에서 나타났으며, GT425 시료의 PL 세기가 가장 강하게 나타나고 GT400 시료의 PL 세기가 가장 약하게 나타났다. 그러나 260 K에서 PL 세기는 GT460 시료가 가장 강하게 나타나고 GT425 시료가 가장 약하게 나타났다. 성장온도가 증가함에 따라 밴드갭이 감소하는 것은 특정 성장온도($460^{\circ}C$) 이상에서 LCM (lateral composition modulation)이 형성되는 것으로 설명할 수 있다. GT400 시료와 GT425 시료의 PL 피크가 1.94 eV와 1.95 eV로 비슷하고, GT460 시료와 GT490 시료의 PL 피크가 1.82 eV과 1.79 eV로 비슷하게 나타난 것은 $460^{\circ}C$이상에서 성장한 시료에서 LCM 구조 형성으로 설명할 수 있다.

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Effects of growth temperatures on properties of InAlAs epilayers grown on InP substrate by molecular beam epitaxy (MBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과)

  • 우용득;김문덕
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.12 no.4
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    • pp.251-256
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    • 2003
  • Indium aluminum arsenide(InAlAs) was grown by molecular beam epitaxy on (001) indium phosphide (InP) substrate and the effects of growth temperature on the properties of epitaxial layers were studied. In the temperature range of 370-$400 ^{\circ}C$, we observed that the surface morphology, optical quality and structural quality of InAlAs epilayers were improved as growth temperature increased. However, the InAlAs epilavers grown at $430 ^{\circ}C$ have the bad surface morphology and show the same trends as structural and epical quality. As a result of these measurements, it is suggested that the InAlAs epilayers of very good properties can be grown at $400 ^{\circ}C$.

GaAs/AlGaAs 양자점구조에서 표면전기장에 관한연구

  • Kim, Jong-Su;Jo, Hyeon-Jun;Kim, Jeong-Hwa;Bae, In-Ho;Kim, Jin-Su;Kim, Jun-O;No, Sam-Gyu;Lee, Sang-Jun;Im, Jae-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.158-158
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    • 2010
  • 본 연구에서는 분자선 박막성장 장비를 (MBE) 이용하여 droplet epitaxy 방법으로 성장시킨 GaAs/AlGaAs 양자점구조의 표면전기장변화에 관하여 photoreflectance spectroscopy (PR)를 이용하였다. 본 실험에 사용된 GaAs/AlGaAs 양자점 구조는 undoped-GaAs (001) 기판을 위에 성장온도 $580^{\circ}C$에서 GaAs buffer layer를 100 nm 성장 후 장벽층으로 AlGaAs을 100 nm 성장하였다. AlGaAs 장벽층을 성장한 후 기판온도를 $300^{\circ}C$로 설정하여 Ga을 3.75 원자층를 (ML) 조사하여 Ga drop을 형성하였다. Ga drop을 GaAs 나노구조로 결정화시키기 위하여 $As_4$를 beam equivalent pressure (BEP) 기준으로 $1{\times}10^{-4}$ Torr로 기판온도 $150^{\circ}C$에서 조사하였다. 결정화 직후 RHEED로 육각구조의 회절 페턴을 관측하여 결정화를 확인하였다. GaAs 나노 구조를 성장한 후 AlGaAs 장벽층을 성장하기위해 10 nm AlGaAs layer는 MEE 방법을 이용하여 $150^{\circ}C$에서 저온 성장 하였으며, 저온성장 후 기판온도를 $580^{\circ}C$로 설정하여 80 nm의 AlGaAs 층을 성장하고 최종적으로 GaAs 10 nm를 capping layer로 성장하였다. 저온성장 과정에서의 결정성의 저하를 보상하기위하여 MBE 챔버내에서 $650^{\circ}C$에서 열처리를 수행하였다. GaAs/AlGaAs 양자점의 광학적 특성은 photoluminescence를 이용하여 평가 하였으며 780 nm 근처에서 발광을 보여 주었다. 특히 PR 실험으로부터 시료의 전기장에 의한 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 변화를 관측하여 GaAs/AlGaAs 양자점의 존재에 의한 시료의 표면에 형성되는 표면전기장을 측정하였다. 또한 시료에 형성된 전기장의 세기를 계산하기위해 PR 신호로부터 fast Fourier transformation (FFT)을 이용하였다. 특히 온도의 존성실험을 통하여 표면전기장의 변화를 관측 하였으며 양자구속효과와 관련성에 대하여 고찰 하였다.

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Catalyst-free 유기 금속 화학 증착법을 이용한 InN 나노구조의 성장

  • Kim, Min-Hwa;Lee, Cheol-Ho;Jeong, Geon-Uk;Mun, Dae-Yeong;Jeon, Jong-Myeong;Kim, Mi-Yeong;Park, Jin-Seop;Lee, Gyu-Cheol;Yun, Ui-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.264-265
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    • 2010
  • 최근, nanorod나 nanowire와 같은 1차원의 나노구조가 나노디바이스로 각광을 받고 있다. [1] 특히 InN는 3족 질화물 반도체 중 가장 작은 밴드갭 에너지와 뛰어난 수송 특성을 가지고 있어 나노디바이스로의 응용에 적합한 물질이다. [2] 그러나 InN는 큰 평형증기압을 가지므로 쉽게 인듐과 질소로 분해되는 특성이 있어 나노구조로의 성장이 쉽지 않음이 알려져 있다. [3] 최근 연구결과에 따르면, InN 나노구조는 금속 catalyst를 사용한 방법이나, 기판 위 패턴을 이용하여 성장하는 방법, 염소를 사용한 방법이 널리 쓰이고 있다. [4,5,6] 그러나 이 방법들은 의도치 않은 불순물의 원인이 되거나 다른 추가적인 과정을 필요로 한다는 문제점도 일부 가지고 있다. 본 연구에서는 catalyst-free 유기 금속 화학 증착법 (MOCVD)를 이용하여 $Al_2O_3$ (0001)면 위에 InN nanostructure를 성장하였다. InN nanostructure 성장 시 트리메틸인듐(TMIn)과 암모니아($NH_3$) 를 전구체로 사용하였으며, 캐리어 가스로는 질소를 사용하였다. 또한 모든 샘플의 성장시간은 60분으로 고정하였으나, 성장 시 온도의 의존성을 보기 위해 $680-710^{\circ}C$ 의 온도범위에서 성장을 진행하였다. 그 결과 InN는 본 실험에서 적용된 성장온도범위 내에서 온도가 증가함에 따라 초기에는 columnar구조로 성장된 박막의 형태에서 wall이 배열된 형태로 변화하며 결국 $710^{\circ}C$ 의 온도에서 nanorod로 성장하게 된다. 성장된 InN의 나노구조는 X-선 회절 측정법, 주사 전자 현미경 그리고 투과 전자 현미경을 이용하여 각각의 구조적 특성을 분석하였다. X-선 회절 측정법과 주사 전자 현미경을 통한 분석결과에서는 이들 nanorods가 대부분 c 방향으로 수직하게 정렬되어 있음을 확인 할 수 있었다. 또한, $690^{\circ}C$ 에서 60분간 성장된 InN의 wall 구조의 두께는 200 nm, 길이는 $2-2.5\;{\mu}m$로 관찰되었으며, $710^{\circ}C$에서 60분간 성장된 InN nanorod의 지름은 150 nm, 길이는 $3\;{\mu}m$ 정도로 관찰되었다. 이를 통하여 볼 때 성장 온도가 InN의 나노구조 형성 시 표면의 모폴로지변화에 중요한 변수로 작용함을 알 수 있다. 본 발표에서는 이러한 표면 형상 및 구조 변화가 성장온도에 따른 관계성을 가짐을 InN의 분해와 성장의 경쟁적인 관계에 의해 논의할 것이다.

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The Properties of Thick GaN using HVPE with $\textrm{GaCI}_{3}$ ($\textrm{GaCI}_{3}$를 이용한 수직형 HAPE에서 GaN의 성장특성)

  • Baek, Ho-Seon;Lee, Jeong-Uk;Kim, Tae-Il;Lee, Sang-Hak
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.8 no.5
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    • pp.450-456
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    • 1998
  • 후막 GaN성장에 있어서 uniformity와 controllability를 향상시키기 위해 $GaCI_{3}$를 이용한 수직형 HVPE(Hyderide Vapor Phase Epitaxy)를 자체 제작하여 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도를 $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$까지 변화시키면서 성장된 GaN의 특성을 분석한 결과 온도가 증가할수록 표면특성과 광학적 특성은 향상되었으나 DCXRD( Double Crystal X-Ray diffractometer)의 FWHM(Full width of Half Maximum)은 온도와 무관하게 500-1000arcsec을 나타내었다. GaN의 성장이 1x1cm의 시편에 걸쳐 균일하게 이루어 졌으며, 또한 반응기 내부의 기하학적 특성이 시편의 표면특성과 성장속도에 많은 영향을 끼침을 알 수 있었다. 성장속도는 $GaCI_{3}$의 유량에 비례하였으나, $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$로 온도를 증가조건하에서 최대 28$\mu\textrm{m}$/hr의 GaN성장을 얻을 수 있었다.

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