• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2014년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.23-24
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• 2014

본 논문은 절연형 양방향 DC-DC 컨버터의 방전모드와 변압기 권선비에 따른 손실 분석에 대해 다루었다. Phase-Shift방전모드와 Boost방전모드에서 변압기 권선비에 따른 스위치손실을 분석하여 손실을 최소로 하는 변압기 권선비와 최적의 방전모드를 결정하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.73-73
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• 2000

안티퓨즈 소자는 프로그램 가능한 절연층의 상하 각각에 금속층이나 다결정 실리콘 등의 전도 가능한 전극으로 구성된다. 프로그램은 상하 전극간에 임계전압을 가했을 때 일어나게 되며 이때 절연층이 파괴되므로 비가역적이어서 재사용은 불가능하게 된다. 안티퓨즈 소자는 이러한 프로그램 특성으로 인하여 메모리 소자를 이용한 스위치 보다 속도나 집적도 면에서 우수하다. FPGAsdp 사용되는 안티퓨즈 소자는 집적도의 향상과 적정 절열파괴전압 구현을 위해 절연막의 두께를 감소시키는 것이 바람직하다. 그러나 두께나 감소될 경우 바닥전극의 hillock에 큰 영향을 받게 되며, 그로 인해 절연막의 두께를 감소시키는 것는 한계가 있는 것으로 보고되어 있다. 본 논문에서는 낮은 구동 전압에서 동작하고 안정된 on/pff 상태를 갖는 Al/TiO2-SiO2/Mo 형태의 안티퓨즈 소자를 제안하였다. 만들어진 antifuse cell은 0.6cm2 크기로 약 300개의 샘플을 제작하여 측정하였다. 비저항이 6-9 $\Omega$-cm인 P형의 실리콘 웨이퍼에 RF 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering) 방법으로 하부전극인 Mo를 3000 증착하였다. SiO2는 안티퓨즈에서 완충막의 역할을 하며 구조적으로 antifuse cell을 완전히 감싸고 있는 형태로 제작되었다. 완충막 구조를 만들기 dln해 일반적인 포토리소그라피(Photo-lithography)작업을 거처 형성하였다. 형성된 hole의 크기는 5$mu extrm{m}$$\times$5$\mu\textrm{m}$ 이었다. 완충막이 형성된 기판위에 안티퓨즈 절연체인 SiO2를 PECVD 방식으로 100 증착하였다. 그 후 이중 절연막을 형성시키기 위해 LPCVD를 이용하여 TiO2를 150 증착시켰다. 상부 전극은 thermal evaporation 방식으로 Al을 250nm 증착하여Tejk. 하부전극으로 사용된 Mo 금속은 표면상태가 부드럽고 녹는점이 높은 매우 안정된 금속으로, 표면위에 제조된 SiO2의 특성을 매우 안정되게 유지시켰다. 제안된 안티푸즈는 이중절연막을 증착함으로서 전체적인 절연막의 두께를 증가시켜 바닥전극의 hillock의 영향을 적게 받아 안정성을 유지할 수 있도록 하였다. 또한, 두 절연막 사이의 계면 반응에 의해 SiO2 막을 약화시켜 절연막의 두께가 두꺼워졌음에도 기존의 SiO2 절연막의 절연 파괴 전압 및 누설 전류오 비교되는 특성을 가졌다. 이중막을 구성하고 있는 안티퓨즈의 ON-저항이 단일막과 비교해 비슷한 것을 볼 수 잇는데, 그 이유는 TiO2에 포함된 Ti가 필라멘트에 포함되어 있어 필라멘트의 저항을 감소시켰기 때문으로 사료된다. 결국 이중막을 구성시 ON-저항 증가에 의한 속도 저하 요인은 없다고 할 수 있다. 5V의 절연파괴 시간을 측정한느 TDDB 테스트 결과 1.1$\times$103 year로 기대수치인 수십 년보다 높아 제안된 안티퓨즈의 신뢰성을 확보 할 수 있었다. 제안된 안티퓨즈의 이중 절연막의 두께는 250 이고 프로그래밍 전압은 9.0V이고, 약 65$\Omega$의 on 저항을 얻을수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제10권3호
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• pp.118-122
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• 2000

절연층으로 $Al_2$ $O_3$를 사용한 스핀의존성 터널링 접합에서 절연층의 두께가 자기저항특성에 미치는 효과에 대해 조사하였다. 스핀 의존성 터널링 접합은 3-gun 스퍼터링 시스템에서 4$^{\circ}$tilt-cut (111)Si 기판 위에 증착하였다. 절연층으로 사용된 $Al_2$ $O_3$는 Al을 1~3 nm로 증착한 후에 대기중에서 자연산화시켜 얻었고, 상부와 하부 강자성체 전극은 NiFe와 Co를 사용하였다. 자기저항비는 절연층의 두께가 2 nm인 터널링 접합에서 약 14 %로 최대값을 보였고 접합에 걸리는 터널링 전압이 증가함에 따라 최대 자기저항비는 급격히 감소하는 경향을 보였다.

• 한국소음진동공학회논문집
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• 제17권1호
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• pp.72-79
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• 2007

정밀 장비 운전시 지반진동 절연을 목적으로 널리 사용되는 공압제진대는 정밀 장비에서 요구하는 지반진동 규제의 강화에 따라 보다 개선된 절연성능을 요구받는다. 수동형 공압제진대의 경우, 제진대의 설계 변수들을 이용하여 그 성능을 개선하고 있으나, 제진대의 고유진동수 및 그 부근에서의 절연 성능 향상에는 한계가 있다. 이 연구에서는 진폭 의존성 등의 비선형성을 가지는 공압제진대에 대하여 비선형 강인성 능동제어이론인 시간지연 제어 기법을 적용하여 고유진동수 및 그 부근에서의 절연성능을 향상시키고자 한다. 공압제진대에 시간지연 제어기법을 적용하는 과정 및 능동제어 이론 적용에 따른 절연 성능 향상에 대한 모사실험 결과를 기술하고자 하며, 실험을 통하여 그 유효성 보이고자 한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
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• pp.779-783
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• 2002

변성기용 절연 재료로 사용되는 에폭시 수지를 시료로 선정, 5종의 배합비로 제작한 시편에 대해 절연 파괴 실험을 하며, 얻어진 데이터를 와이블 분포식을 이용, 경년 열화(經年劣和) 데이터의 통계 처리 방법을 제안하였다. 경화제 비율이 증가하면 에폭시 경화물의 에스터화로 인해 가교 밀도가 증가함으로써 저온에서의 파괴 강도가 높아졌으며, 유리 전이 온도(Tg) 영역인 11$0^{\circ}C$ 부근에서는 분자 운동이 활발해짐으로써 급격히 파괴 강도가 저하하였다. 또한, 충진제를 첨가한 경우 접합 계면에 전자가 가속되어 전반적인 파괴 강도는 무충진에 비해 낮게 나타났으며, 실란 처리를 한 경우에는 계면 접합 상태가 개선되어 충진제만을 첨가한 시료보다 좋은 절연성을 나타냈다. 와이블 분포의 분석으로부터 기기 절연의 허용 파괴 확률을 0.1% 이하로 낮추기 위해서는 허용인가 전계값이 21.5 MV/cm 이하가 되어야함을 알 수 있었다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.106-113
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• 2002

본 연구는 방전쳄버내에 각종 가스의 압력(58.8-137.3[kPa]) 변화에 따른 순수가스인 Kr, Ar 및 $N_2$가스의 절연 특성을 조사하고, 혼합가스인 Ar/$N_2$및 Kr/$N_2$가스의 절연 특성과 비교하였다. 또한, 실용 백열전구내의 혼합가스에 위한 각종 특성을 조사하였다. 실험 결과, $N_2$가스의 압력변화에 따른 절연 특성은 큰 분자량을 가진 Kr 및 Ar가스에 비하여 증가되었으며, 가스의 압력이 증가됨에 따라 절인파괴전압은 증가되었다. Ar/$N_2$및 Kr/$N_2$가스의 절연파괴전압은 $N_2$가스의 혼합비가 적을수록 감소되었으며, Kr(70%)$N_2$(30%)가스의 코로나개시전압은 Ar(70%)/$N_2$(30%)가스에 비해 증가되었다. 일반 백열전구에 Ar(70%)/$N_2$(30%)가스인 경우에 비해, Kr(70%)/$N_2$(30%)가스에서 광속과 수명이 대략 94[lm] 및 380[hr]으로 증가되었다. 백열전구내의 냉각온도가 20[$^{\circ}C$]일 때 혼합가스 주입압력은 40[$^{\circ}C$])에 비해 대략 13[%] 증가되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.224-224
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• 2009

본 연구는 여러종류의 에폭시 나노콤포지트의 절연파괴 강도에 대한 와이블 특성을 연구하였다. 여러 종류 나노콤포지트는 나노입자 형상의 변화 즉, 층상실리케이트(Layered Silicate)와 구상 입자(SiO2)의 충진함량변화를 통한 절연파괴특성을 연구하였다. 나노+마이크로입자에대한 두 개의 체적비를 통한 멀티-나노복합물을 구현하였고, 그 절연파괴 특성의 결과와 기계적특성으로 굴곡강도특성을 Weibull Plot을 통하여 분석하였다. 순수한 나노콤포지트보다 멀티나노콤포지트가 기계적특성에서 월등하게 나타내었고, 절연파괴강도역시 형상파리미터가 대단히 큰 결과를 얻었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권2호
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• pp.13-17
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• 2006

Pentacene channel PTFT(organic thin film transistor)을 SiOC 절연박막 위에서 thermal evaporation 방법을 이용하여 성장시켰다. CVD 방법으로 증착시킨 SiOC 절연막은 조성비에 따라 특성이 달라지므로 절연막 위에서의 펜타센의 화학적 반응을 조사하기 위해서 inorganic-type인 $O_2/(BTMSM+O_2)=0.5$의 비율을 갖는 SiOC 박막을 사용하였다. 펜타센 분자의 말단에서 SiOC 표면에서 Diels-Alder 반응에 의한 이중결합이 깨어지면서 안정된 성장을 하지만 온도가 높아감에 따라 표면에서의 $SN_2(bimolecular nucleophilic substitution)$ 반응과 연쇄적인 화학반응에 의해 .펜타센의 성장을 방해하는 것으로 나타났다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제20권10호
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• pp.164-171
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• 2006

본 연구에서는 연소화염이 존재할 때, 상용주파수 교류 및 직류 고전압에 대한 모델전력선의 절연파괴특성을 조사한 결과를 보고하였다. 화염높이와 위치에 따라 절연내력은 크게 저하되며, h=0에서 교류 및 직류 절연파괴전압은 화염이 없는 경우보다 최대 80[%] 저하되는 것으로 나타났다. 또한 화염위치가 k=0.5일 때 화염높이에 대한 영향도 조사하였으며, 교류전압 인가 시 h=0, 3, 6, 9 및 12[cm]로 변화시킨 경우, 화염이 없는 경우의 절연파괴전압에 비해 각각 78.6[%], 59.7[%], 46.9[%], 41.5[%] 및 35.4[%] 저하된 것으로 나타났다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제18권6호
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• pp.136-144
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• 2004

본 논문에서는 유침절연에 대한 열열화와 전기적열화 실험을 실시하여 유중가스분석법을 이용한 유침절연의 고장원인 진단에 대한 신뢰성을 향상시키는 방안에 대하여 연구하였다. 유침절연의 고장원인에 대하여 주도가스법과 탄화수소가스의 구성률, CO/$CO_2$비와 같은 진단요소를 단독으로 사용하는 것보다는 진단요소들의 상호관계를 이용하는 것이 유침절연의 고장원인을 신뢰성 있게 진단하는 것으로 나타났다.