• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.538-538
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• 2008

금속계열의 박막을 평탄화하기위해서는 슬러리에 함유된 산화제에 의해 부동태층의 형성이 선행되어야 한다. 따라서 본 논문에서는 Copper 박막의 표면을 부동태층으로 형성시키고 CMP공정을 하기위해 산화제에 dipping을 시켰으며 삼화제의 종류는 $H_2O_2$, MSW2000B, $KIO_3$로 하고 dipping 시간은 30초, 60초, 90초, 3분, 10분으로 하여 시간과 산화제 종류에 따른 부동태층의 변화를 연구하였다. 부동태층의 관찰은 FESEM을 이용하여 표면과 단면을 관찰하였고 부동태층의 조성비율은 EDX를 이용하여 조사하였다. MSW 2000B의 경우는 부동태층이 덩어리 모양으로 형성되었으며 포화현상은 3분에 일어났다. 반면에 $H_2O_2$의 경우는 부동태층이 침상 모양으로 형성되었으며 포화현상은 90초에 일어났다. 산화제에 의해 부동태층을 형성시킨 후 POLI-450을 이용하여 평탄화공정을 진행하였으며 CMP공정조건은 부동태층의 연질상태임을 감안하여 헤드 스피드 20rpm, 플레이튼 스피드 10rpm, 슬러리 주입속도 90ml/min, 공정온도는 상온으로 하여 진행하였다. $H_2O_2$를 산화제로 사용하여 dipping을 하고 CMP를 하였을 경우에 균일한 박막을 확보 할 수 있었으며 CMP 공정 후 copper 박막의 균일성은 FESEM을 이용하여 관찰 하였다.

• 대한안전경영과학회:학술대회논문집
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• 대한안전경영과학회 2012년 추계학술대회
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• pp.377-383
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• 2012

순수한 우라늄 금속은 칩이나 분말로 존재할 경우 반응면적이 넓어 자연 발화할 정도의 산화력을 지니며 산화열이 높기 때문에 운반 및 처리시 화재의 위험성이 있다. 따라서 이들을 장기보관하거나 영구처분시 안정한 형태의 전환이 우선되어야 한다. 외국의 경우 감손우라늄 폐기물을 자연에서 가장 안전한 상태인 산화우라늄의 형태로 산화 처리 후 영구처분하고 있으며, 이를 위하여 우라늄 칩의 산화거동에 관한 연구가 수행 되었다. 우라늄 칩을 안전하게 보관하려면 불활성 분위기를 형성해 주든가 또는 우라늄 칩의 표면에 부동태층을 형성시켜야 한다. 또는 우라늄 칩을 광유속에 넣어 공기나 물이 우라늄 칩에 접촉되지 않는 방법으로 보관하는 것이 바람직하다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.203-207
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• 1998

After etching Al-Cu alloy films using $SiCl_4/Cl_2/He/CHF_3$ plasma, a corrosion phenomenon on the metal surface has been studied with XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) and SEM (Scanning electron microscopy). In Al-Cu alloy system, the corrosion occurs rapidly on the etched surface by residual chlorine atoms. To prevent the corrosion, the $SF_6$ plasma treatment subsequent to the etch has been carried out. A passivation layer is formed by fluorine-related compounds on etched Al-Cu alloy surface after $SF_6$ treatment, and the layer suppresses effectively the corrosion on the surface as the RF power of $SF_6$ treatment increases. The corrosion could be suppressed successfully with $SF_6$ treatment in the RF power of 150watts.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.540-540
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• 2008

본 논문에서는 KOH 전해액을 이용하여 Cu 막의 부동태층의 형성을 I-V를 통해 평가하였으며, 이를 토대로 최적화된 전압과 시간을 알 수 있었다. 또한, SEM, EDS, XRD를 통해 표면 품질 및 성분 분석을 비교 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.517-521
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• 1998

After etching Al-Cu alloy films using $SiCl_4/Cl_2/He/CHF_3$ plasma, a corrosion phenomenon on the metal surface has been studied with XPS(X-ray pheotoelectron spectroscopy) and SEM (Scanning electron microscopy). In Al-Cu alloy system, the corrosion occurs rapidly on the etched surface by residual chlorine atoms. To prevent the corrosion, $CHF_3$ plasma treatment subsequent to the etch has been carried put. A passivation layer is formed by fluorine-related compounds on the etched Al-Cu surface after $CHF_3$ treatment, and the layer suppresses effectively the corrosion on the surface as the $CHF_3$treatment in the pressure of 300m Torr.

• 자원리싸이클링
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• 제3권2호
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• pp.17-23
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• 1994

국내의 금정광으로부터 산성치오요소법에 의해 금, 은을 회수하기 위한 침출실험을 행하였다. 실험결과에 따르면 금, 은의 침출은 치오요소 및 산화제의 농도, 광액농도 등에 의해 크게 영향을 받고 있으며, 특히 3가철과 같은 산화제는 금, 은의 침출속도를 상당히 증가시킨다. 그러나 3가철의 농도가 너무 높으면 황화팡을 용해시켜 광석입자표면에 부동태층을 형성하기 때문에 금, 은의 침출을 저해하기도 한다. 한편 침출반응시 $SO_2$를 첨가하면 치오요소의 소모량은 어느정도 절감시킬 수 있으나, 금은의 침출율이 저하하여 귀금속의 회수에는 그리 효과적이지 못하다. 금정광으로부터 금과 은은 적정조건하에서 각각 90% 및 80%의 침출율을 보이며 이때 치오요소 소모량은 초기 농도의 약 10% 정도이다.

• 자원리싸이클링
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• 제31권3호
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• pp.61-72
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• 2022

주요성분이 Sn(93.0 %)-Ag(3.26 %)-Cu(0.89 %)로 구성되는 SAC 폐무연솔더로부터 주석과 은을 회수하기 위한 전기화학적인 방법을 연구하였다. 폐무연솔더의 건식용해, 주조를 통해 제조한 작업전극을 사용하여 분극거동 조사와 정전류 전해용해를 실시하였다. 분극시험 시 활성화영역의 산화전류피크는 전해액의 황산 농도가 높아질수록 감소하였으며, 1 molL^-1 황산농도가 전해용해를 위해 가장 적절한 것으로 나타났다. 정전류 용해 시 전극표면의 부동태층인 양극슬라임이 두꺼워짐에 따라 전극전위가 지속적으로 높아졌으며, 10 mAcm^-2에서 25시간동안 지속적인 전해용해가 가능한 반면 50 mAcm^-2에서는 2.5 시간 이후부터 전극전위가 급상승하여 전해용해반응이 중단되었다. 정전류 전해용해 시 은은 양극슬라임에 농축되었으며, 전해액내 염소이온의 농도가 0.3 molL^-1인 경우 농축율이 미첨가 조건보다 12.7% 높은 94.3%를 나타내었다. 또한 염소이온의 첨가에 의해 전해액내 주석이온의 안정성을 높이고 주석의 전착전류효율을 향상시킬 수 있었다.