• 한국광학회지
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• 제24권6호
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• pp.342-346
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• 2013

고출력 LED 패키지의 방열 특성 향상을 위하여, 다이 접합부에 실리콘 접착제와 금속 패턴의 병렬 접합 구조를 적용하여 열 유동 해석을 수행하였다. 그 결과, LED 칩에서 발생한 열은 주로 금속 패턴 구조물을 통해 기판으로 효과적으로 전달되고 있으나, 패턴 구조물의 크기에 따라 효율의 차이가 있음을 확인하였고, 그 효과를 정량화하기 위해 정규화 길이를 도입하여 칩과 금속 패턴 구조물의 면적에 따른 열 저항을 비교하였다. 정규화 길이가 길어지면 금속 패턴 구조물에 의한 열 우회 경로가 칩에 고르게 분포하여 열 저항이 감소하였으며, 그 값은 단순 병렬 열 저항 이론 값보다 다소 큰 수치로 수렴하지만, 충분한 열 저항 개선 효과를 얻을 수 있었다.

• 청정기술
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• 제18권4호
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• pp.355-359
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• 2012

본 연구에서는 보다 효율적인 광 전기화학적 수소제조를 위하여 광촉매로써 산화텅스텐에 티타늄을 함침하여 $Ti/WO_3$ 나노입자를 제조하였다. 제조한 $Ti/WO_3$의 물리적 특성은 X-선 회절분석법(XRD), 주사전자현미경(SEM), 발광분광계(PL), 원자간력 현미경(AFM), 정전기 현미경(EFM)을 통해 확인하였다. 메탄올/물 (1/1) 광분해 수소제조 실험 결과, 순수 아나타제 티타니아나 산화텅스텐 광촉매보다 $Ti/WO_3$ 광촉매에서 촉매활성이 향상되었으며, 0.5 g의 0.10 mol % $Ti/WO_3$ 촉매를 사용한 경우 8시간 반응 시 3.02 mL의 수소가 발생되었다.

• 한국재료학회지
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• 제18권4호
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• pp.199-203
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• 2008

High-efficiency phosphorescent organic light emitting diodes using TCTA-TAZ as a double host and $Ir(ppy)_3$ as a dopant were fabricated and their electro-luminescence properties were evaluated. The fabricated devices have the multi-layered organic structure of 2-TNATA/NPB/(TCTA-TAZ) : $Ir(ppy)_3$/BCP/SFC137 between an anode of ITO and a cathode of LiF/AL. In the device structure, 2-TNATA[4,4',4"-tris(2-naphthylphenyl-phenylamino)-triphenylamine] and NPB[N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine] were used as a hole injection layer and a hole transport layer, respectively. BCP [2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline] was introduced as a hole blocking layer and an electron transport layer, respectively. TCTA [4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine] and TAZ [3-phenyl-4-(1-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole] were sequentially deposited, forming a double host doped with $Ir(ppy)_3$ in the [TCTA-TAZ] : $Ir(ppy)_3$ region. Among devices with different thickness combinations of TCTA ($50\;{\AA}-200\;{\AA}$) and TAZ ($100\;{\AA}-250\;{\AA}$) within the confines of the total host thickness of $300\;{\AA}$ and an $Ir(ppy)_3$-doping concentration of 7%, the best electroluminescence characteristics were obtained in a device with $100\;{\AA}$-think TCTA and $200\;{\AA}$-thick TAZ. The $Ir(ppy)_3$ concentration in the doping range of 4%-10% in devices with an emissive layer of [TCTA ($100\;{\AA}$)-TAZ ($200\;{\AA}$)] : $Ir(ppy)_3$ gave rise to little difference in the luminance and current efficiency.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제11권3호
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• pp.33-37
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• 2012

Simple and high efficiency blue organic light-emitting diodes with three organic layers of N, N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolylamino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine[DNTPD]/1,1-bis-(di-4-polya-minophenyl)cyclohexane[TAPC]/electron transport material [ET-137] were fabricated and their electroluminescent characteristics were evaluated according to the TAPC thickness variation in a range of $50{\sim}300{\AA}$. Electroluminescence spectra of the devices with structure of DNTPD/TAPC/ET-137 showed all the same central emission wavelengths of 455 nm under an applied voltage of 7V, which were similar with that of the device with ET-137 only. On the other hand, the electroluminescence spectra of the device with structure of DNTPD/ET-137 without TAPC layer showed double emission peaks at the wavelengths of 455 nm and 561 nm under an applied voltage of 7V. In the devices with structure of DNTPD/TAPC/ET-137, single peak blue emission was not maintained in the device with $50{\AA}$-thick TAPC above 8V by the formation of exciplex. In the device with $300{\AA}$-thick TAPC, however, single peak blue emission was maintained until 10 V. According to the thickness increase of TAPC in the fabricated devices, the current density and luminance decreased, but the luminous efficiency and roll-off characteristics were improved.

• 한국진공학회지
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• 제20권2호
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• pp.127-134
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• 2011

본 연구에서는 고분해능 X선 회절법을 이용해 Ni/Ag 반사막 p형 오믹 전극의 Ag 집괴에 따른 전극의 구조 분석을 수행하였다. 대기 분위기에서 오믹 전극을 고온 열처리할 경우, 열처리 시간이 증가할수록 Ag의 집괴가 진행되어 24시간 열처리 후, 전류-전압 곡선은 쇼트키 특성을 나타내었고, 또한 460 nm 파장에서 21%의 낮은 반사도를 나타내었다. X선 회절 결과로부터 Ag의 집괴가 진행될수록, Ag 박막의 내부 변형율을 감소되는 방향으로 Ag 원자의 확산이 진행되어, Ag (111) 결정면의 면간 거리가 bulk Ag와 거의 동일하게 나타났다. 이러한 반사막 오믹 전극의 구조 분석은 고출력 고효율 수직형 LED에 적합한 열적 안정성이 우수한 오믹 전극의 개발에 매우 중요함을 알 수 있다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권5호
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• pp.561-566
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• 2014

발광 반도체칩을 주재료로 하는 LED의 열 문제를 해결하기 위해 1개의 보드에 밀집형으로 배열한 COB(Chip on Board)에 관한 관심이 증가하고 있다. 고출력 COB LED의 경우, 소비전력이 높아 발생되는 열을 해결하기 위한 방열이 필수적이며 소자의 온도가 상승하면 효율적인 광 방출을 저해하게 되며 열적 스트레스에 따라 소자의 수명이 급격히 저하된다. 이러한 열적인 문제점을 해결하기 위해 본 논문에서는 13.5W급 COB LED와 형상이 다른 4 개의 방열판을 패키징하여 Solidworks Flow Simulation을 통한 열적 특성을 분석한 후, 가장 우수한 특성을 가진 방열판 형상을 실물로 제작하여 13.5W급 COB LED 다운라이트 소자와 결합시킨 다음, $1m^3$ 공간에서 접촉식 온도계와 비접촉식 온도계를 사용하여 LED 소자와 방열판 간의 열적 특성을 실물 실험을 통하여 분석 평가하였다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제11권2호
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• pp.51-55
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• 1997

고주파용 형광램프 시스템은 높은 발광효율 때문에 일반적으로 많이 사용되고 있다. 그러나, 이 고주파용 형광램프의 동작 특성은 동작주파수, 램프형상, 램프전압 및 전류값과 전자식안정기와 코아식안정기의 사용에 따라서 차이가 많이 난다. 그렇기 때문에 형광램프의 특성은 안정기의 특성을 고려한 형광램프 시스템의 동작특성 정합성에 매우 중요하다. 본 논문에서는 FHF32W(T8)형광램프의 고주파 특성을 가장 많이 사용되는 주파수 영역(12[kHz]∼50[kHz]에서 측정, 분석하였다. 특히 램프전류의 변화에 따른 형광램프의 비선형 임피던스를 모델링해서, 램프전류 변화에 의한 형광램프의 부임피던스 동작특성을 파악하여 고주파 형광램프의 최적 특성치를 선택할 수 있는 방법을 제시하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.178-178
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• 2007

II-VI의 넓은 밴드갭 (3.37 eV)을 가지는 ZnO는 solar cells, transparent conductive electrodes, ultraviolet light emitters, and chemical sensors 등에 응용되고 있다. 특히 고효율 ZnO계 발광 소자 구현을 위하여 MgO (7.7eV), CdO (2.0eV) 등의 고용을 통한 밴드갭을 엔지니어링 하며, 단파장 영역의 광원을 확보하기 위하여 MgO 첨가를 통한 밴드갭 에너지를 증가시키는 방향으로의 연구가 활발하다. 그러나 ZnO의 wurtzite 구조와 MgO의 rocksalt 구조의 상이한 결정구조로 인하여 Mg의 고용한계는 4 at. %, 4.1 eV 알려져 있다. 본 실험에서는 p-type Si (100), c-sapphire (0002)과 GaN 기판 위에 MgO (99.999 %)와 ZnO (99.999 %) 두가지 타겟을 사용하여 RF co-스퍼터링법으로 ZnMgO 박막을 증착 하였다. 이때 ZnO 타겟의 power 밀도는 고정 시키고 MgO 타겟의 power 밀도를 변화 시키며 Mg의 함량을 조절하여 그에 따른 광학적 구조적 특성의 변화를 연구 하였다. 성장된 ZnMgO 박막은 MgO 타겟의 power 밀도가 증가할 때 Mg의 함량이 10 at. %까지 증가 하며, 그에 따른 표면의 거칠기 및 입계 크기가 감소하며, 박막의 성장속도 또한 감소함을 SEM과 AFM을 통하여 알 수 있었다. XRD를 동하여 ZnMgO 박막의 (0002) peak의 위치는 $34.50^{\circ}{\sim}34.7^{\circ}$로 오른쪽으로 이동하며, c-축으로 성장하였음을 알 수 있다. PL과 UV룰 동하여, Mg의 함량이 증가 할수록 박막의 밴드갭 에너지는 3.2 eV에서 4.1 eV 로 증가하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권10호
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• pp.817-821
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• 2011

We have proposed an optical thin film and micro lens to improve the luminance of organic light emitting device. The first method, optical thin film was calculated refractive index of dielectric layer material that was modulated refractive index of organic material, ITO (indium tin oxide)and glass. The second method, microlens was applied with lenses on the organic device. Optical thin films were designed with Macleod Simulator and Micro Lenses were calculated by FDTD (finite-difference time-domain) solution. The structure of thin film was designed in organic material/ITO/dielectric layer/glass. The lenses size, height and distance were 5 ${\mu}m$, 1 ${\mu}m$, 1 ${\mu}m$, respectively. The material of micro lenses used silicon dioxide. Result, The highest luminance of OLED which applied with microlens was 11,185 $cd/m^2$, when approval voltage was 14.5 V, applied thin film was 5,857 $cd/m^2$. The device efficiency applying microlens increased 3 times than the device which does not apply microlens.

• 한국진공학회지
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• 제15권6호
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• pp.576-580
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• 2006

본 논문에서는 수은 램프를 대체하기 위하여 제논 기체를 사용한 무수은 램프를 제작하여 제논 여기종 밀도에 대한 연구를 진행하였다. 진공자외선을 방사할 수 있는 $1s_4$ 공명준위의 제논 원자 밀도와 $1s_5$ 준안정준위의 제논 원자 밀도를 레이저 흡수 분광법을 사용하여 다양한 기체조건 및 방전전류에 따라서 측정하였다. 우리는 주어진 압력에서 방전전류에 따른 $1s_4$ 공명준위의 제논 원자 밀도와 $1s_5$ 준안정준위의 제논 원자 밀도를 측정하였으며 이러한 기본적인 방전 특성의 이해는 EEFL뿐만 아니라 플라스마 디스플레이에서도 발광 효율을 높이는데 매우 큰 기여를 할 것이다.