• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.25 no.3
• /
• pp.55-59
• /
• 2018

In this paper, we investigated the characteristics of shear stress type piezoresistor on a diaphragm structure formed by MEMS (Microelectromechanical System) technology of silicon-direct-bonding (SDB) wafers with Si/$SiO_2$/Si-sub. The diaphragm structure formed by etching the backside of the wafer using a TMAH aqueous solution can be used for manufacturing various sensors. In this study, the optimum shape condition of the shear stress type piezoresistor formed on the diaphragm is found through ANSYS simulation, and the diaphragm structure is formed by using the semiconductor microfabrication technique and the shear stress formed by boron implantation. The characteristics of the piezoelectric resistance are compared with the simulation results. The sensing diaphragm was made in the shape of an exact square. It has been experimentally found that the maximum shear stress for the same pressure at the center of the edge of the diaphragm is generated when the structure is in the exact square shape. Thus, the sensing part of the sensor has been designed to be placed at the center of the edge of the diaphragm. The prepared shear stress type piezoresistor was in good agreement with the simulation results, and the sensitivity of the piezoresistor formed on the $2200{\mu}m{\times}2200{\mu}m$ diaphragm was $183.7{\mu}V/kPa$ and the linearity of 1.3 %FS at the pressure range of 0~100 kPa and the symmetry of sensitivity was also excellent.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.19 no.9
• /
• pp.536-542
• /
• 2018

Tin dioxide, $SnO_2$, is a well-known n-type semiconductor that shows change in resistance in the presence of gas molecules, such as $H_2$, CO, and $CO_2$. Considerable research has been done on $SnO_2$ semiconductors for gas sensor applications due to their noble property. The nanomaterials exhibit a high surface to volume ratio, which means it has an advantage in the sensing of gas molecules. In this study, SnO nanoplatelets were grown densely on Si substrates using a thermal CVD process. The SnO nanostructures grown by the vapor transport method were post annealed to a $SnO_2$ phase by thermal CVD in an oxygen atmosphere at $830^{\circ}C$ and $1030^{\circ}C$. The pressure of the furnace chamber was maintained at 4.2 Torr. The crystallographic properties of the post-annealed SnO nanostructures were investigated by Raman spectroscopy and XRD. The change in morphology was confirmed by scanning electron microscopy. As a result, the SnO nanostructures were transformed to a $SnO_2$ phase by a post-annealing process.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2000.02a
• /
• pp.148-148
• /
• 2000

지금까지 반도체 표면에 대한 연구는 주로 (1000, (111) 표면 등 낮은 밀러 지표를 가진 표면에 대해 이루어져 왔다. 이에 반해 밀러 지표가 높은 Si 면은 불안정하고, 가열하면 다른 표면, 즉 지표가 낮은 면으로 재배열하는 경향이 있는 것으로 알려져 있는데 아직 이들 높은 밀러 지표를 가진 표면에 대한 연구는 미미한 상태이다. 그러나, Si(113)면은 밀러 지표가 높으면서도 안정하기 때문에 Si(113)의 구조를 정확하게 알 수 있다면 밀러 지표가 낮은 Si 표면이 안정한 이유를 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 연구에서는 TOF-CAICISS 장치(Time of Flight - CoAxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy) 장비와 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffrction)를 이용하여 Si(113) 표면의 구조와 Si(113) 표면의 온도에 따른 구조 변화를 관찰하였다. TOF-CAICISS 실험결과를 보면 (3$\times$2)에서 (3$\times$1)으로 상변환하면서 Si(113) 표면에 오각형을 이루는 dimer 원자들과 adatom 원자들간의 높이차가 작아짐을 알 수 있다. RHEED 실험결과와 전산 모사 결과로부터 상온에서 Si(113)(3$\times$2) 구조를 가지다가 45$0^{\circ}C$~50$0^{\circ}C$에서 Si(113) (3$\times$1) 구조로 상변환한다는 것을 알 수 있다. 그러나, 아직 상전이 메카니즘은 명확하게 밝혀지지 않았다. 실험결과를 전산 모사와 비교함으로써 Si(113) 표면에 [33]방향으로 이온빔을 입사시켰을 경우 dabrowski 모델과 Ranke AI 모델이 적합하지 않다는 것을 알 수 있다./TEX>, shower head의 온도는 $65^{\circ}C$로 설정하였다. 증착된 Cu 박막은 SEM, XRD, AFM를 통해 제작된 박막의 특성을 비교.분석하였다. 초기 plasma 처리를 한 경우에는 그림 1에서와 같이 현저히 증가한 초기 구리 입자들이 관측되었으며, 이는 도상 표면에 활성화된 catalytic site의 증가에 기인한다고 보여진다. 이러한 특성은 Cu films의 성장률을 향상시키고, 또한 voids를 줄여 전기적 성질 및 surface morphology를 향상시키는 것으로 나타났다. 결과 필름의 잔류 응력과 biaxial elastic modulus는 필름의 두께가 감소함에 따라 감소하는 경향을 나타냈으며, 같은 두께의 필름인 경우, 식각 깊이에 따른 biaxial elastic modulus 의 변화를 통해 최적의 식각 깊이를 알 수 있었다.도의 값을 나타내었으며 X-선 회절 data로부터 분석한 박막의 변형은 증온도에 따라 7.2%에서 0.04%로 감소하였고 이 이경향은 유전손실은 감소경향과 일치하였다.는 현저하게 향상되었다. 그 원인은 SB power의 인가에 의해 활성화된 precursor 분자들이 큰 에너지를 가지고 기판에 유입되어 치밀한 박막이 형성되었기 때문으로 사료된다.을수 있었다.보았다.다.다양한 기능을 가진 신소재 제조에 있다. 또한 경제적인 측면에서도 고부가 가치의 제품 개발에 따른 새로운 수요 창출과 수익률 향상, 기존의 기능성 안료를 나노(nano)화하여 나노 입자를 제조, 기존의 기능성 안료에 대한 비용 절감 효과등을 유도 할 수 있다. 역시 기술적인 측면에서도 특수소재 개발에 있어 최적의 나노 입자 제어기술 개발 및 나노입자를 기능성 소재로 사용하여 새로운 제품의 제조와 고압 기상 분사기술의 최적화에 의한 기능성 나노 입자 제조 기술을 확립하고 2차 오염 발생원인 유기계 항균제를 무기계 항균제로 대체할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
• /
• 2006.06c
• /
• pp.274-276
• /
• 2006

e-seal은 RFID(Radio Frequency IDentification) 기술을 사용하여 원격에서 자동으로 봉인상태를 확인할 수 있는 컨테이너 봉인 장치를 말한다. RFID의 특징상 반도체 칩에 기록된 정보를 제 삼자가 쉽게 판독 및 변조할 수 있다는 취약점으로 인하여 활성화되지 못하고 있는 실정이다. ISO에서는 RFID의 취약점을 보안하기 위한 표준작업(ISO 18185)을 진행 중이다. 이 중, ISO 18185-4는 e-seal에 저장되는 자료나 리더와의 RF통신에서 데이터 보호를 위한 표준이다. 이와 관련된 연구로는 인증 프로토콜과 ISO 18185-4를 위한 보고서로 제출된 보안 프로토콜이 있다. 제안된 e-seal 보안 프로토콜을 적용하기 위해서는 e-seal과 리더 간의 데이터를 암/복호화할 키가 필요하지만, 키 서버를 통해 전달받은 마스터 키를 데이터 암/복호화 키로 바로 사용하는 것은 보안 상의 문제점을 야기할 수 있기 때문에 PRF(Pseudo Random Function)을 이용하여 마스터 키로부터 MTK(Mutual Transient Key)를 유도하고, MTK를 암/복호화 키로 사용해야 한다. 기존의 PRF는 일방향 해시 함수(MD5, SHA 등)를 기반으로 하는 HMAC[2. 3]을 일반적으로 사용하였다. 그러나 일방향 해시 함수는 e-seal과 같은 제한된 자원을 갖는 환경에 적합하지 않다. 따라서, 본 논문에서는 e-seal 보안 프로토콜을 위한 효율적인 PRF을 제안한다. 기존의 일방향 해시 함수 기반이 아닌 블록 암호화 알고리즘을 기반으로 하는 MAC을 이용하여 PRF을 보다 효율적으로 구현하였고, 블록 암호화 알고리즘은 AES를 선택 합성체 $GF((2^4)^2)$을 통해 하드웨어 모듈을 최적화 하였다. AES를 기반으로 하는 MAC은 HMAC에 비해 면적 및 처리율에서 뛰어난 결과를 보여주었다.<0.01).이상의 연구 결과, cook-chill생산 시 녹차 추출물의 첨가가 미생물적 품질유지에 효과가 있다고 사료되는 바 본 연구결과를 기초로 급식소에서 음식 생산 시 녹차 추출물 및 천연 항균성 물질 첨가에 따른 미생물적 품질 및 관능적 품질검사를 통한 레시피 개발에 관한 지속적인 연구가 수행되어야 하겠다.다.다리다보니 점심시간을 활용할 수 없게 되는 문제점에 대한 재검토가 필요하다. 따라서 차후 학교급식의 안전성 확보를 위한 급식환경 개선의 일환으로 식당공간 확보 시 신속한 시간 내에 급식이 가능하도록 넓은 공간과 쾌적한 환경의 식당 조성에 대해 관심을 기울여야 할 것으로 사료된다. 이상 여부를 반영하는 임상증상의 빈도가 높은 청소년기 남녀 중학생의 경우 아침과 저녁의 결식빈도 및 외식과 간식의 빈도가 높았고, 아침식사의 질과 체형만족도가 낮은 것으로 나타나 청소년의 건강과 식습관 및 체형만족도가 상호 관련성이 높은 것으로 나타났다. 따라서 본 연구 결과는 성장기 청소년의 건강 유지를 위하여 바람직한 식습관의 중요성을 재인식할 수 있었으며, 올바른 식습관 확립을 위한 영양교육의 중요성이 재확인되었다.경제적일 것으로 판단된다.er 90 % of good relative dynamic modulus of elasticity due to fineness of formation caused by the increase of the unit powder content and the improvement of flowability, without regard to the replacement of crushed stone fines. Therefore, it can be said that the usage of crushed stone fines can control the strength of super flowing concrete by replacement and re

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
• /
• v.49 no.4
• /
• pp.10-16
• /
• 2012

For high speed visual inspection in semiconductor industries, it is essential to acquire two-dimensional images on regions of interests with a large field of view (FOV) and a high resolution simultaneously. In this paper, an imaging system is newly proposed to achieve high quality image in terms of precision and FOV, which is composed of single lens, a beam splitter, two camera sensors, and stereo image grabbing board. For simultaneously acquired object images from two camera sensors, Zhang's camera calibration method is applied to calibrate each camera first of all. Secondly, to find a mathematical mapping function between two images acquired from different view cameras, the matching matrix from multiview camera geometry is calculated based on their image homography. Through the image homography, two images are finally registered to secure a large inspection FOV. Here the inspection system of using multiple images from multiple cameras need very fast processing unit for real-time image matching. For this purpose, parallel processing hardware and software are utilized, such as Compute Unified Device Architecture (CUDA). As a result, we can obtain a matched image from two separated images in real-time. Finally, the acquired homography is evaluated in term of accuracy through a series of experiments, and the obtained results shows the effectiveness of the proposed system and method.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
• /
• v.14 no.1
• /
• pp.1-8
• /
• 2011

Ionic liquids are room-temperature molten salts, composed of organic mostly of organic ions that may undergo almost unlimited structural variation. We approach the new aspects of ionic liquids in applications where the semiconductor nanoparticles used as sensitizers of solar cells. We studied the effects of ionic liquids as capping ligand and/or solvent, on the morphology and phase of the CdSe/ZnS nanoparticles. Colloidal CdSe/ZnS nanoparticles were synthesized using a series of imidazolium ionic liquids; 1-R-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl) imide ([RMIM][TFSI]), where R = ethyl ([EMIM]), butyl ([BMIM]), hexyl ([HMIM]), octyl ([OMIM]). The average size of nanoparticles was 8~9 nm, and both zinc-blende and wurtzite phase was produced. We also synthesized the nanoparticles using a mixture of trihexyltetradecylphosphonium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide ([$P_{6,6,6,14}$][TFSI]) and octadecene (ODE). The CdSe/ZnS nanoparticles have a smaller size (5.5 nm) than that synthesized using imidazolium, and with a controlled phase from zinc-blende to wurtzite by increasing the volume ratio of [$P_{6,6,6,14}$][TFSI]. For the first time, the phase and size control of the CdSe/ZnS nanoparticles was successfully demonstrated using those ionic liquids.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2003.05a
• /
• pp.14-14
• /
• 2003

Silicon carbide (SiC)는 높은 power 영역과 높은 온도영역에서도 작동 가능한 우수한 반도체 물질이다. 또한 우수한 열적 화학적, 안정성을 가지고 있어 가흑한 조건에서의 소자로써도 사용 가능하다. 현재 SiC 적용분야로는 우수한 전기적, 기계적 성질을 이용한 미세소자(MEMS)와 GaN 와 거의 유사한 격자상수를 가지는 것을 이용한 GaN epitaxial 성장의 기판으로도 사용되어진다. 그러나 SiC 는 기존의 습식식각 용매에 대해 화학적 안정성을 가지고 있기 때문에 전자소자의 제작에 있어서 플라즈마를 이용한 건식식각의 중요성이 대두되어지고 있다. 소자제작에 있어 이러한 건식식각시 식각 단면의 제어, 이온에 의한 낮은 손상 정도, 매끄러운 식각 표면, 그리고 고속의 식각 속도둥이 요구되어진다. 본 실험에서는 식각 속도의 증가와 수직한 식각 단면둥을 획득하기 위하여 SF6 플라즈마에서 Source power, dc bias voltage, 그리고 외부에서 인가되는 자속의 세기를 변화시쳐가며 식각 속도, 식각 마스크와의 식각 션택비, 식각 단면둥과 같은 SiC 의 식각 특성을 관찰하였다. 식각 후 식각 단면은 주사전자 현미경(SEM)을 통해 관찰하였다. 본 실험에서의 가장 높은 식각 속도는 분당 1850n 로써 이때의 공정조건은 1400W 의 inductive power, -600V 의 dc bias voltage, 20G 의 외부자속 세기이었다. 또한, 높은 inductive power 조건과 낮은 dc bias voltage 조건에서 Cu는 $SF_6$ 플라즈마 내에서 식각부산물의 증착으로 인해 SiC 와 무한대의 식각선택비를 보였다. 이러한 Cu 마스크를 사용한 SiC 의 식각에서는 식각 후 수직한 식각 단변을 관찰할 수 있었다. 것올 알 수 있다. 따라서, 기존의 pve 보다 세라믹 기판의 경우가 수분 흡수율이 높아 더 오랫동안 전류를 흐르게 하여 방식성이 개선된 것으로 판단된다.을 통해 경도가 증가한 시편의 경우 석출상의 크기가 5nm 이하로 매우 작고 대체로 기지와 연속적인 계면을 형성하나, 열처리가 진행될수록 석 출상의 크기가 커지고 임계크기 이상에 이르면 연속적인 계면은 거의 발견되지 않고, 대부 분 불연속적이고 확연한 계면을 형성함을 관찰 할 수 있었다. 알루미나(${\alpha}-Al_2O_3$) 기판 위에 증착한 $(Ti_{1-x}AI_{x})N$ 피막은 마찬가지로 (200) 우선 방위를 나타내었으나, 그 입자의 크기가 수십 nm로 고속도강위에 증착한 피막에 비해 상당히 크게 형성되었다. 또한 열처리 후에 AIN의 석출이 진행됨에도 불구하고 경도 증가는 나타나지 않고, 열처리가 진행됨에 따라 경도가 감소하는 양상만을 나타내었다. 결국 $(Ti_{1-x}AI_{x})N$ 피막이 열처리 전후에 보아는 기계적 특성의 변화 양상은 열역학적으로 안정한 Wurzite-AlN의 석출에 따른 것으로 AlN 석출상의 크기에 의존하며, 또한 이러한 영향은 $(Ti_{1-x}AI_{x})N$ 피막에 존재하는 AI의 함량이 높고, 초기에 증착된 막의 업자 크기가 작을 수록 클 것으로 여겨진다. 그리고 환경의 의미의 차이에 따라 경관의 미학적 평가가 달라진 것으로 나타났다.corner$적 의도에 의한 경관구성의 일면을 확인할수 있지만 엄밀히 생각하여 보면 이러한 예의 경우도 최락의 총체적인 외형은 마찬가지로 $\ulcorner$순응$\lrcorner$의 범위를 벗어나지 않는다. 그렇기 때문에

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.20 no.6
• /
• pp.604-609
• /
• 2019

In this study, we fabricated a capacitive humidity sensor with interdigitated (IDT) electrodes using a thermosetting polyimide as a humidifying material. First, the number of electrodes, thickness, and spacing of the polyimide film were optimized, and a mask was designed and fabricated. The sensor was fabricated on a silicon substrate using semiconductor processing equipment. The area of the sensor was $1.56{\times}1.66mm^2$, and the width of the electrode and the gap between the electrodes were each $3{\mu}m$. The number of electrodes was 166, and the length of an electrode was 1.294 mm for the sensitivity of the sensor. The sensor was then packaged on a PCB for measurement. The sensor was inserted into a chamber environment with a temperature of $25^{\circ}C$ and connected to an LCR meter to measure the change in capacitance at relative humidity (RH) of 20% to 90%, 1 V, and 20 kHz. The results showed a sensitivity of 26fF/%RH, linearity of < ${\pm}2%RH$, and hysteresis of < ${\pm}2.5%RH$.

• Journal of Industrial Convergence
• /
• v.20 no.12
• /
• pp.79-85
• /
• 2022

Recently, a smartphone manufactured on a flexible substrate has been released as an electronic device, and research on a stretchable electronic device is in progress. In this paper, a silicon-based stretchable material is made and used as a substrate to implement and evaluate an optical sensor device using oxide semiconductor. To this end, a substrate that stretches well at room temperature was made using a silicone-based solution rubber, and the elongation of 350% of the material was confirmed, and optical properties such as reflectivity, transmittance, and absorbance were measured. Next, since the surface of these materials is hydrophobic, oxygen-based plasma surface treatment was performed to clean the surface and change the surface to hydrophilicity. After depositing an AZO-based oxide film with vacuum equipment, an Ag electrode was formed using a cotton swab or a metal mast to complete the photosensor. The optoelectronic device analyzed the change in current according to the voltage when light was irradiated and when it was not, and the photocurrent caused by light was observed. In addition, the effect of the optical sensor according to the folding was additionally tested using a bending machine. In the future, we plan to intensively study folding (bending) and stretching optical devices by forming stretchable semiconductor materials and electrodes on stretchable substrates.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.12 no.7
• /
• pp.1218-1226
• /
• 2008

With the development of semiconductor integrated technology and with the increasing use of multimedia functions in computer, more functions have been implemented as hardware. Nowadays, most microprocessors beyond 32 bits generally implement an integer multiplier as hardware. However, as for a divider, only specific microprocessor implements traditional SRT algorithm as hardware due to complexity of implementation and slow speed. This paper suggested an algorithm that uses a multiplier, 'w bit $\times$ w bit = 2w bit', to process $\frac{N}{D}$ integer division. That is, the reciprocal number D is first calculated, and then multiply dividend N to process integer division. In this paper, when the divisor D is '$D=0.d{\times}2^L$, 0.5 < 0.d < 1.0', approximate value of ' $\frac{1}{D}$', '$1.g{\times}2^{-L}$', which satisfies ' $0.d{\times}1.g=1+e$, $e<2^{-w}$', is defined as over reciprocal number and then an algorithm for over reciprocal number is suggested. This algorithm multiplies over reciprocal number '$01.g{\times}2^{-L}$' by dividend N to process $\frac{N}{D}$ integer division. The algorithm suggested in this paper doesn't require additional revision, because it can calculate correct reciprocal number. In addition, this algorithm uses only multiplier, so additional hardware for division is not required to implement microprocessor. Also, it shows faster speed than the conventional SRT algorithm and performs operation by word unit, accordingly it is more suitable to make compiler than the existing division algorithm. In conclusion, results from this study could be used widely for implementation SOC(System on Chip) and etc. which has been restricted to microprocessor and size of the hardware.