• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.31 no.12
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• pp.1459-1466
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• 1994

A novel technique for determining the oxygen tracer diffusion coefficients in oxides was developed. After the 16O-18O solid-gas exchange reactions between 16O in the oxides and 18O in the ambient gas, Raman spectra of the cross sections of oxide samples were measured in a spatial resolution of 5 ${\mu}{\textrm}{m}$. From thus obtained Raman spectra, depth profiles of 18O concentration in the oxide samples were calculated. The oxygen tracer diffusion coefficients and the surface exchange coefficients were determined under the assumptions that samples are semi-infinite slab and that the surface exchange reactionsare not negligible. The oxygen tracer diffusion coefficient of 2.8 mol% Y2O3-containing tetragonal ZrO2 polycrystals, 8 mol% Y2O3-containing ZrO2 polycrystals, and 10 mol% Y2O3-containing cubic ZrO2 single crystals (along the a axis) are as follows.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.3
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• pp.238-244
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• 1998

Sn-rich합금의 석출 현상을 조사하였다. 첫째, 대기중과 진공 중에서 용해된 90Sn-o10Bi(wt%)합금을 $140^{\circ}C$에서 용체화 처리한 후 석출반응을 조사하였다. 90Sn-10Bi(wt%)합금은 불연속 석출(DP)현상을 나타냈다. 공기 중에서 용융된 시료의 DP반응이 진공 중에서 용융된 시료보다 빠르게 진행되었다. 이것은 공기 중에서 용융하는 과정에서 시료에 용존된 산소에 의해 입계 에너지가 감소한 것에 기인하는 것으로 판단된다. 둘째, 용융 후 서냉 응고된 Sn-Bi(-In)합금을 $140^{\circ}C$이하의 온도에서 열처리하여 미세조직 변화를 조사하였다. 명확한 고경각 입계가 존재하지 않는 응고조직에서, 편석영역으로부터 DP반응이 진행되어 석출셈이 형성되었다. DP반응선단에는 반응계면이 관찰되었다. 이 현상은, 이제까지 알려진 바와는 다르게, DP반응이 반응 전에 존재하는 고경각 입계뿐만 아니라 재결정현상에 의해 새로운 석출계면이 생성될 수 있음을 의미한다. 이러한 재결정 현상은 확산에 의한 정합변형(coherency strain)으로 설명된다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.4
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• pp.385-392
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• 1992

급속열산화방법으로 400-650.deg.C의 온도범위에서 10-600초 동안 n형 InP기판위에 InP자연산화막을 형성하고 산화막의 성장율, 성장기구와 화학적 구성성분 및 전기적 성질등을 조사하였다. InP자연산화막의 두께는 산화시간이 제곱근에 비례하였고 산화온도에 대하여 지수함수적으로 증가하였다. InP자연산화막은 320.deg.C의 온도에서 초기성장이 이루어지고 산소원자들이 InP내부로 확산되는 과정으로 형성되며 산화막 형성에 필요한 활성화에너지는 1.218eV이었다. InP 자연산화마그이 화학적성분은 In$_{2}$)$_{3}$, P$_{2}$O$_{5}$ 및 InPO$_{4}$의 산화물이 혼합하여 구성된다. Au/InP쇼트키다이오드와 InP자연산화막을 게이트절연물로 사용한 MOS 다이오드의 전기적 특성은 다이오드방정식에 따르는 전류-전압특성을 보였다.

• Journal of the Korean Society of Combustion
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• v.7 no.2
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• pp.34-41
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• 2002

To investigate the combustion characteristics of a swirling diffusion gas burner with oxygen enrichment, mean temperature, CO, $CO_2$, and HC concentrations were measured at various oxygen enrichment conditions. According to the results, the flame temperature increased and the region of high temperature was expanded with increasing oxygen concentration. The $CO_2$ concentrations increased, while the CO concentrations decreased in proportion to the increase of oxygen concentration. On the other hand, the HC concentrations were decreased and this tendency was very strong at the downstream of the combustor.

• Journal of the Korean Society of Combustion
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• v.8 no.3
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• pp.1-7
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• 2003

Combustion using oxygen enriched air is an energy saving technology that can increase thermal efficiency by the improvement of burning rate and by the high temperature flame. Flame figures, OH radical intensities, temperature distributions and emission concentrations were measured according to oxygen enriched concentration and swirl number in a turbulent diffusion flat flame. It appeared that flame figure became flat and NO concentration decreased with increase of swirl number, and that the flame temperature increased high with increase of oxygen enriched concentration. In particular, it was most significant between oxygen concentration $40{\sim}60%$.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.29 no.11 s.242
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• pp.1277-1284
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• 2005

The combustion characteristics of methane oxygen diffusion flames have been investigated to give basic information for designing industrial oxyfuel combustors. NOx reduction has become one of the most determining factors in the combustor design since the small amount of nitrogen is included from the current low cost oxygen production process. Flame lengths decreased with increasing fuel or oxygen velocity because of the enhancement of mixing effect. Correlation equation between flame length and turbulent kinetic energy was proposed. NOx concentration was reduced with increasing fuel or oxygen velocity because of the enhanced entrainment of the product gas into flame zone as well as the reduction of residence time in combustion zone.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.11a
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• pp.85.2-85.2
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• 2011

현재 중온의 고체산화물 연료전지를 위해 다양한 전해질에 대한 연구되었으며 1994년 Ishihara et al.에서 1074K의 온도에서 높은 이온전도도를 갖는 페록스카이 구조를 갖는 LSGM 물질을 발표하였다. Sr과 Mg을 도핑한 Lanthanum gallate는 이온전도도가 1073K에서 0.14S/cm로 YSZ의 5배로 높은 이온전도도를 갖고 있으며 산화환경에서부터 환원환경에서 화학적으로 안정한 특성을 갖고 있다. 또한 LSGM 전해질은 넓은 산소 농도범위에서 안정적인 특성을 갖는 장점을 갖고 있다. 그러나 LSGM은 가장 널리 사용되는 연료극의 Ni 촉매와 고온 소결시 상호확산현상에 의한 2차상을 생성시켜 성능 저감의 원인으로 그 해결방안이 요원한 실정이다. 이에 본 논문에서는 LSGM 전해질에 LSGM scaffold를 형성하고 형성된 scaffold에 연료극 촉매 solution을 infiltration 시켜 저온에서 anode를 형성하여 그 성능을 연구하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.12
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• pp.1192-1198
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• 1996

배선 재료나 salicide 트랜지스터에 적용될 것으로 기대되는 Cu 배선과 Co 단일층 및 Co/Ti 이중층을 사용하여 형성된 코발트 실리사이드간의 열적 안정성에 대하여 조사하였다. 40$0^{\circ}C$열처리후 Cu3Si 막이 CoSi2층과 Si 기판 사이에 형성되었는데, 이것은 Cu 원자의 확산에 기인한 것이다. $600^{\circ}C$에서의 열처리 후에 형성된 최종막의 구조는 각각 Cu/CoSi2/Cu3Si/Si과 TiO2/Co-Ti-Si 합금/CoSi2/Cu3Si/Si였으며, 상부에 형성된 TiO2층은 산소 오염에 의한 것으로 밝혀졌다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.4
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• pp.304-311
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• 1991

본 연구에서는 p형(100) 실리콘 기판 위에 LPCVD법으로 산화막과 다결정 실리콘을 증착하고 그 위에 Magnetron Sputtering법으로 티타늄을 500.angs.을 증착한 후, 열처리 온도 500-900.deg.C 사이에서 열처리 시간을 변화시키면서 N$_{2}$ 분위기 속에서 급속 열처리하여 티타늄 실리사이드를 형성하고 그 특성을 조사하였다. 500-600.deg.C 온도 범위에서 10초간 열처리한 시료에서는 실리사이드상은 나타나지 않고, 산소등의 불순물이 티타늄 박막 내로 확산되어 600.deg.C에서 면 저항이 최대값을 보였으며 열처리 온도는 675-750.deg.C로 높이자 TiSi상이 나타나면서 면저항이 감소되고 결정립의 크기가 크게 증가하였다. 또한 열처리온도 800.deg.C에서 나타나기 시작한 TiSi$_{2}$상은 열처리 온도 850.deg.C까지 TiSi상과 공존하면서 면저항과 reflectance는 계속 감소했다. 900.deg.C에서 10초간 열처리한 시료에서는 orthorhombic구조의 완전한 실리사이드 상만 나타났다. 최종적인 티타늄 실리사이드 박막의 두께는 1200.angs.이며 비저항은 18.mu..OMEGA.cm였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1999.05a
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• pp.477-480
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• 1999

III-V족 화합물 반도체인 p-CaP의 자연산화막윽 30% $H_2O$$_2$용액 내에서 화학적인 이온반응을 통한 전기분해의 원리를 이용한 양극산화방법으로 형성하여 그 성장률과 광학적성질을 조사하였다. GaP자연산화막의 형성은 산소의 확산과정으로 이루어지며, 양측산화 막의 두께는 산화시간과 인가전압에 대하 여 선형적으로 비례하여 증가하였다. 자연산화막의 표면은 전자현미경으로 산화막의 두게는 파장이 6328$\AA$인 Ellipsometer를 사용하여 측정하였다. 광학적 성질은 적외선 영역에서의 광흡수 특성은 퓨리에 적외선 분광기로 측정하였으며 XRD 로 전압과 시간에 따른 산화막에 조성과 결정면을 알아보았다. 산화막의 형성방법과 형성조건에 따른 GaP 자연산화막의 절연막으로 이용하여 산화막에 조성에 따른 MOS 다이오드로서의 이용 가능성을 조사하였다.