Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2008.06a
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- Pages.156-157
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- 2008
Thermal Stability of W-C-N Diffusion Barrier Deposited by RF Magnetron Sputtering Method
RF Magnetron Sputtering 방식으로 증착된 W-C-N 확산방지막의 열적 안정성 분석
- Yoo, Sang-Chul (Department of Nano & Electronic Physics, Kookmin University) ;
- Kim, Soo-In (Department of Nano & Electronic Physics, Kookmin University) ;
- Lee, Chang-Woo (Department of Nano & Electronic Physics, Kookmin University)
- Published : 2008.06.19
Abstract
반도체 소자 회로의 집적도가 높아짐에 따라 선폭이 감소하였고 고온 공정이 필요하게 되었다. 기존의 반도체 회로 배선 재료인 Al을 사용할 경우 소자의 속도가 느려져서 소자의 신뢰도가 떨어지고 고온공정에서의 문제가 발생되어 이를 해결하기 위한 차세대 배선 물질로 비저항이 낮은 Cu의 사용이 요구되고 있다. 하지만 Cu는 Si와의 확산이 잘 일어나기 때문에 그 사이에서 확산을 막아주는 확산방지막에 대한 필요성이 제기되었고 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 Cu와 Si사이의 확산을 방지하기 위한 W-C-N 확산방지막을 물리적 기상 증착법(PVD)중 하나인 RF Magnetron Sputtering 방식을 사용하여 증착하였다. 고온 공정에서의 안정성을 알아보기 위해