• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.158-158
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• 2003

수평 전기로에서 CuGaTe2 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 CuGaTe2 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100) 위에 성장하였다. CuGaTe2 단결정 박막은 증발원과 기판의 온도를 각각 67$0^{\circ}C$, 41$0^{\circ}C$로 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성이 10K에서 측정한 광발광 스펙트럼은 954.5nm (1.2989eV) 근처에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 139arcsec로 가장 작게 측정되어 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Paw방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 8.72$\times$$10^{23}$개/㎥, 3.42$\times$$10^{-2}$$m^2$/V.s였다. 상온에서 CuGaTe2 단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 1.22 eV였다 Band edge에 해당하는 광전도도peak의 온도 의존성은 Varshni 관계식으로 설명되었으며, Varshni 관계식의 상수값은 Eg(0) = 1.3982 eV, $\alpha$= 4.27$\times$$10^{-4}$ eV/K, $\beta$= 265.5 K로 주어졌다. CuGaTe2 단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 10K에서 측정된 $\Delta$cr (crystal Field splitting)은 0.0791eV, $\Delta$s.o (spin orbit coupling)는 0.2463eV였다. 10K에서 광발광 봉우리의 919.8nm (1.3479eV)는 free exciton(Ex), 954.5nm (1.2989eV)는 donor-bound exciton 인 I2(DO,X)와 959.5nm (1.2921eV)는 acceptor-bound exciton 인 I1(AO,X) 이고, 964.6nm(1.2853eV)는 donor-acceptor pair(DAP) 발광, 1341.9nm (0.9239eV)는 self activated(SA)에 기인하는 광발광 봉우리로 고찰되었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제17권7호
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• pp.63-76
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• 2016

R&D 연구 투자의 문제점의 하나는 불확실성이 크다는 점이다. 이러한 불확실성이 기업에는 많은 부담을 주는 요인이 될 수 있다. 이러한 면에서 R&D 투자가 기업 가치에 양(+)의 영향을 미치기까지의 시간을 측정할 수 있는 연구의 필요성이 있다고 보여진다. 본 연구는 GMM-PVAR(Panel Vector Autoregression) IRF(Impulse Response function)를 사용하여 1900년부터 2015년까지 한국거래소의 코스피와 코스닥시장에 상장된 기업을 대상으로 R&D 투자가 기업가치에 양(+)의 영향을 미치기까지 걸리는 시간을 측정 하였다. 또한 기업의 재무적 특성 변수 중 기업의 크기, 성장 가능성, 그리고 산업 집중율이 R&D 투자가 기업가치에 양(+) 영향을 미치기까지 걸리는 시간을 단축시킨다는 점을 발견하였다. 그것은 이들 재무적 특성변수 들이 R&D 투자와 기업가치간의 관계에 긍정적인 영향을 미칠수록 즉 경쟁이 심화될수록 크기가 클수록 시간이 단축되며 작은 기업의 경우는 성장 가능성이 높을수록 시간이 단축되는 경향을 보였다. 흥미 있는 점은 큰 기업들의 경우에는 성장가능성이 낮은 기업들이 성장가능성이 높은 기업들보다 더 큰 양의 결과를 보였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권6호
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• pp.246-251
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• 2014

최근 태양전지의 효율을 증가시키기 위한 연구가 많이 이루어지고 있으며, 특히 단결정 실리콘 웨이퍼의 경우 높은 효율을 낼 수 있는 소재로써 고효율 태양전지연구에 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 단결정으로 Czochralski(Cz)-Si 성장 시 산소농도를 다르게 하여 산소석출결함의 변화와 그에 따른 셀효율과의 관계를 비교하였다. 산소불순물은 Cz법으로 성장시킨 실리콘의 주된 불순물이다. 산소불순물 존재 시 태양전지 공정에서 산소석출결함이 생성되며 발생된 산소석출결함은 셀효율에 악영향을 미치게 된다. 그러므로 고효율 태양전지를 위한 웨이퍼를 생산하기 위한 산소석출결함 밀도와 셀효율의 상관성을 연구하였다. 또한 산소농도에 따른 산소석출결함을 분석하여 산소석출결함이 발생되지 않는 잉곳 내 산소농도 범위를 연구하여 14.5 ppma 이하에서 Bulk Micro Defect(BMD)가 발생하지 않음을 확인하였다.

• 한국균학회지
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• 제23권2호통권73호
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• pp.105-113
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• 1995

한국교원대학교 주변의 아카시아림 및 상수리나무와 아카시아의 혼합림에서 민자주방망이버섯(L. nuda)을 채집하여 균사를 순수분리하였다. 분리된 균사와 농진청 균이과에서 분양 받은 균사를 시료로 수종의 기질에 따른 균사의 성장을 나무 건중량과 탄산가스 발생량으로 측정하였다. 이 결과 아카시아, 뽕나무, 느티나무 순으로 균사의 성장을 나타냈다. 아카시나무 톱밥, 조 및 옥수수를 이용한 고형발효를 한 결과 균사의 성장에 관련된 성장곡선은 그렸으나, 자실형성을 하지 못하였다. 그러나, 앞으로 유망한 식용버섯으로 다른 수종의 나무에 자라는 균사를 얻었으며, 자실체 형성을 위하여서는 많은 연구가 필요하다.

• 분석과학
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• 제5권3호
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• pp.327-332
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• 1992

Mn-Zn 페라이트 단결정 성장시 일반적인 Bridgman법에서 조성변동 문제가 발생한다. 상평형도를 이용하여 원료 조성을 A, B로 분리하여 조성 B 원료를 단결정 성장 속도와 동일하게 투입함으로써 조성변동 문제를 해결하였다. 실험변수를 바탕으로 A조성을 52 mol% $Fe_2O_3$, 30 mol% MnO, 18 mol% ZnO로 선정하였고, 원하는 단결정 조성인 B 조성을 53 mol% $Fe_2O_3$, 28.5 mol% MnO, 18.5 mol% ZnO로 선정하여 직경 60mm, 길이 300mm 단결정을 성장시켰다. 성장된 단결정은 조성 B 원료 정제가 투입된 30~270mm 부위에서 조성 변도 없이 균일하게 B 조성과 비슷한 조성을 가졌으며, 이에 따라 주파수 5 MHz에서의 투자율값도 균일하게 600 근처로 높게 나타났다.

• 디지털융복합연구
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• 제14권8호
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• pp.203-209
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• 2016

스마트폰 이용 확대로 광고 매체시장이 큰 변화를 겪고 있다. 본 연구의 목적은 모바일광고의 부상이 가져 올 광고시장의 변화를 시나리오플래닝 기법으로 예측하는 것이다. 타켓팅 기술, 개인정보 규제, 광고회피 극복을 모바일광고 성장에 크게 영향을 주는 불확실 변수로 보고 전문가 인터뷰를 통해 5년 후 광고시장을 시나리오로 구성했다. 모바일광고가 유선인터넷 광고를 능가하는지 여부와 유무선 인터넷광고가 4대 매체 광고를 추가 잠식할지 여부 두 가지 경우를 $2{\times}2$ 매트리스로 조합하여, 모바일광고가 유선인터넷 광고는 물론 4대 매체를 추가로 잠식하는 경우, 유선인터넷 광고를 보조하는 수준에서만 성장하는 경우, 유선인터넷을 잠식하는 수준에서만 성장하는 경우, 마지막으로 유선인터넷 광고와 동반 퇴보하는 경우를 불확실 변수 전개에 따라 기술했다. 전문가들은 모바일이 광고 매체시장을 평정하는 상황을 가장 유력하게 보고 있다. 하지만 타켓팅 기술, 광고회피 극복, 개인정보 활용 범위 등 불확실 변수가 어떻게 진행되느냐에 따라 충분히 다른 시나리오도 가능하다. 앞으로 기술 변수를 사회경제적인 변수와 결합하고 기술을 좀 더 세분화시켜야 하는 과제를 안고 있다.

• 한국진공학회지
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• 제19권4호
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• pp.287-292
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• 2010

산소 유량비 변화에 따른 라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장된 AlN 박막의 구조, 표면 및 광학적 특성을 조사하였다. AlN 박막은 기판 온도 $300^{\circ}C$에서 성장되었으며, 반응성 가스로 질소와 산소 가스를 사용하였다. 산소 유량비는 공급되는 질소와 산소 혼합 가스양에 대한 산소의 유량비로 선택하여 0%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%로 제어하였다. 성장된 AlN 박막의 구조, 표면과 광학적 특성은 각각 X-선 회절장치, 전자주사현미경과 자외선-가시광 분광기를 사용하여 조사하였다. 산소 유량비 10%로 증착된 AlN 박막은 350~1,100 nm 파장 영역에서 평균 91.3%의 투과율과 4.30 eV의 광학 밴드갭 에너지를 나타내었다. 실험 결과는 산소 유량비를 변화시킴으로써 AlN 박막을 선택적으로 성장시킬 수 있음을 제시한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.213-213
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• 2013

화합물 반도체 양자점(Quantum dots; QDs)은 높은 효율의 광전자 소자에 적용할 수 있기 때문에 이분야에 대한 연구가 활발히 진행되고 있지만 주로 III-V 족 화합물 반도체에 대한 연구가 주를 이룬 반면 II-VI 족 화합물 반도체에 대한 연구는 아직 미흡하다. 하지만 II-VI 족 화합물 반도체는 III-V 족 화합물 반도체와 비교했을 때 더 큰 엑시톤 결합에너지(exciton binding energy)를 가지는 우수한 특성을 보이고 있으며 이러한 성질을 가지는 II-VI 족 화합물 반도체 중에서도 넓은 에너지 갭을 가지는 $Cd_xZn_{1-x}Te$ 양자점은 녹색 영역대의 광전자 소자로서 활용되고 있다. 현재 대부분의 $Cd_xZn_{1-x}Te$ 양자점 구조는 기판과 완충층 (buffer layer) 사이의 작은 격자 부정합(lattice mismatch) 때문에 GaAs 기판을 이룬 반면 Si기판을 이용한 연구는 미흡하다. 하지만 Si 기판은 GaAs 기판에 비해 값이 싸고, 여러 분야에 응용이 가능하며 대량생산이 가능하다는 이점을 가지고 있어 초고속, 초고효율 반도체 광전소자의 제작을 가능케 할 것으로 기대된다. 또한 양자점의 고효율 광전소자에 응용을 위해서는 Si 기판 위에 양자점의 크기를 효율적으로 조절하는 연구 뿐 아니라 양자점의 크기에 따른 운반자 동역학에 대한 연구도 중요하다. 본 연구에선 분자선 에피 성장법(Molecular Beam Epitaxy; MBE)을 이용하여 Si 기판위에 성장한 $Cd_xZn_{1-x}Te/ZnTe$ 양자점의 크기에 따른 광학적 특성을 연구하였다. 저온 광 루미네센스 (PhotoLuminescence; PL) 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 더 낮은 에너지영역으로 피크가 이동하는 것을 확인하였다. 그리고 시분해 광루미네센스 측정 결과 $Cd_xZn_{1-x}Te/ZnTe$ 양자점의 크기가 증가함에 따라 소멸 시간이 긴 값을 갖는 것을 관찰 하였는데, 이는 양자점의 크기가 증가함에 따라 엑시톤 진동 세기가 감소하였기 때문이다. 또한 온도 의존 광루미네센스 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 열적 활성화 에너지가 증가하는 것을 관찰 하였는데, 이는 양자점의 운반자 구속효과가 증가하였기 때문이다. 이와 같은 결과 Si 기판 위에 성장한 $Cd_xZn_{1-x}Te/ZnTe$ 양자점의 크기에 따른 광학적 특성에 대해 이해 할 수 있었다.

• 한국가족복지학
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• 제56호
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• pp.69-104
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• 2017

본 연구는 조손가족 손자녀들의 성장과정을 환경적 맥락을 통해 심층적으로 살펴보고자 하는 것이 목적이다. 이러한 목적을 위해 두 명의 조손가족 손자녀를 대상으로 한 심층 면접, 관찰, 기록물 등의 방법을 활용하여 자료를 수집하였으며, 생애사 접근을 통해 분석하였다. 자료 분석은Mandelbaum(1973)이 제시한 삶의 영역, 전환점, 적응을 분석틀로 하였다. 연구결과, 삶의 영역은 '독특한 가족 환경', '클수록 커지는 빈곤', '애써 짓는 미소', '더 예의바르게 정직하게', '혼자가되는 것'이었다. 삶의 전환점은 '부모 없는 아이', '아픈 기억, 왕따', '대학 진학', 삶의 적응은' 의지하고 싶은 사람, 부모', '인복(人福)', '자립심과 규모 있는 경제생활', '성실함과 선천적인 쾌활함'으로 나왔다. 이러한 결과를 토대로 조손가족 손자녀의 건강한 성장을 위한 개입전략과 시사점을 제시하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제29권4호
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• pp.143-148
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• 2019

우리는 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy) 법을 사용하여 광전기화학적 물분해 수소생산용 고종횡비 GaN 기반 나노와이어를 Si 기판 위에 성공적으로 제작하였다. 주사전자현미경(SEM)과 에너지분산형 분광법(EDX)은 p-GaN:Mg 및 p-InGaN 나노와이어가 고밀도와 함께 수직으로 성장 되었음을 증명하였다. 또한, p-InGaN 나노와이어의 발광 파장을 552 nm에서 590 nm까지의 조절이 가능하다는 것을 확인하였다. 이렇게 제작된 p-InGaN 나노와이어는 태양광을 통해 외부 전위 없이 물분해가 가능한 수소생산용 광촉매로써 매우 유용하게 사용될 수 있다.