• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.08a
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• pp.233-233
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• 2009

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2010.06a
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• pp.73-74
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• 2010

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.9 no.7
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• pp.1030-1035
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• 1998

The porous alumina membrane was prepared from aluminum metal(99.8%) by anodic oxidation using DC power supply of constant current mode in an aqueous solution of sulfuric acid. To prevent the chemical dissolution of alumina membrane, $Al_2(SO_4)_3$, $AlPO_4$ and $Al(NO_3)_3$ which could be considered to supply $Al^{3+}$ ions were added to electrolyte solution at a reaction temperature of $20^{\circ}C$ and cumulative charge of $150C/cm^2$. Effects of these additives on the formation of porous alumina membrane were evaluated under various electrolyte concentration(5~20 wt%) and current densities($10{\sim}50mA/cm^2$). The membrane surfaces which were prepared in electrolyte solution with all the additives except $Al_2(SO_4)_3$ were damaged. However, when $Al_2(SO_4)_3$ was added to the $H_2SO_4$ solution, an uniform surface of porous alumina was obtained. Also, it was shown that the pore size of membrane was nearly independent on the quantity of $Al_2(SO_4)_3$ added at same electrolyte concentration and current density.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.20 no.1
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• pp.63-69
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• 2011

In this study, we report on the novel lithographic patterning method to fabricate organic thin film field effect transistors (OTFTs) based on photo and e-beam lithography with well-known silicon technology. The method is applied to fabricate pentacene-based organic field effect transistors. Owing to their solubility, sub-micron sized patterning of P3HT and PEDOT has been well established via micromolding in capillaries and inkjet printing techniques. Since the thermally deposited pentacene cannot be dissolved in solvents, other approach was done to fabricate pentacene FETs with a very short channel length (~30 nm), or in-plane orientation of pentacene molecules by using nanometer-scale periodic groove patterns as an alignment layer for high-performance pentacene devices. Here, we introduce $Al_2O_3$ film grown via atomic layer deposition method onto pentacene as a passivation layer. $Al_2O_3$ passivation layer on OTFTs has some advantages in preventing the penetration of water and oxygen and obtaining the long-term stability of electrical properties. AZ5214 and ma N-2402 were used as a photo and e-beam resist, respectively. A few micrometer sized lithography patterns were transferred by wet and dry etching processes. Finally, we fabricated micron sized pentacene FETs and measured their electrical characteristics.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.9 no.7
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• pp.1047-1052
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• 1998

The porous alumina membrane was prepared from aluminum metal(99.8%) by anodic oxidation using DC power supply of constant current mode in aqueous solution of sulfuric, oxalic, phosphoric and chromic acid. Pore size and distribution, membrane thickness, morphology and crystal structure were examined with several anodizing conditions : reaction temperature, electrolyte concentration, current density and electrolyte type. It was found that ultrafiltration membrane was fabricated in electrolyte of sulfuric, and oxalic acid. On the other hand, microfiltration membrane was fabricated in electrolyte of phosphoric, and chromic acid. Also, it was shown that crystal structure of porous alumina membrane prepared in sulfuric, oxalic, and phosphoric acid was amorphous, whereas porous alumina membrane prepared in chromic acid had ${\gamma}$ type of crystal structure.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.133-133
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• 2012

알루미늄(Al)은 노출 환경 중 치밀한 산화 또는 수산화 보호성 피막을 생성하여 강재를 부식환경으로부터 차단하는 역할을 한다. 또한 그 피막이 열화 또는 파괴되어 모재인 철이 노출되는 경우 철을 대신하여 희생양극으로 작용함으로써, 철의 부식을 지연시키는 역할을 한다. 한편, 마그네슘(Mg)은 매우 활성인 금속으로 우수한 희생양극 역할을 수행하나, 높은 활성에 의하여 자체 소모가 크기 때문에 단독으로 사용하기는 어렵다. 따라서 강재 표면에 알루미늄과 마그네슘을 다층으로 표면처리하게 될 경우 상기에서 언급한 보호적 특성과 희생양극적 성능에 의한 내식성 향상을 기대 할 수 있을 것으로 사료된다. 본 연구에서는 진공증착을 이용하여 강재에 두께 비에 따라 Al-Mg계 코팅막을 제작하여 내식성을 비교-분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.264.2-264.2
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• 2014

비휘발성 메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지하는 메모리로써 현재 다양한 차세대 전자소자의 집적화 구현을 위해 저전압 동작 및 저장능력의 향상 등에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이때 삽입되는 전하저장층의 경우 기존 널리 이용되는 질화막(SiNx) 외에 최근에는 산화 알루미늄(Al2O3) 등의 고유전상수 물질 뿐만 아니라, 밴드갭 조절을 통해 전하저장능력을 향상시키는 산화막(SiOx)에 대한 연구도 진행 중이다. 이번 연구에서는 전하저장능력을 향상시키기 위해 전하저장층으로 산화막을 이용할 뿐만 아니라, 기존의 평편한 구조가 아닌 표면 조절을 통해 전하저장능력을 보다 향상시키고자 한다. 또한 이번 연구에서는 비휘발성 메모리 소자의 응용을 위해 우선적으로 금속-절연체-반도체 형태의 MOOxOyS 구조를 이용하였다. 이 때 실리콘 표면적을 변화시키기 위해 이용된 실리콘 웨이퍼는 1) 평편한 실리콘, 2) 수산화암모늄, 이소프로필 알코올 및 탈이온수를 혼합한 용액에 식각시킨 삼각형 구조, 3) 불산, 질산 및 아세트산을 혼합한 용액에 식각시킨 라운드 구조이다. 정전용량-전압 측정을 통해 얻어진 메모리 윈도우는 1) 평편한 실리콘의 경우 약 5.1 V, 2) 삼각형 구조의 경우 약 5.3 V, 3) 라운드 구조의 경우 약 5.9 V를 얻었다. 이 때, 라운드 구조의 경우 가장 넓은 표면적으로 인해 상대적으로 전하트랩이 가장 많이 되어 메모리 윈도우가 가장 커지는 특성을 볼 수 있었다.

• Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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• v.18 no.4
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• pp.9-17
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• 2014

In this study, in order to improve the ignitability of high energy aluminum powder, natural oxide films (alumina) were chemically removed, and instead nickel coat was applied. We used an electroless plating for nickel coating and confirmed quantitatively and qualitatively a time-dependent degree of nickel coating through analysis of surface by SEM/EDS. We also conducted element analysis by XRD and thermal properties by TGA/DSC in air oxidizer environment. There results explained the ignition enhancement mechanism of the nickel-coated aluminum powder in air. The difference between coated and un-coated aluminum powder, the effectiveness of coated powder has better ignitability.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.5 no.4
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• pp.351-357
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• 1995

The surface layer of the aluminum film reactively ion etched in $CF_4$ plasma was ana alyzed by using XPS. $AlF_3$ which is nonvolatile is formed at the aluminum surface. As the analyzed depth increases, the intensity of the $Al_{2p}$ peak of Al - F bonds decreases while that of a aluminum metallic bond increases. The thickness of the $AlF_x$ surface layer is 50~100 $\AA$ and the deep penetration of fluorine atoms is attributed to the mixing effect by the bombardment of incident particles. For the aluminum oxide film which is etched in $CF_4$ plasma under the same conditions, oxygen atoms are substituted by fluorine atoms to form $$AIF_x$ surface layer, which is m much thinner than that formed on aluminum surface.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.06a
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• pp.91-91
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• 2009

태양전지의 전극소성 시 알루미늄 후면 전극이 실리콘으로 확산되어 후면전계(Back Surface Field)를 형성한다. 후면 패시베이션층은 후면반사율을 높여 내부광흡수경로를 늘리고 후면재결합속도를 감소시킨다. 본 논문은 후면 패시베이션층이 알루미늄 후면전계 형성에 미치는 영향 및 온도에 따른 변화를 관찰하였다. 절삭손상(Saw damage)이 제거된 실리콘 기판의 후면에 패시베이션층이 없는 것과 후면 패시베이션층으로 사용되는 실리콘 산화막을 형성시킨 시편을 제작하였다. 알루미늄 후면전극을 스크린 인쇄 후 소성온도를 달리하여 실리콘과 알루미늄과의 반응을 비교하였다. 주사전자현미경(SEM)을 사용하여 시편의 단면사진으로부터 소성온도에 따른 실리콘과 알루미늄간의 반응 여부를 관찰하였고, 열분석을 통해 반응 온도를 조사하였다. 패시베이션층이 없는 경우에는 약 $600^{\circ}C$부터 실리콘과 알루미늄간의 반응이 시작되었고, 패시베이션층이 있는 경우에는 약 $700^{\circ}C$부터 반응이 시작되는 결과를 얻었다.