인간은 생활을 영유하는 과정에서 필연적으로 쓰레기를 배출하게 됩니다. 그러나 우리나라는 60년대까지는 주요산업이 1차 산업에 의존하고 있어 쓰레기 배출이 크게 문제되지 않았었습니다. 왜냐하면 그 당시에는 우리들의 일상 생활용품들이 대부분 인위적으로 개발한 새로운 물질이 아닌 자연에서 그대로 구했기 때문에 배출쓰레기를 일정장소에 적당히 처리하여도 자연의 물질순환계에 의하여 원상태로 돌아갔으며 또한 물질이 귀한 시절이어서 대부분 재사용, 재활용되어 특별히 버릴 것이 없었기 때문일 것입니다. 그러나 우리나라도 70년대 이후 경제발전에 따라 고도산업 사회에 접어들고 인구 도시 집중화 및 자연상태에서 좀처럼 분해되지 않는 새로운 화학물질 소재들이 다량 생산되고 생활수중 향상 등에 의하여 많은 양의 물질이 소모되면서 배출되는 쓰레기도 인간에 치명적인 위해를 줄 수 있는 성분이 함유됨은 물론 배출향도 엄청나게 증가하여 처리에 어려움을 겪게 되었습니다. 이에 우리도의 당면한 생활쓰레기 처리실태 및 문제점과 이에 대한 개선방안을 제시 논의해 보고자 합니다.
대기 중에 존재하는 오염물질들에 의한 빛의 흡수가 파장에 따라 달라지는 광학적 원리에 기초한 open path 방식의 Differential Optical Absorption Spectroscopy(이하 DOAS) 시스템은 대기오염측정에 있어 새로운 장을 개척하고 있다. 기존의 측정방식과 비교할 때 DOAS방식은 여러 오염물질의 실시간 동시 측정을 통해 오염물질의 거동을 파악할 수 있게 함으로써 측정시간의 제약을 극복할 수 있으며, 시료 채취와 실험실 분석으로 나뉘어진 기존 화학적 방식의 기술적 어려움과 비효율성을 극복할 수 있다. (중략)
표면증강 라만 산란(Surface Enhancement Raman Scattering, SERS) 기판의 경우, 규칙적인 배열을 갖는 나노구조 및 나노패턴 기판과 금속 나노구조의 고밀도 패킹이 고감도 화학물질 검출에 중요하다. 또한 폭넓은 응용 가능성에도 불구하고 기판 제작의 비용이 높고 재현성이 떨어져 상용화에 어려움을 겪고 있다. 본 연구에서는 다공성 알루미나(Anodic Aluminum Oxide, AAO)를 사용하여 Ag 나노입자가 코팅된 나노기둥 배열(Nanopillar array)을 갖는 고분자 필름의 SERS-active 기판을 제작하여 공정비용을 낮추고, 대면적화로 생산성을 높이고자 한다. 다단계 양극산화 공정과 복제 기술을 통해 다양한 지름과 높이를 갖는 맥주병 형상의 나노기둥 배열을 제조하였고, aspect ratio가 2.3인 나노기둥 배열에서 최대의 SERS 신호 강도와 높은 재현성을 확인하였다. SERS 신호의 세기는 Ag 나노입자가 코팅된 나노기둥 배열의 열처리 온도와 분석 물질의 농도에 따라 비례하며 이를 바탕으로 정량적인 고감도 진단, 바이오 화학 물질 센서에 매우 적합함을 알 수 있다.
최근 전자 분야의 눈부신 발달에 따라 진보된 재료를 도입할 필요성이 있고, 이에 필요한 원료 물질을 개발하는 연구가 필수적이다. 최첨단 전자, 자기, 광재료를 제조하기 위하여 여러가지 금속 전구체를 사용하고 있지만 휘발성, 열적 안정성, 제조의 용이성, 경제성 등 우수한 물성을 갖는 원료 물질에 대한 체계적인 연구가 활발하지 못하여 관련 업계에서는 원료 화합물을 도입하는 공정에서 많은 어려움이 있다. 새로운 첨단 금속 전구체를 개발하기 위하여 분자 수준에서 화합물을 설계하고 합성하는 과정을 통하여 쉽고 경제적인 방법으로 새로운 리간드를 다양하게 합성하였고, 이들 리간드를 도입하여 휘발성, 안정성, 경제성이 훨씬 향상된 새로운 금속 전구체를 개발하고 박막 및 나노 물질 제조 공정에 응용하는 연구를 수행하였다. 이로부터 반도체, 디스플레이 등 첨단 재료 분야에 적용이 가능한 여러 후보 전구체를 도출하였다. 본 발표에서는 새로운 금속 전구체 개발 및 이를 이용한 박막 증착, 나노 물질 합성과 특성 평가에 관하여 토의하고자 한다.
PCBs(Polychlorinated Biphenyls)와 같은 미량 환경독성물질은 그 독성으로 인하여 지난 수 십년간 환경 분야에서 중요한 연구분야가 되어왔으며 이에 대한 연구의 중요성이 최근의 내분비계 교란물질의 심각성으로 더욱 부각되고 있다. 특히 이 분야의 연구에서는 실제 측정을 통한 자료가 국내의 경우 분석과 측정의 어려움으로 인하여 거의 전무하다고 할 수 있으며 더욱이 PCBs의 공간적인 분포 특성에 관한 연구는 PCBs에 대한 연구가 앞서 진행된 외국의 사례에서도 거의 찾아볼 수 없다고 할 수 있다. (중략)
PCBs (Polychlorinated Biphenyls)와 같은 미량 환경독성물질은 그 독성으로 인하여 지난 수 십년간 환경 분야에서 중요한 연구분야가 되어왔으며 이에 대한 연구의 중요성이 최근의 내분비계 교란물질의 심각성으로 더욱 부각되고 있다. 특히 이 분야의 연구에서는 실제 측정을 통한 자료가 국내의 경우 분석과 측정의 어려움으로 인하여 거의 전무하며, 더욱이 PCBs의 공간적인 분포 특성에 관한 연구는 PCBs에 대한 연구가 앞서 진행된 외국의 사례에서도 거의 찾아볼 수 없다 (Yucel, 1997, 김승규, 1999). (중략)
액적화학은 SO4$^{-2}$ 생성에 중요한 역할을 할 뿐만 아니라 OH와 HO$_2$ 라디칼 생성에도 영향을 미친다. 따라서 기존 기상 광화학반응에 액적화학을 추가하여 산성비 모사를 하여왔다. 그러나 액적화학을 추가하기 위해서는 기액간의 물질전달을 포함하여야 하고 액적화학반응속도와 기상화학반응속도가 크게 다름으로써 수치적 풀이의 어려움이 가중되는 문제가 있다. 따라서 기존 연구에서는 기액간의 평형 및 시간 분리 등의 가정을 사용하여 액적화학 반응 추가에 따른 문제를 해결하여 왔다. 본 논문은 이러한 수치단순화의 정확도를 평가하려 한다. (중략)
국내 산업단지의 경우 2001년 2월 현재 국가산업단지 및 지방산업단지를 포함하여 총 약 188개의 산업단지가 전국 각 지자체에 위치하여 생산활동을 진행 중에 있으며, 이중 대전 및 충남 지역에 위치하여 생산활동을 진행중인 산업단지는 지방과 국가산업단지를 포함하여 총 약 26개의 산업단지가 위치하고 있다. 그러나, 현재 각 산업단지에서 배출되는 대기오염물질의 현황 및 수준을 평가하고 관리하는데 어려움으로 인하여 각 산업단지에서 배출되고 있는 대기오염물질의 관리가 효율적으로 이루어지지 않고 있는 실정이다. (중략)
본 연구에서는 물질적 궁핍의 측정 및 분석이 빈곤에 대한 다각적 이해에 유용할 뿐 아니라 빈곤층의 경제적 어려움 해소를 위한 대책 마련에도 주요한 정책적 시사를 제공할 수 있음에 주목하여, 한국사회 물질적 궁핍의 전반적 실태와 더불어 빈곤층의 물질적 궁핍의 양상 및 관련 영향 요인을 분석하고자 하였다. 분석에서 물질적 궁핍은 기본욕구 충족과 밀접히 관련된 음식(food), 주거(housing), 생활필수공공재(utilities), 의료서비스(medical care)에의 결핍 경험으로 정의, 측정하였으며, 분석자료로 한국복지패널조사자료를 활용하였다. 분석결과에서는, 물질적 궁핍을 경험한 가구의 비율은 전체의 17.0%로 나타나 최소수준의 기본욕구조차 충족치 못하는 가구들이 적지 않음을 확인할 수 있었다. 둘째, 소득계층 및 빈곤지위별 분포를 분석한 결과에서는 물질적 궁핍이 하위 소득계층(34.8%) 및 빈곤층(40.7%)에서 높게 경험되고 있지만, 중간 소득계층(18.0%) 및 비빈곤 차상위층(36.6%)에서도 적지 않게 경험되는 것으로 확인되었다. 셋째, 빈곤층을 대상으로 관련 요인들의 영향을 분석한 결과, 가구소득(욕구대비소득)은 별다른 영향이 없는 반면 소비지출 관련 요인(주거형태, 가족형태, 건강상태) 및 여타 경제적 자원(재산, 기초보장수급), 가구주의 취업지위 등은 유의미한 영향을 미치는 것으로 확인되었다. 본 연구의 결과는 소득빈곤의 분포와 물질적 궁핍의 분포가 일치하지 않음을 보여주어, 물질적 궁핍의 측면에 대한 분석이 한국사회 빈곤의 다면성을 파악함에 유용할 수 있음을 시사하여 준다. 또한, 빈곤층의 물질적 궁핍 실태와 양상은 국민기초생활보장제도에 대한 적극적 개선 및 보완이 요청됨을 시사하여 준다.
메모리 반도체의 지속적인 scale down을 위해서는 고유전 산화막을 이용한 등가산화막두께(EOT) 스케일링이 이뤄져야 한다. 특히, DRAM의 커패시터의 경우, EOT scaling을 위한 신 물질 및 공정개발이 지연되면서 전극과 유전체 사이의 계면특성 개선, 또는 기존에 사용하던 물질을 지속적으로 사용할 수 있는 방안에 대한 필요성이 대두되고 있다. 본 발표에서는 DRAM 커패시터 소재 개발이 겪고 있는 어려움에 대해 소개하고 기존에 반도체 라인에서 사용하고 있는 물질들을 조합한 다성분계 산화막을 이용하여 EOT 0.5 nm를 구현하기 위한 연구 결과에 대해 보고한다. 또한 앞으로 지속적인 커패시터 유전체 개발을 위해 관심을 갖고 수행해야 하는 연구에 대해 함께 다룬다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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