과실을 이용한 증류주 개발에 있어서 국내에서 생산량이 많고 과잉생산으로 인한 잉여과실 발생빈도가 높은 사과와 감귤을 선정하였으며, 외국에서 증류주 제조에 많이 사용하고 국내에 많이 자생하는 마가목 열매를 원료로 선정하여 본 연구를 수행하였다. 각 원료의 발효특성에 따라 맞춤형 효모를 선정하였고, 선정된 효모를 이용하여 발효한 술덧을 동재질의 상압다단식 증류기와 스테인리스 재질의 상압단식 증류기 및 감압단식증류기 등으로 각각 증류한 증류주의 주요 향기성분과 증류효율 등을 비교 평가하였다. 또한 상기 증류주의 품질평가를 위해 4개월 숙성 후 관능평가를 실시하였다. 연구결과 사과와 감귤의 경우 원료 사용비율에 관계없이 발효가 원활히 진행되었으나 마가목 열매의 경우 원료사용비율이 10 w/v% 이상일 경우 발효가 되지 않거나 미미하였으며, 사용비율이 8 w/v% 이하일 때에는 원활한 발효가 진행되었다. 원료별, 증류방식별로 초류, 본류, 후류로 나누어 증류한 증류주의 증류효율을 검토한 결과 과실 원료 차이에 따른 증류주의 수율 차이는 적었지만, 증류효율 면에서는 상압다단식 증류기, 상압단식, 감압단식 순으로 높게 나타났다. 과실증류주의 주요 향기성분 분석결과 증류방식별 다소의 차이를 나타내었으나 모든 원료에서 동재질의 상압다단식증류 방식에 의해 제조된 시제품이 스테인리스 재질의 상압단식 및 감압단식방식에 의해 제조된 증류주에 비해 아로마가 풍부한 것으로 나타났다. 결론적으로 사용된 원료에 관계없이 증류수율, 작업능률 및 품질측면에서 동재질의 상압다단식증류방식이 스테인리스 재질의 단식 또는 감압증류방식보다는 증류주제조에 더 적합한 것으로 나타났다. 쌀을 이용한 증류주 제조에만 국한되어 있는 국내 증류주시장을 고려하면 과실을 이용한 유럽스타일의 증류주 제조, 특히 마가목 열매를 이용한 과실증류주 상품화 기술은 향후 FTA 시대를 맞아 시장 다변화 및 우리술 경쟁력 강화에 기여할 것으로 보인다.
석유 잔사유 중 고부가가치를 가진 윤활기유와 같은 중질 탄화수소를 얻기 위하여 펜탄 용매를 이용하여 상압 잔사유로부터 탈아스팔트오일을 분리하였다. 분리실험결과 상압 잔사유의 펜탄 용매의 밀도에 좌우됨을 보였으며, 임계영역에서 증가되었다. 또한 분리오일 중 금속성분은 시료인 상압 잔사유와 비교할 때 많은 양이 제거되었으나, 황성분의 제거율은 상대적으로 낮았다.
CuInGa 전구체를 여러 분위기에서 급속 열처리 공정 (rapid thermal processing; RTP)을 이용하여 셀렌화하여 CuInGaSe 박막을 제작하였다. 공정조건은 각각 진공상태, 아르곤 가스 유동 상압상태, 아르곤 분위기 상압밀폐에서 덮개 유리를 사용한 상태 및 아르곤 밀폐상압에서 추가로 Se을 공급한 상태이었다. 제작된 CuInGaSe의 특성을 ICP 측정을 통하여 분석하였다. 열처리 조건에서 시스템이 밀폐상태에 가까울수록 Se 증기압이 높을수록 CuInGaSe 박막의 Se 함량이 증가하였다. 아르곤 분위기 상압 밀폐상태에서 제작된 CuInGaSe 박막을 이용하여 제작한 태양전지의 효율은 9.6%이었다.
플라즈마는 물질의 제4의 상태로서 이온화된 가스로 불리며 다양한 활성종 및 수산화기, 하전입자, 이온, 자유 전자, 산소등을 발생시키는 특징을 가지고 있다. 20세기 후반에 플라즈마는 산업현장에서 활발히 사용되고 있으며, 최근 저온 상압 플라즈마 장치가 개발되면서 의생명 분야에 적용되기 시작했다. 저온 상압 플라즈마는 인체조직에 열 손상을 입히지 않을 뿐만 아니라, 암 치료, 살균, 치아미백, 지혈, 상처치유 등에서 높은 효율성을 보이고 있다. 이때 발생되는 활성종은 포유세포나 병원균에 영향을 미치는 것으로 알려져 있다. 또한, 다학제간의 연구를 통해 저온 상압 플라즈마의 활용범위는 다양한 영역으로 넓어지고 있으며, 새로운 첨단 의료기술로서의 가치가 높아지고 있다. 저온 상압 플라즈마가 포유세포와 미생물에 적용된 이후, 지난 10여 년간 급속한 발전을 통해 최근 플라즈마 메디신이란 학문영역으로 성장했다. 본 논문은 저온 플라즈마가 적용되고 있는 분야에 대해 소개하고, 플라즈마 메디신에 대한 이해를 돕고자 한다.
펜탄용매를 이용하여 상압잔사유로부터 고급 경질 탄화수소의 추출실험을 수행하였다. 추출공정 계산에 앞서 복잡한 혼합물로 구성된 상압잔사유의 진비점을 계산하기 위하여 모사증류방법을 이용하였다. 추출공정 계산절차를 간단히 하기 위하여 재분류 방법을 이용하여 많은 성분을 포함하고 있는 상압잔사유를 성상이 유사한 몇 개의 가상성분으로 분류하였다. 상압잔사유-펜탄계 추출공정의 모사는 등온 플래시 방법에 기초를 두고 있으며, 계산과정 중 기상과 액상에서의 퓨개시티 계수를 계산하기 위하여 Peng-Robinson 상태방정식을 이용하였다. 복잡한 계산과정을 포함하고 있는 추출공정 모사에 비하여 실험치는 계산치와 잘 일치 하였다.
상압 플라즈마 기술은 표면처리, 온존 발생장치, VOC (Volatile Organic compound) 제거등 다양한 산업분야에서 응용되고 있다. 상압플라즈마 기술 또한 DBD (Dielectric barrier discharge), Griding Arc, SDIP (Surface Discharge Induced Plasma) 등 다양한 기술들이 개발되어져 왔다. VOC를 제거하기 위한 다양한 플라즈마 기술중 특히 BDB 방법과 SDIP 기술들은 플라즈마에 의한 VOC 분해 뿐만 아니라 오존 발생을 통하여 VOC성분을 분해하는 것으로 알려져 있으며 효율이 매우 뛰어난 것으로 보고 되고 있다. 그러나 BDB 방전의 경우 방전이 발생하는 간격이 매우 작아 공기를 정화시키기 위해 좁은 유로를 통하여 일정넓이를 이동하여하 하기 때문에 압력감소가 심하며 이를 개선하기위해 다단으로 설계할 경우 구조가 복잡하고 가격이 고가인 단점이 있다. 본 연구에서는 두 개의 면 전극이 마주보는 형태로 된 DBD 구조의 단점을 보완하기 위하여 빗살무늬 모양의 다층구조의 선형전극으로 구조를 변화시켜 전극에 의한 압력감소를 방지하고 효율적으로 플라즈마 및 오존을 발생시킬 수 있는 VOC제거용 상압 플라즈마 발생장치를 개발하였다. 또한 플라즈마 발생 및 오존발생량이 우수한 것으로 알려져 있는 SDIP 장치 또한 제작하여 비교 평가를 하였다. 제작된 플라즈마 발생장치는 60 Hz와 20kHz의 교류 고압파워 서플라이를 이용하여 플라즈마 발생실험을 진행하였다. 선행 연구에서는 60 Hz의 고압 파워 서플라이를 이용하여도 플라즈마 방전이 잘 된다고 보고되었는데 본 실험에서 60 Hz 파워 서플라이를 사용할 경우 15 kV 이상이 인가될 때 아주 약하게 오존이 발생하는 현상이 관찰되었으나 육안으로 구분이 될 만큼의 플라즈마 방전은 발생하지 않았다. 20kHz의 고압파워 서플라이를 사용한 경우에는 비교적 낮은 전압인 7 kV에서 방전이 관찰되었으며 분당 22 mg의 오존이 발생하였다. SDIP를 이용한 경우 플라즈마가 발생하는 조건은 SDIP의 기하학적 형상에 많이 의존하게 된다. 본 실험에 SDIP 장치는 매우 낮은 전압에서 방전을 시작하였다. 기존의 DBD와는 다르게 1.7 kV에서 플라즈마 발생하였으며 1.8 kV에서 정상적인 플라즈마 방전이 발생하였다. 이때 분당 3.1 mg의 오존이 발생하였다. 오존 발생양은 앞에 빗살형 플라즈마 방전장치에 비하여 낮은데 인가되는 전력을 고려하면 입력된 전기 에너지당 오존발생양은 비슷한 수준이였다.
Al$_2$O$_3$-5 vol% SiC 나노복합재료의 sinter plus HIP에 의한 치밀화시 일어나는 기공의 변화에 초점을 두어 치밀화 거동을 관찰하였다. $Al_2$O$_3$-SiC 시편은 질소분위기 중의 상압소결과 이후의 열간정수압소결(HIP)에 의해 완전치밀화가 이루어졌다. 155$0^{\circ}C$의 상압소결에 의해서는 90%의 비교적 낮은 상대밀도가 얻어졌으나, 기공의 폐기공화로 이후의 열간정수압소결(HIP)에 의해 99.6%의 완전치밀화가 가능하였다. 상압소결한 시편을 X-선 회절기와 주사전자현미경(SEM)으로 관찰한 결과, 선택적으로 시편 표면부에서만 SiAl$_{6}$O$_2$N$_{6}$과 AlN 등으로 이루어진 치밀화된 반응층을 확인할 수 있었으며, 이러한 표면 반응층이 비교적 낮은 상대밀도의 시편내의 모든 기공을 폐기공화하는 효과를 주는 것을 알 수 있었다.
현재 산업에서 상압 플라즈마는 생물의학, 표면처리, 용접 및 절단, 화학적 오염제거 등 여러 분야에서 각광받고 있으며 그 잠재력 또한 매우 크다. 통상적으로 글로우 방전은 생물의학, 표면처리, 화학적 오염제거 등에 주로 쓰이고 아크 방전은 용접 및 절단에 응용된다. 이처럼 상압 플라즈마는 여러 가지 방전으로 분류되고 그 특성에 맞게 응용되고 있는데 이러한 산업 여러 분야에 적절히 응용하기 위해서는 각 플라즈마에 대한 진단과 특성 분석이 선행적으로 이루어져야 한다. 또한, 전원회로의 특성에 따라 플라즈마 특성에 어떤 영향을 미치는지에 대한 연구도 매우 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 침 대 면 전극구조에서 고전압 dc전원이 RC시정수에 따라 repetition frequency가 변하는 전원 회로의 여러 parameter에 따라 스트리머-스파크 방전의 전기적 특성이 어떻게 변하는지 연구한다. 또한, 시뮬레이션을 통해 실험에 대한 예측, 비교를 목표로 한다.
본 논문에서는 상압 플라즈마 방식이 적용된 반도체 에싱공정의 포토레지스트 에싱율을 향상시키기 위한 연구가 수행되었다. 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트의 에싱율을 높이기 위하여 공정에 다구찌 기법을 적용하여 실험하였다. 유의한 인자를 파악하고 적합한 인자의 조합을 결정하여 에싱율 향상을 위한 효율적인 접근을 시도하였다. 이 연구는 상압플라즈마 방식이 적용된 에싱공정에서 개별 인자가 지니고 있는 시스템에 대한 기여율에 대하여 나타내었으며 또한 포토레지스트 에싱에 대한 플라즈마의 효용성을 보여준다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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