• 제목/요약/키워드: 사용-확산

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디지털융합제품의 수용-확산 및 사용-확산에 관한 연구 : 카메라폰을 대상으로 (A study on the adoption-diffusion and use-diffusion of the digital convergence product : Focusing on the camera phone)

  • 유상진;손정임
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제14권4호
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    • pp.101-115
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    • 2009
  • 본 연구에서는 디지털 융합 기술의 대표적인 제품이라 할 수 있는 카메라폰을 대상으로 전통적인 확산모델인 TAM을 비롯한 수용-확산모델과 최근 Shih and Venkatesh(2004)에 의해 제시된 사용-확산 모델의 비교를 통해 디지털융합제품의 확산과정을 규명하였다. 수용-확산 모델을 적용한 분석결과에서는 관찰가능성, 인지된 유용성, 혁신성, 상대적 이점 등이 재구매 의도에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 반면에 사용-확산 모델을 적용한 분석결과에서는 기술정교성과 만족, 혁신성과 상대적 이점 등이 재구매의도에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 본 연구 결과는 신제품 확산과정에 대한 소비자 관점에서의 이론적 모형에 있어서 주류를 이루고 있는 TAM을 비롯한 수용-확산 모델이 카메라폰과 같은 디지털 융합기술의 확산에도 적용될 수 있음을 시사하고 있다. 또한 기존 제품의 사용을 통해 형성된 기술적 정교성과 만족을 중심으로 하는 사용-확산모델이 디지털 융합 제품 확산에 보다 설득력을 지니고 있음을 보여주고 있다.

순방향 링크에서의 랜덤 확산과 직교 확산 DS-CDMA 송수신기의 성능 분석 (Performance analysis of random spreading and orthogonal spreading DS-CDMA systems in forward link)

  • 최지웅;이용환
    • 한국통신학회논문지
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    • 제25권12B호
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    • pp.1979-1987
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    • 2000
  • 다중 경로 감쇄 채널 환경에서 순방향 DS-CDMA 송수신기의 성능은 사용자에 할당된 확산 수열의 특성에 따라 영향을 받는다. DS-CDMA의 수신기 비트 오류 확률 (BER) 성능은 수신단에서의 신호 대 간섭전력비 (SIR)의 함수로서, 사용자 확산 수열로 왈시 부호와 같은 직교 수열을 사용한 직교 확산 방식과 임의의 랜덤 수열로 사용한 랜덤 확산 방식에서의 수신 신호 간섭 전력은 상이한 특성을 가진다. 이 논문에서는 채널 부호를 사용하지 않은 경우와 길쌈 부호를 사용한 경우에 대해 두 시스템에서의 수신 심벌 SIR을 유도한 뒤 몬테 카를로 분석을 통해 이론적인 BER 성능을 구하고, 전산 모의 실험을 통해 이러한 분석의 타당성을 확인한다. 위상 지연이 동일한 다른 사용자 신호들로 인한 간섭 전력의 상승으로 인해 랜덤 확산 방식은 직교 확산 방식에 비해 성능이 크게 떨어진다. 경로수가 증가함에 따라 이러한 성능 차이는 감소하나 경로수가 많은 경우에도 2배 이상의 사용자 용량 차이가 발생한다.

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대기확산모델의 검정 및 보정을 위한 Passive Sampler의 활용 (Application of Passive Sampler in Validation and Calibration of Air Dispersion Model)

  • 김선태;김주인;김성근;배장영
    • 한국대기환경학회:학술대회논문집
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    • 한국대기환경학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.170-171
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    • 1999
  • 대기 중 오염물질의 확산 및 미래의 예측을 위하여 대기확산모형을 많이 사용하고 있으며, 국내에서 사용하고 있는 대기확산모형의 대부분은 미국 EPA에서 보급하는 것을 사용하고 있다. 이 중에서 최근에 많이 사용하고 있는 단기모형으로는 기간과 지형이 고려되는 ISCST3 모형을 들 수 있다. 국내 모델의 사용에 있어서 가장 중요한 문제점은 모델의 검정과 보정을 위한 data의 부재를 들 수 있다.(중략)

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High b-value Diffusion Study of Normal Brain at 3 Tesla

  • 이영주;손철호;황문정;배성진;장용민
    • 대한자기공명의과학회:학술대회논문집
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    • 대한자기공명의과학회 2002년도 제7차 학술대회 초록집
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    • pp.83-83
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    • 2002
  • 목적: 현재 임상적으로 사용되고 있는 확산경사자장의 세기 이상( > 1200)의 강한 확산 경사자장이 가해진 경우 뇌구조물들의 확산계수값을 조사하고 고자장(Bo = 3T)에서 이러한 강한 확산 경사자장을 이용하는 경우 1.5T에서 시행하는 경우와의 차이점을 비교 연구해보고자 하였다. 대상 및 방법: 정상 성인 3명을 대상으로 b-value를 0부터 3500까지 변화시키며 확산강조영상을 최대경사자장 40 mT/m, slew rate 150 T/m/s의 경사자장계가 장착된 3T MR scanner (General Electric, USA)에서 획득하였다. 사용한 펄스열은 Stejskal-Tanner type의 확산강조 경사자장이 포함된 single-shot SE EPI를 사용하였으며 영상획득시 사용한 파라미터는 다음과 같다. TR/TE= 10000/95.1, Thickness/space=512mm, FOV=24$\times$21cm, Matrix=128$\times$128, NEX=1 뇌구조물들에 관심 영역을 설정하고 b-value에 따른 신호감소를 측정하였다. 측정된 데이터를 hi-exponential decay 모델을 이용하여 분석하였다.

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평면 쿠에트 유동의 난류모델에 관한 연구

  • 김광용
    • 대한기계학회논문집
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    • 제14권4호
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    • pp.990-999
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    • 1990
  • 본 연구에서는 레이놀즈 응력모델을 비롯해 Hassid와 Poreh의 1-바정식 모델 과 K-.epsilon.모델을 사용해 난류 쿠에트 유동을 해석하였다. 특히, 레이놀즈 응력모델의 경우에는 단순구배 확산모델(simple gradient diffusion model)과 Hanjalic과 Launder 의 확산모델 및 Dekeyser와 Launder의 확산모델등 세종류의 확산모델을 사용해 계산결 과를 비교하였다.

온도 변화에 따른 W-C-N 확산방지막의 결정 및 표면 구조 연구

  • 김수인;이창우
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.155-155
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    • 2008
  • 계속되는 반도체 산업의 발달로 반도체 배선 공정에서는 Al을 대체할 배선 금속으로 Cu에 대한 관심이 집중되고, 일부 공정에서는 Al을 대신하여 사용하고 있다. 이러한 Cu는 Al에 비교하여 많은 장점을 가지고 있지만 Si 기판과 저온에서 쉽게 확산되는 큰 문제점을 가지고 있다. 따라서 이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로 현재까지 연구된 대안으로는 Cu와 Si기판 사이에 확산방지막을 삽입하는 것이 대안으로 알려져 있다. 본 연구는 Cu 금속배선 공정을 위하여 Cu와 Si기판과의 확산을 효과적으로 방지할 확산방지막을 텅스텐(W)을 주 구성 물질로 여기에 불순물을 첨가한 W-C-N 확산방지막에 대하여 연구하였으며, 특히 W-C-N 확산방지막의 결정 및 표면 구조에 대한 물성 특성을 연구하였다. 여러 조건변화에 따라서 확산방지막의 특성을 확인하기 위하여 조건이 다르게 증착된 W-C-N 확산방지막을 상온에서 고온으로 열처리하여 열처리 전후를 WET-SPM (Scanning Probe Microscope)을 사용하여 그 물리적 특성을 조사하였다. 이러한 분석을 통하여 가장 안정된 W-C-N 확산방지막의 증착조건을 확인하였으며, 이를 기반으로 박막의 물리적 특성을 연구하였다.

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확산텐서영상에서 확산경사자장의 방향수에 따른 FA값 및 FA의 표준편차와의 상관 관계

  • 이영주;황문정;배성진;장용민;우성구;서수지
    • 대한자기공명의과학회:학술대회논문집
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    • 대한자기공명의과학회 2003년도 제8차 학술대회 초록집
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    • pp.33-33
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    • 2003
  • 목적: 확산텐서영상 획득시 확산경사자장의 방향수와 FA값, 그리고 FA값의 표준편차와의 상관관계를 조사해 보고자 하였다. 대상 및 방법: 3T MR scanner에서 정상성인 10명(남자 5명, 여자 5명)을 대상으로 걸어주는 확산강조 경사자장의 수(N = 6, 11, 23, 35, 47)를 증가시키며 확산텐서영상을 획득하였다. 획득된 영상들로부터 FA map을 만들고 주요 뇌구조물(frontal GM, putamen, posterior limb of internal capsule, thalamus 등)에 관심영역을 설정하여 FA값을 측정하였으며 그 FA값의 표준편차(sd) 를 계산하였다. 이때 사용한 펄스열은 Stejskal-Tanner type의 확산강조 경사자장이 포함된 single-shot SE EPI를 사용하였으며 영상획득시 사용한 피라미터는 다음과 같다. TR/TE=8000ms/71ms, Thickness/spacing=5/2mm, FOV=240mm, Matrix=$128{\times}128$, NEX= 1, b value=1000s/$\textrm{mm}^2$.

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기능적 자기공명영상 및 확산텐서영상을 이용한 전음성 난청과 감각신경성 난청군의 비교 연구: 예비 결과

  • 이재준;황문정;이영주;김인성;배성진;장용민;이상흔;우성구;강덕식
    • 대한자기공명의과학회:학술대회논문집
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    • 대한자기공명의과학회 2003년도 제8차 학술대회 초록집
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    • pp.94-94
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    • 2003
  • 목적: 기능적 자기공명영상과 확산텐서영상기법을 이용하여 전음성 난청과 감각신경성 난청에서의 뇌활성화 양상 그리고 청신경경로상의 차이점을 비교 연구하고자 하였다. 대상 및 방법: 전음성 난청군 (n=4)과 감각신경성 난청군(n=5) 그리고 정상군(n=5)에서의 기능적 자기 공명영상과 확산텐서영상을 획득하였다. 기능적 자기공명영상의 경우 1.5T Siemens MR scanner에서 BOLD 기법을 이용하여 500 Hz 순음 청각자극에 대한 뇌활성화 영역을 검출하였고 영상촬영시 발생하는 기계적 소음을 차폐하기 위한 청각자극기를 특별히 제작하여 사용하였다. 뇌백질신경로를 영상화하는 확산텐서영상은 3.0T GE whole body MR scanner를 사용하였으며 미세한 확산운동을 검출하기 위해 초고속 영상기법인 EPI 기법을 사용하였다. 영상의 화질을 높이기 위해 공간적으로 25개의 다른 방향으로 확산경사자장을 가하였다. 청신경로의 비등방성 영상, 신경로 방향 영상등을 구현하기 위해 획득한 확산영상들에 대한 영상 후처리과정을 시행하였다.

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고분자용액에 분산된 구형입자의 수력학적 확산계수 (Hydrodynamic Diffusivity of Spherical Particles Suspended in Polymer Solution)

  • 한민수
    • 유변학
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    • 제9권4호
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    • pp.183-189
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    • 1997
  • 본 연구에서는 고분자용액을 분산매로한 현탁액 내에서 입자의 수력학적확산에 관 한 실험적인 연구를 수행하여다. 입자로는 평균직경 275마이크론의 polymethlmethacrylate (PMMA)구형입자를 사용하였고, 분산매로는 PMMA 입자와 밀도르 맞춘 글리세린과 에틸 렌글리콜의 혼합용액에 고분자를 첨가하여 사용하였다. 고분자로는 분자량 6백만의 시약용 폴리아크릴아마이드를 사용하였다. 입자농도는 50%이었다. 용액의 농도는 0∼700ppm이었으 며 이러한 용액은 전단박화현상을 나타내지 않았다. 확산계수는 쿠엣장치 내에서 입자가 두 원통사이에서 아래쪽의 빈 공간으로 확산할 때 시간에 따른 점도측정결과로부터 예측하여 다. 본 연구의 결과 뉴튼성유체의 경우와는 달리 무차원확산계수(D/2)가 일정하지 않으며 전단율이 증가될수록 점점 감소하는 현상을 나타내었다. 고분자의 농도가 증가하는 경우에 는 무차원 확산계수가 감솨는 것을 볼수있었다. 이러한 무차원 확산계수의 감소는 유동하는 현탁액 내에서 입자간의 상호작용이 뉴튼성유체에 비하여 가역적인 것에 기인하는 것으로 판단된다.

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RF Magnetron Sputtering 방식으로 증착된 W-C-N 확산방지막의 열적 안정성 분석 (Thermal Stability of W-C-N Diffusion Barrier Deposited by RF Magnetron Sputtering Method)

  • 유상철;김수인;이창우
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.156-157
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    • 2008
  • 반도체 소자 회로의 집적도가 높아짐에 따라 선폭이 감소하였고 고온 공정이 필요하게 되었다. 기존의 반도체 회로 배선 재료인 Al을 사용할 경우 소자의 속도가 느려져서 소자의 신뢰도가 떨어지고 고온공정에서의 문제가 발생되어 이를 해결하기 위한 차세대 배선 물질로 비저항이 낮은 Cu의 사용이 요구되고 있다. 하지만 Cu는 Si와의 확산이 잘 일어나기 때문에 그 사이에서 확산을 막아주는 확산방지막에 대한 필요성이 제기되었고 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 Cu와 Si사이의 확산을 방지하기 위한 W-C-N 확산방지막을 물리적 기상 증착법(PVD)중 하나인 RF Magnetron Sputtering 방식을 사용하여 증착하였다. 고온 공정에서의 안정성을 알아보기 위해 $600^{\circ}C$ 부터 $900^{\circ}C$ 까지 $100^{\circ}C$ 단위로 열처리를 하였고 4-point probe 장치를 사용하여 열처리 온도에 따른 비저항 측정을 통해 W-C-N 확산방지막의 특성을 분석하였다.

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