• 한국결정학회지
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• 제17권2호
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• pp.66-85
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• 2006

수열법으로 압전수정, 방해석 및 산화아연 단결정을 성장하고 각종 결함 및 성장된 단결정의 구조적, 화학적, 물리적 특성을 고찰하였다. 수열법은 직접 용융법으로 단결정을 성장할 수 없는 재료의 결정 성장에 많이 이용되며 수정의 경우, 융액의 점도가 매우 높고 유리화하는 성질이 있어 직접 용융으로 단결정을 성장할 수 없다. 방해석과 산화아연의 경우 용융하였을 때 분해되기 때문에 직접 용융법으로 단결정을 성장할 수 없어 수열법이 사용된다. 본 고찰에서는 수열법의 성장 원리와 성장 방법, 결함 검출 방법 및 물리적, 화학적 특성 측정 등을 다루었으며 또한 산업화 적용에 대하여 다루었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제26권2호
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• pp.53-57
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• 2016

저항가열 방식으로 제작된 설비를 이용하여 SiC 단결정을 성장하였다. 성장 조건에 따라 결정의 성장 양상이 달랐으며, 원료부의 온도와 결정 성장부의 온도에 따라 각각 온도 설정이 필요함을 알았다. 본 논문에서는 SiC 결정의 성장 온도에 따른 성장 결과에 대하여 고찰해 보았으며, 이에 대한 결과를 보고하고자 한다.

• 한국결정학회지
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• 제10권1호
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• pp.71-75
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• 1999

융액인상법에 의하여 Nd3+ 이온이 15 at% 주입된 LaSc3(BO3)4 단결정을 성장하였다. 최적의 결정성장 조건하에서 성장된 결정은 결정형이 잘 발달되고 보라색 투명하였다. 편광 현미경에 의한 결정결함 분석결과 성장된 결정 중심부에서 0.1 mm 크기의 기포가 검출되었고, B2O3가 증발하여 결정에 증착된 shoulder 부위에서는 균열이 발생되었으나 body에서는 결함이 검출되지 않았다. X선 회절에 의하여 cell parameter를 측정한 결과 a=7.73 , b=9.85 , c=12.05 , β=105.48o 및 공간군 C2/c의 monoclinic 구조로 분석되었다. 양질의 단결정을 성장하기 위한 결정성장 요소는 회전속도 10 rmp, 인상속도 1.5 mm/h이었다. 성장된 결정은 808 nm에서 강하고 넓은 흡수대와 1050∼1080 nm에 걸친 형광 방출대가 관찰되었다. 성장된 결정을 이용하여 직경 3 mm, 두께 1mm 크기의 micro-chip laser 소자의 제조기술을 확립하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.67-67
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• 1999

기판위에 증착되는 박막에서 박막의 초기성장을 분석하는 것은 최종적으로 성장된 박막을 더욱 효과적으로 성장시킬 수 있다는 장점이 있다. 따라서 본 연구는 두께가 수십 $\AA$ 이하인 비정질 실리콘 박막의 초기성장과정을 분석하였는데 특히, 기판과 증착조건에 따른 박막성장의 차이를 알아 보았다. 여러 종류의 기판에서 Sputtering으로 비정질 실리콘을 증착시켰고, 박막의 초기성장과정을 실시간 분광 Ellipsometer와 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 분석하였다. C-Si, gold, Chrome 기판에 대하여 같은 조건에서 증착시간을 1초부터 8초까지 달리하면서 각각의 시간대별로 박막성장의 차이를 비교분석하였다. 증착조건 및 증차시간과 기판을 서로 다르게 할 때, 비정질 실리콘 박막의 초기성장과정에서의 차이를 볼 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제4권3호
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• pp.275-282
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• 1995

III족 원료 가스로 triethylgallium(TEGa)과 trimethylindium(TMIn)을 사용하고 V족 원료 가스로 사전 열 분해하지 않은 arsine(AsH3)과 monoethylarsine(MEAs)을 사용하여 ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD)법으로 Si3N4로 패턴된 GaAs(100)기판 위에 GaAs와 InGaAsqkr막을 선택적으로 에피택시 성장을 하였다. V족 원료 가스를 사전 열 분해하지 않으므로 넓은 성장 온도 구간과 V/lll 비율에서도 선택적으로 박막이 성장되었다. 또한 선택 에피택시의 성장 메카니즘을 규명하기 위하여 다양한 filling factor(전체면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 입사된 분자 상태의 원료 기체가 탈착된 후 표면 이동이나 가스 상태의 확산과정 없이 마스크로부터 제거되므로 패턴의 크기와 모양에 따른 성장 속도의 변화나 조성의 변화가 없을 뿐만 아니라 chemical beam epitaxy(CBE)/metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE)법에서 알려진 한계 성장온도 이하에서 선택 에피택시 성장이 이루어졌다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.485-485
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• 2013

Plasma-assisted molecular beam epitaxy법으로 자가 형성되는 InN 박막을 활용하여 GaN 박막의 결함밀도를 감소시키는 성장 구조 조건에 대하여 연구하였다. Sapphire 기판 위에 저온에서 GaN 핵층을 3 nm 두께로 성장하고, 그 위에 InN 박막을 성장 한 후, 고온에서 GaN을 성장하였다. InN박막의 성장 온도는 $450^{\circ}C$이고, 성장 시간을 30초에서 1분 30초까지 각각 달리 하였다. 실험결과 InN 층이 삽입된 GaN 박막이 상대적으로 고른 표면이 형성되는 과정을 reflection high energy electron diffraction로 관측하였고, atomic force microscope를 측정하여 표면 거칠기의 개선을 확인하였다. InN 성장시간 변화에 따른 결정학적, 광학적 특성 변화를 x-ray diffraction, photoluminescence 이용하여 조사하였고, 본 연구를 통해 InN박막을 활용한 양질의 GaN 박막 성장 가능성을 확인하였다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• 제15권2호
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• pp.161-179
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• 1993

본고는 생산성(生産性)과 성장률(成長率)간의 누적적(累積的) 성장과정(成長過程)이라 불리는 Kaldor의 축약(縮約)모델을 구조(構造)모델로 확대하여 우리나라의 성장과정을 분석한다. 우리나라는 저임금(低賃金)을 통한 수출주도형(輸出主導型) 경제성장을 추구해 왔으나 87년 이후로 고임금화(高賃金化) 및 수출역할(輸出役割)의 감소(減少)라는 구조적(構造的) 위기(危機)를 겪고 있다. 과거 선진제국에서 고도성장을 가능케 하였던 "포디즘"적 성장체제는 이러한 위기(危機)를 극복하는 데 도움이 안된다. 왜냐하면 오늘날과 같이 국가간 상호의존성(相互依存性)이 크게 증대되고 국가간(國家間) 경쟁(競爭)이 심화되는 상황(globalization)하에서는 국내시장(國內市場)과 해외시장(海外市場)간의 구분 자체가 의미를 잃어가고 있으며, 이에 따라 수출(輸出)과 내수(內需)가 독립적일 수 없게 되었기 때문이다. 우리나라가 어떠한 성장양식으로 이행하든 그 방향은 세계시장에서의 경쟁력강화(競爭力强化)와 일치해야 하며, 이러한 관점에서 고성장(高成長)을 유지하기 위해서는 생산성향상(生産性向上)이 소비증대(小費增大)가 아니라 수출증대(輸出增大)로 이어지도록 해야 할 것이다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• 제16권3호
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• pp.147-178
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• 1994

우리나라 경제(經濟)는 1960년대초 이후 거의 지속적(持續的)인 고도성장(高度成長)을 이룩하여 왔다. 이와 같은 고도성장(高度成長)이 가능하였던 원인(原因)으로서는 1960년대초 이후 수출주도형(輸出主導型) 공업화정책(工業化政策)의 계속적이고 성공적인 추진을 들 수 있으며, 또한 정치적(政治的), 사회(社會) 경제적(經濟的) 여건과 요인들도 고도성장(高度成長)에 기여(寄與)했을 것이다. 본고(本稿)는 인적(人的) 및 물적(物的) 부존자원조건(賦存資源條件)과 그에 따른 자원(資源)의 배분(配分) 및 생산성변화(生産性變化)등과 관련된 우리나라 경제성장요인별(經濟成長要因別) 기여도(寄與度)를 Edward F. Denison의 접근방법에 의해서 추정했으며 1963~92년간을 분석대상으로 하였다. 이 접근방법으로 추정한 1963~82년간에 대한 Kim and Park(1985) 의 측정결과를 수정발표된 국민계정자료(國民計定資料)에 의해서 1972년부터 수정하고 1992년까지 연장추정하였다. 추정결과는, 과거 우리나라의 고도성장요인(高度成長要因)이 구체적으로 무엇이었던가 하는 문제에 대한 해답과, 선진국가(先進國家)의 성장요인(成長要因)과의 비교분석을 통하여 일반적(一般的)인 경제성장과정(經濟成長過程)의 보다 확실한 이해를 위한 자료로서, 또는 우리나라의 장내(將來) 성장잠재력(成長潛在力)을 전망(展望)하는 데 유용한 자료로서 이용될 수 있을 것으로 기대한다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• 제28권2호
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• pp.199-237
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• 2006

지금까지 밝혀진 실증적인 성장과 분배의 관계는, 성장은 평균적으로 분배중립적으로 분배에 특정한 형태의 영향을 미친다는 실증적 증거는 없으며, 높은 부의 불평등도는 성장을 저해한다는 점이다. 한편 성장과 분배는 모두 빈곤에 이론적 실증적으로 영향을 미친다. 따라서 빈곤의 감소를 위해서는 성장과 분배의 정책적 조합이 필요하므로 성장과 분배의 이분법은 잘못된 것이다. 현 시점에서 한국이 성장과 분배의 조화를 통해 절대빈곤을 감소시키기 위해서는 세계은행에서 권장하는 빈곤감소적 성장을 추구할 필요가 있다. 한편, 절대적 빈곤과 절대적 불평등도는 음의 상관관계에 있기 때문에 양극화의 논의가 절대적 불평등도를 감소시키자는 정책으로 진행되어서는 절대빈곤의 감소를 기대하기 어려울 것이다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권2호
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• pp.63-67
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• 2002

부유대역법을 이용하여 직경 Langasite 단결정을 Ar과 $O_2$가 혼합된 가스의 분위기에서 성장시켰으며, 그때 성장속도는 각각 1.5 mm/hr, 회전속도는 15rpm이었고, 성장된 결정은 투명한 짙은 오렌지색을 가졌다. 성장된 결정은 c 축 방향으로 성장되었으며, 길이 방향의 조성변동이 없이 성장한 것을 확인할 수 있었고, 성장된 결정은 $La_{3.10}Ga_{4.73}Si_{1.17}O_{14}$의 조성을 가지고 있었다. 500nm 부근의 흡수밴드는 성장된 결정의 오렌지빛과 관계가 있는 것을 확인할 수 있었으며, 계산된 Langasite의 활성화에너지는 0.23eV이었고, $300^{\circ}C$ 이상의 온도에서 PTC의 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.