Carbon Nanotubes (CNTs) have recently emerged as a material with outstanding properties. It has shown promising potential for applications in many engineering fields as electronic devices, thermal conductors, and light-weight composites. Researchers have investigated their use as reinforcements in themetal matrix composites of CNTs. In the present work, we decorated CNTs with Ni particles by electroless plating. The CNTs were wet-ball milled for various milling times with a nickel sulfate solution. The precipitated Ni particles were observed mainly by FESEM. In this study, the dispersion of the CNTs and Ni particles was improved with the addition of the surfactant. Also, as the CNTs were shortened and widened by an increased ball milling time, the size of the precipitated Ni particles increased. It was estimated that the CNTs were deformed and caused some defects on their surface during the ball milling process. Those defects were assumed to be heterogeneous nucleation sites for the Ni particles.
The objective of this study was to investigate corrosion and cavitation-erosion characteristics of the electroless nickel plating layer with heat treatment. The crystallization temperature of the electroless nickel plating layer was about 410 ℃. The phase transformation energy was confirmed to be 12.66 J/g. With increasing heat treatment temperature, the amorphous electroless nickel plating layer gradually changed to crystalline Ni and Ni3P. At the same time, the crystal grain size was also increased. Additionally, when heat treatment was performed at a temperature above 400 ℃, NiO phase was observed due to oxidation phenomenon. As a result of the electrochemical polarization experiment, the corrosion resistance of the heat-treated electroless nickel plating layers was superior to that of the as-deposited plating layer. This was because crystal grains became larger and grain boundaries decreased during heat treatment. The cavitation-erosion resistance of heat-treated plating layers tended to be superior to that of as-deposited plating layers due to increased microhardness.
This study was performed as a part of the research on the development of a maskless and electroless process for fabricating metal micro/nanostructures by using a nanoindenter and an electroless deposition technique. $2-{\mu}m$-deep indentation tests on Ni and Cu samples were performed. The elastic recovery of the Ni and Cu was 9.30% and 9.53% of the maximum penetration depth, respectively. The hardness and the elastic modulus were 1.56 GPa and 120 GPa for Ni and 1.51 GPa and 104 GPa for Cu. The effect of single-point diamond machining conditions such as the Berkovich tip orientation (0, 45, and $90^{\circ}$ ) and the normal load (0.1, 0.3, 0.5, 1, 3, and 5 mN), on both the deformation behavior and the morphology of cutting traces (such as width and depth) was investigated by constant-load scratch tests. The tip orientation had a significant influence on the coefficient of friction, which varied from 0.52-0.66 for Ni and from 0.46- 0.61 for Cu. The crisscross-pattern sample showed that the tip orientation strongly affects the surface quality of the machined are a during scratching. A selective deposition of Cu at the pit-like defect on a p-type Si(111) surface was also investigated. Preferential deposition of the Cu occurred at the surface defect sites of silicon wafers, indicating that those defect sites act as active sites for the deposition reaction. The shape of the Cu-deposited area was almost the same as that of the residual stress field.
A 110 m diameter aspheric metal secondary mirror for a test model of an earth observation satellite camera was fsbricated by ultra-precision single point diamond turning (SPDT). Aluminum alloy for mirror substrates is known to be easily machinable, but not polishable due to its ductility. A harder material, Ni, is usually electrolessly coated on an A1 substrate to increase the surface hardness for optical polishing. Aspheric metal secondary mirror without a conventional polishing process, the surface roughness of Ra=10nm, and the form error of Ra=λ/12(λ=632.8nm) has been required. The purpose of this research is to find the optimum machining conditions for reflector cutting of electroless-Ni coated A1 alloy and apply the SPDT technique to the manufacturing of ultra precision optical components of metal aspheric reflector.
본 연구는 교정용 선재의 직경을 증가시키기 위한 방법으로 무전해도금법의 이용 가능성 여부를 전기도금법과의 비교를 통해 알아보고자 시행되었다. 0.016 인치 스테인레스 스틸 교정용 선재에 도금을 위한 전처리를 시행한 후, 시중에 판매되는 무전해니켈도금액($Hessonic-Gr^{(R)}$, 신풍금속, 한국)을 사용하여 $90^{\circ}C$ 온도에서 0.018 인치 직경이 될 때까지 도금을 시행하였다. 무전해도금 과정 중 시간에 따른 직경증가율을 구하는 한편, 도금 후 세 지점의 직경을 계측하여 균일성을 평가하였다. 도금 금속의 정성분석을 위하여 X-선 회절분석을 시행하는 한편, 물성검사를 시행한 후 전기도금한 경우와 각각 비교 분석하였다. 연구결과 무전해도금한 군이 전기도금을 시행한 군보다 강성, 항복강도, 극한강도 모두 높은 경향을 보였으며 강성과 극한강도에서 통계적으로 유의한 차이를 나타내었다 (p<0.05). 또한 무전해도금한 군의 직경증가율은 $0.00461{\pm}0.00003mm/5min$ (0.00092 mm/min)로, 전기도금한 군의 직경증가율 $0.00821{\pm}0.00015mm/min$와 차이를 보였다. 도금 후 세 지점의 직경을 계측하여 균으성을 평가한 결과, 두 가지 도금법 모두에서 균일한 양상을 보였다. 이상의 결과로 무전해도금법을 통해 직경이 증가된 선재가 전기도금 법에 의해 직경이 증가된 선재보다 기존의 선재와 가까운 물성을 보임을 알 수 있었으며, 이의 임상적 적응을 위해서는 도금시간의 감소가 필요함을 알 수 있었다.
메탄의 부분산화반응은 수소 제조의 중요한 반응 중의 하나이다. 무전해 도금방법에 의해 제조된 팔라듐-은 막을 막반응기(membrane reactor)로서 메탄의 부분산화반응에 적용하여 반응온도, $O_2/CH_4$ 몰비, $CH_4$ 공급속도, $N_2$ 운반 가스 흐름속도 등의 변화에 따라 실험을 수행하였다. 막반응기의 메탄 전환율은 알루미나에 담지된 니켈 촉매를 사용하는 반응조건하에서 $350{\sim}730^{\circ}C$의 반응온도에 따라 증가하는 경향을 보였으며, 특히 $730^{\circ}C$와 $O_2/CH_4$ 몰비 0.5에서 메탄 전환율과 CO 선택도가 가장 높았다. 막반응기의 메탄 전환율은 전통적인 관형반응기와 비교한 결과 반응조건에 따라 10~40% 정도 높았다.
무전해 도금법을 이용하여 고분자섬유의 형태를 가진 전도성 필러를 제조하였다. 나일론 6과 레이온 섬유 분체에 니켈과 구리를 도금한 복합 전도성 필러를 제조하였다. 입도 분석기를 이용하여 필러의 입자크기분포를 측정하였으며, 전도성 필러의 전도성을 측정하기 위해 전도성 분석기를 이용하였으며, 본 연구의 전도성 필러와 유사한 용도로 사용되는 탄소섬유의 전도성을 측정하여 전도성의 차이점을 비교하였다. ABS 수지에 제조된 전도성 필러를 주입하여 필름을 만들어서 1MHz$\sim$1GHz 주파수 대역에서 전자파 차폐 특성을 측정하였다. 제조된 전도성 필러가 첨가된 필름의 전자기파 차폐 특성을 측정하기 위하여 ASTM(D4935-89) 규격의 플랜지형 동축전송선 측정기구를 사용하였다. 제조된 전도성 필러는 기존의 탄소계 필러에 비해 전도성이 커서 전자파 차폐용 재료로 적합하였다.
The continuing demand for increasingly slimmer and brighter liquid crystal display (LCD) panels has led to an increased focus on the role of light guide panels (LGPs) or optical films that are used to obtain diffuse, uniform light from the backlight unit (BLU). The most basic process in the production of such BLU components is the micromachining of V-shaped grooves. Thus, given the current trend, micromachining of V-shaped grooves is expected to play increasingly important roles in today's manufacturing technology. LCD BLUs comprise various optical elements such as a LGP, diffuser sheet, prism sheet, and protector sheet with V-shaped grooves. High-aspect-ratio patterns are required to reduce the number of sheets and enhance light efficiency, but there is a limit to the aspect ratio achievable for a given material and cutting tool. Therefore, this study comprised a series of experimental evaluations conducted to determine the machining limit in microcutting V-shaped grooves on electroless nickel plated die materials when using single-crystal diamond tools with point angles of $20^{\circ}-80^{\circ}$. Cutting performance was evaluated at various cutting speeds and depths of cut using different machining methods and machine tools. The experimental results are that V-shaped patterns with angles of $80^{\circ}$ or up can be realized regardless of the machining conditions and equipment. Moreover, the feed rate has little effect on machinability, and it is thought that the fly-cut method is more efficient for shallow patterns.
전자 패키징은 미세화, 경량화, 저가화를 지향하고 신뢰성의 향상을 위해 발전해 왔다. 이러한 경향은 전자부품 자체의 성능 향상 뿐 아니라 전자부품을 장착, 고정할 수 있게 하는 인쇄회로 기판(PCB : Printed Circuit Board)의 성능에 많은 관심을 가지게 되었다. 전기적 신호의 손실을 줄이기 위해 전기, 전자 산업체에서는 가볍고 굴곡성이 우수한 연성인쇄회로기판(FPCB : Flexible PCB)과 가격이 싸고 신뢰성이 입증된 경성인쇄회로기판(RPCB : Rigid PCB)이 그 대상이다. 본 논문에서는 이 PCB중에서도 RPCB와 FPCB간의 열압착 방식으로 접합 시 전극간의 접합 양상을 보았다. 이 열압착 방식은 기존에 PCB를 접합하는데 사용하고 있는 connector를 이용한 체결법을 대체하는 기술로써 솔더를 중간층(interlayer)로 이용하여 열과 압력으로 접합하는 방식이다. 이 방식을 connector를 사용하는 방식에 비해 그 부피가 작고 I/O개수에 크게 영향 받지 않으며 자동화 공정이 쉬운 장점을 가지고 있다. 접합의 대상 중 RPCB의 경우는 무전해 니켈 금도금(ENIG : Electroless Nickle Immersion Gold)로 제작하였으며 FPCB의 경우는 ENIG와 유기보호피막(OSP : Organic solderability preservation) 처리하였다. 실험에 사용한 PCB는 $300\;{\mu}m$ pitch의 미세피치이며 솔더의 조성은 Sn-3.0Ag-0.5Cu (in wt%)과 Sn-3.0Ag (in wt%)를 사용하였다. 접합 온도와 접합 시간 그리고 접합 압력에 따라 최적의 접합 조건을 도출하였다. 접합 강도는 $90^{\circ}$ Peel Test를 통해서 측정하였으며 접합면 및 파괴면은 SEM과 EDS를 통하여 분석하였다.
This paper presents a method to fabricate freestanding structures by (100) silicon anisotropic etching and nickel electroless plating. The electroless plating process is simpler than the electroplating, and provides good coating uniformity and improved mechanical properties. Furthermore, the (100) silicon anisotropic etching in KOH solution with being aligned to <100> direction provides vertical (100) sidewalls on etched (100) surface. In this paper, the effects of the nickel electroless plating condition on the properties of electroless plated metal structures are investigated to apply fabrication of micro structures and then various micro structures are fabricated by nickel electroless plating. And then, the structures are released by silicon anisotropic etching in KOH solution with a large gap between the structure and the substrate. The fabricated cantilever structures are $210\mum$. wide, $5\mum$. thick and $15\mum$. over the silicon substrate, and the comb structure has the comb electrodes which are $4\mum$. wide and $4.3\mum$. thick separated by$1\mum$. It is released by silicon anisotropic etching in KOH solution. The gap between the structure and the substrate is $2.5\mum$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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