Properties of the CIGS Thin Films Prepared by Closed RTP System
밀폐상태 RTP 시스템으로 제작된 CIGS 흡수층의 특성
- Jo, Hyun-Jun (Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology (DGIST)) ;
- Ko, Byoung-Soo (Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology (DGIST)) ;
- Jeon, Dong-Hwan (Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology (DGIST)) ;
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Sung, Shi-Joon
(Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology (DGIST))
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Hwang, Dae-Kue
(Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology (DGIST))
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Kang, Jin-Kyu
(Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology (DGIST))
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Kim, Dae-Hwan
(Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology (DGIST))
- 조현준 (대구경북과학기술원) ;
- 고병수 (대구경북과학기술원) ;
- 전동환 (대구경북과학기술원) ;
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성시준
(대구경북과학기술원)
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황대규
(대구경북과학기술원)
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강진규
(대구경북과학기술원)
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김대환
(대구경북과학기술원)
- Published : 2012.03.29
Abstract
CuInGa 전구체를 여러 분위기에서 급속 열처리 공정 (rapid thermal processing; RTP)을 이용하여 셀렌화하여 CuInGaSe 박막을 제작하였다. 공정조건은 각각 진공상태, 아르곤 가스 유동 상압상태, 아르곤 분위기 상압밀폐에서 덮개 유리를 사용한 상태 및 아르곤 밀폐상압에서 추가로 Se을 공급한 상태이었다. 제작된 CuInGaSe의 특성을 ICP 측정을 통하여 분석하였다. 열처리 조건에서 시스템이 밀폐상태에 가까울수록 Se 증기압이 높을수록 CuInGaSe 박막의 Se 함량이 증가하였다. 아르곤 분위기 상압 밀폐상태에서 제작된 CuInGaSe 박막을 이용하여 제작한 태양전지의 효율은 9.6%이었다.