• Title/Summary/Keyword: 반도체상

Search Result 519, Processing Time 0.029 seconds

Various Shape of Carbon Layer on Ga2O3 Thin Film by Controlling Methane Fraction in Radio Frequency Plasma Chemical Vapor Deposition (Ga2O3박막 상에서의 RF 플라즈마 화학기상증착법의 메테인 분율 조절에 의한 탄소층의 다양한 형상 제어 연구)

  • Seo, Ji-Yeon;Shin, Yun-Ji;Jeong, Seong-Min;Kim, Tae-Gyu;Bae, Si-Young
    • Journal of the Korean Society for Heat Treatment
    • /
    • v.35 no.2
    • /
    • pp.51-56
    • /
    • 2022
  • In this study, we controlled the shape of a carbon layer on gallium oxide templates. Gallium oxide layers were deposited on sapphire substrates using mist chemical vapor deposition. Subsequently, carbon layers were formed using radio frequency plasma chemical vapor deposition. Various shapes of carbon structures appeared according to the fraction of methane gas, used as a precursor. As methane gas concentration was adjusted from 1 to 100%, The shapes of carbon structures varied to diamonds, nanowalls, and spheres. The growth of carbon isotope structures on Ga2O3 templates will give rise to improving the electrical and thermal properties in the next-generation electronic applications.

Post-corona and semiconductor industry: The risk of separation of the semiconductor value chain triggered by Corona 19 and the response strategy of the Korean semiconductor industry (포스트 코로나와 반도체 산업 : 코로나19로 촉발된 반도체 밸류체인 분리 위험과 한국 반도체 산업의 대응전략)

  • Kim, Kiseop;Han, SeungHun
    • Journal of Technology Innovation
    • /
    • v.28 no.4
    • /
    • pp.127-150
    • /
    • 2020
  • The World Health Organization (WHO) declared the third pandemic in history after the Hong Kong flu and swine flu. The outbreak of Corona 19 dramatically reduced exchanges between countries, while rapid contagion created a time gap in economic fluctuations by country. In January 2020, the trade dispute between the US and China entered into a consensus phase, but the economic decoupling phenomenon caused by Corona 19 made it difficult for China to balance trade with the US and made it difficult to comply with the terms of the trade dispute agreement between the US and China. President Trump attributed the responsibility for the spread of Corona 19 to China, and pointed out that the cause of the economic downturn was the infringement of Chinese trade secrets and illegal copies, and protectionism arose. As a result, China protested fiercely, and the conflict with the United States deepened. The US has declared trade sanctions on Huawei and SMIC, which are key companies in China's semiconductor industry, and is predicting the risk of a disconnection of the semiconductor value chain between the US and China. The separation of the value chain of the semiconductor industry has the potential to have a big impact on the semiconductor industry, a structure that is highly specialized and monopolized by certain countries and companies in the value chain. This paper aims to deal with the risk of disconnection in the semiconductor value chain between the US and China reignited by Corona 19, the impact and change of the global semiconductor industry value chain, and the response strategies of Korean semiconductor companies.

Influence of carrier suppressors on electrical properties of solution-derived InZnO-based thin-film transistors

  • Sim, Jae-Jun;Park, Sang-Hui;Jo, Won-Ju
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2016.02a
    • /
    • pp.262-262
    • /
    • 2016
  • 최근 고해상도 디스플레이가 주목받으면서 기존 비정질 실리콘(a-Si)을 대체할 수 있는 재료에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. a-Si의 경우 간단한 공정 과정, 적은 생산비용, 대면적화가 가능하다는 장점이 있지만 전자 이동도가 매우 낮은 단점이 있다. 반면, 산화물 반도체는 비정질 상태에서 전자 이동도가 높으며 큰 밴드갭을 가지고 있어 투명한 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 저온공정이 가능하여 기판의 제한이 없는 장점을 가지고 있다. 대표적으로 가장 널리 연구되고 있는 산화물 반도체는 a-IGZO(amorphous indium-gallium-zinc oxide)이다. 그러나 InZnO(IZO) 기반의 산화물 반도체에서 carrier suppressor 역할을 하는 Ga(gallium)은 수요에 대한 공급이 원활하지 못하여 비싸다는 단점이 있다. 그러므로 경제적이면서 a-IGZO와 유사한 전기적 특성을 나타낼 수 있는 suppressor 물질이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 IZO 기반의 산화물 반도체에서 Ga을 Hf(hafnium), Zr(zirconium), Si(silicon)으로 대체하여 용액증착(solution-deposition) 공정으로 각각의 채널층을 형성한 back-gate type의 박막 트랜지스터(thin-film transistor, TFT) 소자를 제작하였다. 용액증착 공정은 물질의 비율을 자유롭게 조절할 수 있고, 대기압의 조건에서도 공정이 가능하기 때문에 짧은 공정시간과 저비용의 장점이 있다. 제작된 소자는 p-type Si 위에 게이트 절연막으로 100 nm의 열산화막이 성장된 기판을 사용하였다. 표준 RCA 클리닝 후에 각 solution 물질을 spin coating 방식으로 증착하였다. 이후, photolithography, develop, wet etching의 과정을 거쳐 채널층 패턴을 형성하였다. 또한, 산화물 반도체의 전기적 특성을 향상시키기 위해서 후속 열처리 과정(post deposition annealing, PDA)은 필수적이다. CTA 방식은 높은 열처리 온도와 긴 열처리 시간의 단점이 있다. 따라서, 본 연구에서는 $100^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도와 짧은 열처리 시간의 장점을 가지는 MWI (microwave irradiation)를 후속 열처리로 진행하였다. 그 결과, 각 물질로 구현된 소자들은 기존 a-IGZO와 비교하여 적은 양의 carrier suppressor로도 우수한 전기적 특성 및 안정성을 얻을 수 있었다. 따라서, Si, Hf, Zr 기반의 산화물 반도체는 기존의 Ga을 대체하여 저비용으로 디스플레이를 구현할 수 있는 IZO 기반 재료로 기대된다.

  • PDF

The Effect of Powder Oxidation on the Thermoelectric Properties of β-FeSi2 (β-FeSi2의 열전변환특성에 미치는 분말산화의 영향)

  • ;Kunihito Koumoto
    • Journal of the Korean Ceramic Society
    • /
    • v.40 no.11
    • /
    • pp.1106-1112
    • /
    • 2003
  • For the purpose of making clear the role of oxygen in the thermoelectric properties of FeSi$_2$, thermoelectric measurements and spectroscopic characterization were conducted for the oxidized specimens fabricated from ($\alpha$+$\varepsilon$)-phases and/or $\beta$-phase. Addition of oxygen to FeSi$_2$ prevented both densification during sintering and transformation from metallic phases to semiconducting phase during annealing treatment. In an specimens, electrical conductivity and thermal conductivity decreased with oxidation time. The Seebeck coefficient was positive and small for pure FeSi$_2$. And/or the oxidized specimens fabricated from ($\alpha$+$\varepsilon$)-phases. However, it was negative and showed a maximum peak at about 500 K for the oxidized FeSi$_2$ fabricated from $\beta$-phase. The value of maximum peak increased with oxidation time.

양자계산을 통한 CuPC의 전자구조 특성 분석

  • Gang, Yeong-Ho
    • Proceeding of EDISON Challenge
    • /
    • 2014.03a
    • /
    • pp.467-471
    • /
    • 2014
  • 유기 반도체 물질로서 활발히 연구되고 있는 CuPC의 기체 및 고체상에 대한 전자구조 분석을 진행하였다. CuPC는 기체상에서는 4 eV 이상의 큰 HOMO-LUMO gap을 가지고 있지만 고체가 되면 ~2 eV 정도의 gap을 나타내게 된다는 것을 밝혔다. 특히 GW 계산을 이용하여 고체에서 전자의 screening 효과는 IP와 EA를 기체에 비해 상당히 변화시킨다는 것을 알아냈고 이는 CuPC와 같은 유기 분자로 이루어진 고체의 전자구조 결정에 polarizable medium을 잘 기술하는 것이 중요한 역할을 한다는 것을 발견하였다.

  • PDF

TiO2 nanostructures by Hydrothermal method : synthesis and properties (수열 합성법에 의한 TiO2 nanotube의 제조 및 특성)

  • Son, Ji-Eun;Jo, Seong-Hun;Lee, Su-Wan
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
    • /
    • 2014.11a
    • /
    • pp.263-263
    • /
    • 2014
  • 자외선 영역에서 우수한 광촉매 반도체인 이산화티탄($TiO_2$)은 환경, 에너지와 같은 분야 등에 유용하게 이용된다. 용액상에서 고활성 광촉매의 제조가 가능한 수열합성법에 의해 균일한 결정상의 나노 크기의 미세한 이산화티탄($TiO_2$) 입자를 제조하고, XRD, TEM, UV-vis-DRS, 그리고 염료의 광촉매 흡착 반응을 통하여 그 특성과 광촉매 효율을 조사하였다.

  • PDF

Algorithms of the VLSI Layout Migration Software (반도체 자동 이식 알고리즘에 관한 연구)

  • Lee, Yun-Sik;Kim, Yong-Bae;Sin, Man-Cheol;Kim, Jun-Yeong
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
    • /
    • v.38 no.10
    • /
    • pp.712-720
    • /
    • 2001
  • Algorithms from the research of the layout migration were proposed in the paper. These are automatic recognition algorithm for the VLSI devices from it, graph based construction algorithm to maintain the constraints, dependencies, and design rule between the devices, and high speed compaction algorithm to reduce size of the VLSI area and reuse the design with compacted size for the new technology. Also, this paper describes that why proposed algorithms are essential for the era of the SoC (System on a Chip), design reuse, and IP DB, which are the big concerns in these days. In addition to introduce our algorithms, the benchmark showed that our performance is superior by 27 times faster than that of the commercial one, and has better efficiency by 3 times in disk usage.

  • PDF

Power Loss Analysis and Thermal Simulation of 3-Level Power Conversion Module (3-레벨 전력변환모듈 손실 분석 및 열 분포 시뮬레이션)

  • Paik, Seok Min;Hwang, Dong Ok;Choi, Jun Young;Lee, Woo Cheol
    • Proceedings of the KIPE Conference
    • /
    • 2014.11a
    • /
    • pp.177-178
    • /
    • 2014
  • 본 논문에서는 기존에 널리 사용되고 있는 3상 인버터와 태양광 인버터 및 무정전 전원공급시스템의 고효율화를 위해 최근 적용이 확대되고 있는 3상 T형 3-레벨 인버터에서 각 전력 반도체에서 발생하는 손실을 구하고 그 결과를 비교, 분석하였다. 또한 그 손실 특성을 기초로 해서 3상 50kVA급 기존 3상 인버터 및 3상 T형 3-레벨 인버터 전력변환모듈을 설계하였고 전산유체해석 소프트웨어를 이용해서 전력변환모듈 내부 방열판의 상세 온도 분포를 해석하고 그 비교 분석 결과를 제시하였다.

  • PDF

ISDN User-Network I/F 의 VLSI 현황 소개

  • Han, Un-Yeong;O, Ui-Gyo;Kim, Seong-Jo;Han, Chi-Mun
    • ETRI Journal
    • /
    • v.7 no.3
    • /
    • pp.42-48
    • /
    • 1985
  • 본고에서는 가입자 선로상에서 필요한 ISDN 가입자장치를 경제적이고 신뢰성있게 구현하기 위해 여러 반도체회사에서 개발중에 있는 VLSI 칩에 대한 개발추세 및 각 제작회사들에 의해 알려진 ISDN용 VLSI 칩 소개와 그 특징에 대해 기술하였다.

  • PDF

콘텐츠연재 / '원소스 멀티유스'의 극대화로 콘텐츠에 활력을..

  • Im, Eun-Mo
    • Digital Contents
    • /
    • no.12 s.91
    • /
    • pp.40-45
    • /
    • 2000
  • 반도체 기술의 발전에 따라 하루가 다르게 디지털 콘텐츠 시장이 변화하고 있다. 여기에 발맞추어 우리 소비자 니즈도 무지개의 빨주노초파남보처럼 다양하게 요구되고 있어 변화하지 않음이 이상할 정도이다. 그래서 다양한 목소리를 내고 있는 60억 지구촌 소비자를 위해 진수성찬을 준비하면서 지난 호에는 7대 메뉴가운데 방송, 영화, 게임 등 빨주노만으로 성찬을 만들었다. 이번호에서는 남은 초파남보로는 인터넷, 위성교육, 모바일 콘텐츠, 그리고 인터넷 광고 등으로 마저 잔치상을 준비할까 한다.

  • PDF