• 전자공학회논문지A
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• 제33A권2호
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• pp.96-113
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• 1996

고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층 내에 존재하는 부정합 전위는 웨이퍼 가장자리에서 발생됨을 알았으며, 이 층을 도핑되지 않은 영역으로 둘러쌓음으로써 부정합 전위가 억제된 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층을 형성할 수 있었다. 이를 이용하여 부정합 전위가 없는 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘 멤브레인을 제작하였으며, 이 멤브레인의 표면 거칠기 및 파괴 강도 그리고 잔류 인장 응력을 각각 20$\AA$ 1.39${\times}10^{10}dyn/cm^{2}$ 그리고 2.7${\times}10^{9}dyn/cm^{2}$로 측정되었다. 반면에 부정합 전위를 포함하는 기존 멤브레인은 각각 500$\AA$ 8.27${\times}10^{9}dyn/cm^{2}$ 그리고 9.3${\times}10^{8}dyn/cm^{2}$로 측정되었으며, 두 멤브레인의 이러한 차이는 부정합 전위에서 기인함을 알았다. 측정된 두 멤브레인의 Young's 모듈러스는 1.45${\times}10^{12}dyn/cm^{2}$로 동일하게 나타났다. 또, 도핑 농도 1.3${\times}10^{12}dyn/cm^{3}$에 대한 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘의 유효 격자 상수 및 기존 멤브레인의 평면적 격자 상수 그리고 기존 멤브레인 내의 부정합 전위의 밀도는 각각 5.424$\AA$ 5.426$\AA$ 그리고 2.3${\times}10^{4}$/cm 로 추출되었으며, 붕소가 도핑된 실리콘의 부정합 계수는 1.04${\times}10^{23}$/atom으로 추출되었다. 한편 별도의 추가적인 공정없이 일반적인 에피 성장법을 사용하여 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층 위에 부정합 전위가 없는 에피 실리콘을 성장시켰으며, 이 에피 실리콘의 결정성은 매우 양호한 것으로 밝혀졌다. 또 부정합 전위가 없는 에피 실리콘에 n+/p 게이트 다이오드를 제작하고 그 전압-전류 특성을 측정한 결과 5V의 역 바이어스에서 0.6nA/$cm^{2}$의 작은 누설 전류값을 나타내었다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2001년도 춘계학술대회논문집A
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• pp.298-303
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• 2001

The critical thickness of an epitaxial film on a substrate in electronic or optoelectronic devices is studied on the basis of equilibrium dislocation analysis. Two geometric models, a single dislocation and an array of dislocations in heteroepitaxial system, are considered respectively to calculate the misfit dislocation formation energy. The isotropic linearly elastic stress fields for the models are obtained by means of complex potential method combined with alternating technique, and are used for calculating the formation energies. As a result, the effect of elastic mismatch between film and substrate on critical thickness is presented and $Si_xGe_{1-x}/Si$ epitaxial structure is analyzed to predict the critical thickness with varying germanium concentration.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.72-73
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• 1994

• Maxillofacial Plastic and Reconstructive Surgery
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• 제11권2호
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• pp.87-95
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• 1989

하악골 과두골절의 치로에 대해서는 여러가지 술식이 문헌상 보고되었으나 어떤 특정한 술식이 모든 증례에 적용될 수는 없으므로 각 증례에 따라 방사선 사진검사와 세밀한 임상검사 및 술자의 판단등에 따라 보존적인 치료법이나 외과적 수술법이 적절하게 선택되어야 한다. 대부분의 과두골절은 보존적인 치료만으로 만족스러운 결과를 얻을 수 있으나 보존적 처치후 장기간에 걸친 술후 검사시 하악의 기능장애, 부정교합, 하악골의 이환측으로의 전위, 위관절증 및 악관절 강직등의 병발증이 나타날 수 있으므로 골편이 심하게 전위된 경우나 무치악 환자, 구치부 고경유지가 어려운 환자 및 보존적 처치후 기능장애를 초래한 골편의 부정유합이나 비유합 환자에서는 관혈적 정복술로 보다 양호한 결과를 얻을 수 있다. 저자는 하악골 과두골절시 골편전위가 비교적 심한 6증례에서 악하부 피부절개를 통해 통상의 금속선 고정법, Kirschner 금속선을 이용한 고정법을 각 1예씩 사용하였고 4예는 골절선이 비교적 높아 통상의 수술방법으로 접근이 용이하지 않아 시상골절단과 사선골절단술을 이용하여 골편정복과 고정술을 시행하여 다소의 지견을 얻어 이에 보고하는 바이다.

• 한국재료학회지
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• 제4권5호
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• pp.516-523
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• 1994

이논문에서는 metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)에 의해서 성장된 InGaAsP/InP이종접합구조의 격자부정합이 Photoluminescence(PL)효율에 미치는 영향을 연구하였다. 격자부정합은 (400)과 {511} x-ray reflection을 통해 측정하였고, 부정합 전위의 유무는 x-ray to-pography와 PL imaging을 통해 확인했다. PL강도 측정결과, 상대적으로 높은 PL강도는 탄성적으로 스트레인을 받은 시료에, 낮은 PL강도는 전위로 인해 비탄성적으로 변형된 시료에서 얻어졌다. 성장온도에서 격자정합된 시료의 PL효율이 실온에서 가장 높은 것을 알 수 있었다. PL강도와 X-ray반치폭과 관계에서, 시료의 광전자 특성이 구조적 특성과 밀접하게 연관됨을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제7권10호
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• pp.914-918
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• 1997

MBS에 의해(001)GaAs기판 위에 성장된 Zn$_{1-x}$Co$_{x}$Se(x=1.0, 7.4, 9.5 %)반도체 박막과 (ZnSe/FeSe)반도체 초격자 박막의 미세구조를 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. Zn$_{1-x}$Co$_{x}$Se 박막 시편의 경우, 박막과 기판 사이의 격자 불일치때문에 a/2<110>형태의 버거즈 벡터를 가지는 부정합 전위를 관찰하였다. 모든 Zn$_{1-x}$Co$_{x}$Se 박막과 기판의 계면은 뚜렷이 구별되었고, 계면에서 산화물이나 이물질이 존재하지 않았다. 또한, (ZnSe/FeSe)초격자를 성장시키기 전에 GaAs기판 위에 ZnSe바닥층을 넣음으로써 고품질의 (ZnSe/FeSe)초격자를 얻었다. (ZnSe/FeSe)초격자에 있는 FeSe는 섬아연광 결정구조로 존재하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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• pp.990-994
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• 2005

II-VI족 화합물 반도체를 성장하기 위한 MBE 성장 조건으로서 성장 온도, flux 율, 성장률에 대해 연구하였다. 성장 온도, flux 율, 성장률은 각각 290 $^{\circ}C$, 2, 0.6 ${\mu}m$/hr로 조절되었다. 위와 같이 설정된 성장 조건에서 단결정 성장을 확인하기 위하여 ZnSe 박막을 성장하였다. 성장된 박막의 AFM 측정 결과, 박막의 표면은 비교적 거칠었으며 (RMS ${\sim}$ 2.9 nm) 이는 낮은 성장 온도, 빠른 성장률로 인한 것임을 알 수 있었다. 그리고 XRD 측정 결과는 박막의 두께가 임계 두께를 넘어서 격자 정수의 부정합이 완화되었음을 보여주었다. XRD를 이용한 비파괴 방법으로 전위 밀도를 구하기 위해 (002), (004), (115), (006) 면에 대해 XRD를 측정하여 박막 내 전위밀도를 구하였다. XRD 측정 결과를 이용하여 계산한 결과 전위 밀도는 8.30${\times}10^8$ dis/cm$^2$로 종래의 연구와 비슷한 수준의 박막이 구현되었음을 알 수 있었다.

• Clinics in Shoulder and Elbow
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• 제12권1호
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• pp.61-66
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• 2009

목적: 기존의 연구들은 쇄골의 부정 유합 및 불유합에 대한 지연 재건술의 결과가 골절 후 조기 수술적 치료에 필적할 만한 우수한 결과들을 보고하여 왔으나 두 군을 직접적으로 비교한 연구는 드문 실정이다. 저자들은 쇄골 불유합과 부정 유합의 지연 재건술 군과 조기 고정술 군 간의 결과를 비교하였다. 대상 및 방법: 2000년 3월부터 2006년 2월까지 전위성 쇄골 간부 골절에 대해 조기 고정술을 시행한 18예(조기 고정술 군)와 보존적 치료 후 발생한 부정 유합 혹은 불유합에 대해 지연 재건술을 시행한 15예(지연 재건술 군)를 대상으로 하였다. 최종 결과 판정은 Constant 점수에 의한 임상적 결과와 방사선학적 골유합 소견을 비교하였다. 결과: Constant 점수는 지연 재건술 군이 조기 고정술 군에 비해 의미있게 낮았다(p=0.045). 통증 점수와 일상 생활 활동 점수는 두 군간 통계학적으로 유의한 차이를 보였으나(p<0.05) 관절 운동 범위 점수와 근력 점수는 두 군간 통계학적 유의성을 보이지 않았다(p>0.05). 방사선학적 골유합 소견은 조기 고정술 군 평균 8.8주, 지연 재건술 군 평균 9.8주에 관찰되었고 두 군 모두 전례에서 골유합 소견을 보였다. 결론: 지연 재건술 군 또한 임상적, 방사선학적으로 우수한 결과를 보였지만 조기 고정술 군에 비해 Constant 점수와 통증 점수, 일상 생활 활동 점수에서 유의하게 낮은 결과를 보였다. 쇄골 전위성 간부 골절의 초기 치료 선택에 있어 조기 수술과 지연 재건술의 장단점을 환자에게 충분히 설명하고 초기 치료를 결정하는 것이 중요하리라 생각된다.

• Applied Microscopy
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• 제27권4호
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• pp.483-488
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• 1997

A misfit dislocation generation in InAs epilayers grown on (001) InP substrates (oriented $2^{\circ}$ off (001) toward the [110] direction) using metalorganic chemical-vapor deposition was studied. The InAs film of 17 nm thickness grown at $405^{\circ}C$ showed the three different arrays of dislocations: a straight orthogonal array to the <110> direction, an array to the >100> direction, and an array tilted by a degree of $5\sim45^{\circ}$ from the [110] direction. All of the dislocations had a/2<101> Burgers vectors inclined $45^{\circ}$ to the interface. Upon annealing at $660^{\circ}C$ the InAs films with 60, 140 and 220 nm thicknesses, most of the misfit dislocations became the Lomer type $(\sim100%)$ oriented exactly along the >110> direction. These misfit dislocation spacings were decreased with increasing the InAs thickness up to 220 nm thickness. This phenomena was interpreted by the relationship between the dislocation interaction energy among parallel misfit dislocations and the opposite remnant InAs epilayer strain energy. The distance between misfit dislocations was measured by transmission electron microscopy.

• 전자공학회논문지B
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• 제33B권11호
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• pp.140-149
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• 1996

흘림체 필기 문자는 문자의 가능한 한도 펜의 움직임을 줄이려는 경제성의 원칙에서 비롯된다. 즉, 다음 획을 쓰기 위해 이동할 때 펜을 들지 않거나, 아예 이동을 생략하거나, 또는 연결된 두 획이 서로 닮아가면서 필기하기 쉬운 단순간 형태로 변화한다. 이러한 변화로 인해, 획이나 자소의 형태가 달라질 뿐만 아니라, 획간이나 자소간의 구분이 매우 어려워진다. 따라서 흘림체의 효과적인 인식을 위해서는 획이나 자소의 정확한 분할에 의존하지 않으면서, 일정한 단위로 분할하여 매칭할 수 있는 방법이 필요하다. 이 연구에서는 구조적인 형태의 단위로 분할하고 매칭하는 '곡률획 모델링 방법(curvature stroke modeling method)'을 제안한다. 곡률획(curvature stroke)은 필기의 회전 방향이 바뀌지 않는 부분획으로 정의되며, 곡률에 따라 선분, 호, 원 등의 형태를 갖는다. 흘려 써진 입력 획들을 곡률획의 나열로 변환하기 위해서는, 필기의 회전을 변화시키는 곳, 급격한 방향 변화를 일으키는 곳, 그리고 지나친 회전을 일으키는 곳 등을 분할한다. 각 참조 자소는 정자체로 입력하여 분할 과정에 의해 생성된 곡률획의 나열로 저장되어 있으며, 인식중에 융합과정을 수행함으로써 매칭을 위한 다양한 곡률획의 나열을 만들어낸다. 이때, 가상 획이 필기되거나 생략될 가능성도 고려한다. 인식의 기본 단위로 곡률획을 사용함으로써, 입력 문자의 불필요한 분할점들을 효과적으로 줄일 수 있고, 또한 자소간의 연결점을 찾기 어려운 경우에도 인접한 두 자소에 걸치는 참조 곡률획을 생성해내기 때문에 정확한 매칭이 가능해진다. 실험 결과, 83.60%의 제 1후보 인식률과 0.99초/자(CPU 클럭: 66MHz)의 처리 시간을 보였다./atom으로 추출되었다. 한편 별도의 추가적인 공정없이 일반적인 에피 성장법을 사용하여 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층 위에 부정합 전위가 없는 에피 실리콘을 성장시켰으며, 이 에피 실리콘의 결정성은 매우 양호한 것으로 밝혀졌다. 또 부정합 전위가 없는 에피 실리콘에 n+/p 게이트 다이오드를 제작하고 그 전압-전류 특성을 측정한 결과 5V의 역 바이어스에서 0.6nA/$cm^{2}$의 작은 누설 전류값을 나타내었다.이었다 5. 쌀의 알칼리 붕괴도는 밀양 맥후작산미가 가장 높았고 호남평야지산미가 가장 낮았는데 비해 아밀로그래프의 호화개시온도는 수원과 이리산미가 가장 낮았던 반면 밀양산미가 가장 높았다. 강하점도는 밀양산미가 가장 낮았고 다음이 이천산미가 낮았던데 비해 계화 및 이리산미가 가장 높았으며 치반점도는 이와 정반대의 경향을 나타내었다. 밥의 점성 /경도비율은 지역간 차이가 유의하지는 않았으나 남부평야산미가 중부평야산미에 비해 다소 떨어지는 경향이었다. 6. 식미와 관련이 있는 쌀 외관품질 및 이화학적 특성을 이용한 주성분 분석에서 전정보의 약 59% 설명이 가능한 제 1 및 제 2 주성분치상의 7개 품종별 6개 산지미의 분포로 보아 품종에 따라서 산지 반응이 달랐는데 대체로 자포니카와 통일형 품종군간 구분과 밀양, 중부평야 및 호남평야의 세 산지간 구분이 가능하였다. 산지내 품종간 미질변이는 남양간척지와 이리산미가 비교적 작았는데 수원산미는 이천과 남양산미의 미질변이를, 계화산미는 이리산미의 미질변이를 거의 포괄하였다.는 산불위험지역의 격자점(15km)내에 최소한 1대의 AWS 설치방안을 제시하였지만, 금후에는 15km내에서도 능선, 계곡 등 구체적인 위치확정을 위한 선행연구가 실시되어야할