• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1998년도 추계종합학술대회
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• pp.165-168
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• 1998

Re-oxidized nitrided oxides which have been investigated as alternative gate oxide for Metal- Oxide -Semiconductor field effect devices were grown by conventional furnace process using pure NH$_3$ and dry $O_2$ gas, and were characterized via a Fowler-Nordheim Tunneling electron injection technique. We studied Ig-Vg characteristics, leakage current, $\Delta$Vg under constant current stress from electrical characteristics point of view and TDDB from reliability point of view of MOS capacitors with SiO$_2$, NO, ONO dielectrics. Also, we studied the effect of stress temperature (25, 50, 75, 100, and 1$25^{\circ}C$). Overall, our results indicate that optimized re-oxidized nitrided oxide shows improved Ig-Vg characteristics, leakage current over the nitrided oxide and SiO$_2$. It has also been shown that re-oxidized nitrided oxide have better TDDB performance than SiO$_2$ while maintaining a similar temperature and electric field dependence. Especially, the Qbd is increased by about 1.5 times.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권2호
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• pp.157-164
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• 1994

DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 반도체 소자중 가장 대표적인 기억소자로, switch역활을 하는 1개의 transistor와 data의 전하를 축적하는 1개의 capacitor로 구성된 단순한 구조와 고집적화에 용이하다는 이점을 바탕으로, supercomputer에서 가전제품 및 산업기기에 이르기 까지 널리 이용되어왔다. 한편으로 DRAM사업은 고가의 장치사업으로 조기시장 진입을 위하여 초기에 막대한 자본투자, 급속한 기술발전, 짧은 life cycle, 가격급락등이 심하여, 시한내 투자회수가 이루어져야 하는 위험도가 큰 기회사업이라는 양면성도 가지고 있다. 이러한 관점때문에 새로운 DRAM기술은 매 세대마다 끊임없이 빠른 속도로 개발되어왔다. 그러나 sub-micron이하의 DRAM세대로 갈수록 그에 대한 신기술은 점차 어렵게 되어가고, 한편으로는 system의 다양화에 따른 요구도 강하여, 이제는 통상적인 DRAM의 고집적화/저가의 전략만으로는 생존하기 어려운 실정이므로 개발전략도 수정하여야만 할 것이다. 이러한 어려운 기술한계를 극복하기 위하여 새로운 소자기술 및 공정개발에 대한 breakthrough가 이루어져야 할 것이다. 이러한 관점에서 현재까지의 DRAM개발 추이와 향후의 기술방향에 관하여 몇가지 중요한 item을 설정하여 논의해 보기로 한다.

• 한국생물환경조절학회:학술대회논문집
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• 한국생물환경조절학회 2000년도 학술발표논문집
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• pp.51-57
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• 2000

고품질의 경쟁력이 있는 상품을 지속적으로 생산하기 위해서는 각 작물별 적합한 배양토(토양조건) 선정과 과학적인 영양(비배)관리가 절실히 요구된다. 이미 선진국에서는 분화용 또는 재배용 배양토를 기능적으로 전문화하여 산업에 활용하고 있으며, 이 분야에 대해서 가축분뇨 등 폐자원을 이용한 배양토 생산이 실용화되고 있다. 국내에서 공정육묘용 상토와 화분용, 식물재배용 배양토에 사용되는 원료(피트모스, 펄라이트, 암면 등)는 거의 대부분 외국으로부터 수입에 의존하고 있으며, 국내의 대규모 기업형 축사 또는 돈사에서 발생되는 축분은 환경오염의 근원이 되나 충분히 부숙 또는 특수가공처리를 한다면 필요한 배양토 조제에 효율적이고 기능적인 자원으로 활용할 수 있을 것으로 평가되고 있다. (중략)

• 대한기계학회논문집B
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• 제30권1호
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• pp.41-47
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• 2006

High resolution dopant profiling in semiconductor devices has been an intense research topic because of its practical importance in semiconductor industry. Although several techniques have already been developed. it still requires very expensive tools to achieve nanometer scale resolution. In this study we demonstrated a novel dopant profiling technique with nanometer resolution using very simple setup. The newly developed technique measures the thermoelectric voltage generated in the contact point of the SPM probe tip and MOSFET surface instead of electrical signals widely adopted in previous techniques like Scanning Capacitance Microscopy. The spatial resolution of our measurement technique is limited by the size of contact size between SPM probe tip and MOSFET surface and is estimated to be about 10 nm in this experiment.

• 한국생물환경조절학회:학술대회논문집
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• 한국생물환경조절학회 2002년도 학술발표논문집
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• pp.54-56
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• 2002

고추는 국내 재배면적이 노지재배가 75,000 ha 정도로서 해마다 조금씩 감소하고 있고, 시설재배가 5,000 ha 정도로서 해마다 증가하고 있다. 따라서 약 80,000 ha 의 재배 면적을 매년 심어야 하기 때문에 원예작물 가운데 가장 많은 모종을 필요로 한다. 이를 뒷받침하기 위하여 공정육묘에서 차지하는 비율이 60%를 넘고 있다. 고추종자는 발아적온이 28-3$0^{\circ}C$ 정도로 알려져 있으며 발아소요일수가 2-3일 정도로서 발아적산온도는 1,300~1,450$^{\circ}$ 정도로 알려져 있다. (중략)

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.51-54
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• 1996

This paper reports the studies of the inversion layer mobility in p-channel Si MOSFET's under hot-carrier degradated condition. The validity of relationship of hot carrier degradations between the surface effective mobility and field effect mobility and are examined. The effective mobility(${\mu}$$\_$eff/) is derived from the channel conductances, while the field-effect mobility(${\mu}$$\_$FE/) is obtained from the transconductance. The characteristics of mobility curves can be divided into the 3 parts of curves. It was reported that the mobility degradation is due to phonon scattering, coulombic scattering and surface roughness. We are measured the mobility slope in curves with DC-stress [V$\_$g/=-3.1v]. It was found that the mobility(${\mu}$$\_$eff/ and ${\mu}$$\_$FE/) of p-MOSFET's was increased by increasing stress time and decreasing channel length. Because of the increasing stress time and increasing V$\_$g/ is changed oxide reliability and increased vertical field.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2008년도 추계학술발표논문집
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• pp.375-378
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• 2008

생태방음벽의 적합한 식물종은 최소한의 유지관리만을 통해 성장할 수 있는 식물을 선정하는 것이 매우 중요하다. 지상부의 성장이 억제되고, 지하부의 성장이 활발해야 하기 때문에 레볼센트리, 소나타, 페난트 등이 가장 적합한 식물종으로 판단된다. 코스모스의 경우는 발아율, 생명력, 번식력 등이 매우 좋으나 지하부의 성장이 다른 품종에 비해 약 35%이상 크게 성장하고 지하부의 성장이 50%미만이기 때문에 식생방음벽으로서는 적합하지 않다. 그리고 여러 조건을 충족할 수 있는 추후 실험이 이루어져야 할 것으로 사료된다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제3회(2014년)
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• pp.450-453
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• 2014

쇼트키 장벽 모스펫(Schottky barrier MOSFETs : SB-MOSFETs)은 SB높이(${\Phi}_B$)에 매우 민감하다. 그래서 ${\Phi}_B$를 줄이는 공정 방법에 대한 연구가 활발히 진행 중이다. 이러한 ${\Phi}_B$를 측정할 때, SB-MOSFETs에서가 아닌 SB 다이오드에서 측정이 이뤄지고 있다. 본 논문에서는 ${\Phi}_B$를 SB-MOSFETs에서 측정 할 수 있는 방법을 제안하고 전산모사를 통하여 채널의 길이와 두께, Overlap / Underlap 구조, 온도 등에 대한 의존성을 살펴 보았다. 그 결과 채널의 길이와 두께, Overlap / Underlap 구조에 따른 의존성은 없는 것으로 확인되었다. 하지만 20nm 이하의 채널의 소자에 대해서는 소스/드레인간 터널링 전류로 인해 정확한 ${\Phi}_B$ 측정이 불가능하였다. 그리고 저온에서 측정할 때 정확도가 높아짐을 확인하였다.

• 디지털콘텐츠
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• 5호통권132호
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• pp.63-69
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• 2004

정보통신부가 주최하고 한국소프트웨어진흥원과 한국데이터베이스진흥센터가 공동으로 주관하는 2004년 디지털콘텐츠 대상 1분기 수상작이 결정됐다. 디지털영상, 온라인게임, 교육용콘텐츠, 무선콘텐츠, 웹정보콘텐츠 등 4개 부문 총 5개 작품이 선정된 이번 1분기 디지털콘텐츠 대상 수상작들은 전분야에 걸쳐 우수한 작품들이 제출되 심사과정에서도 고민이 있었다는 후문이다. 수상작들을 살펴보면 디지털영상 분야에서는 이매진하이의 트라이킹덤이 수상의 영예를 안았고, 온라인 게임 분야에서는 재미 인터렉티브의 '트라비아 온라인'과 엔트리브소프트 '팡야'가 공동으로 선정됐다. 교육콘텐츠에서는 와이즈캠프닷컴의 '와이즈캠프'가 수상했고, 모바일콘텐츠분야에서는 엔텔리젼트의 '삼국지 무한대전'이 차지했다. 이와 함께 웹정보 콘텐츠 분야에서는 북코스모스의 '국내외 북다이제스트'가 대상을 차지했다. 이번 디지털콘텐츠 대상 수상업체들은 향후 정보통신부의 해외 진출과 마케팅을 위한 각종 활동에 우선적으로 참가하는 혜택을 누릴 수 있으며, 연말에 열리는 디지털콘텐츠페어 2004전시회에 참가하고, 대통령상 후보에 오르는 자격을 얻게 된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.71-74
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• 1998

In this Paper, we investigate the electrical properties of ultra-thin(70${\AA}$) nitrided(NO) and reoxidized nitrided oxide(ONO) film that ale considered to be premising candidates for replacing conventional silicon dioxide film in ULSI level integration. we studied I$\sub$g/-V$\sub$g/ characteristics to know the effect of nitridation and reoxidation on the current conduction, leakage current time-dependent dielectric breakdown(TDDB) to evaluate charge-to-breakdown(Q$\sub$bd/), and the effect of stress temperature(25, 50, 75, 100$^{\circ}C$) and compared to those with thermal gate oxide(SiO$_2$) of identical thickness. From the measurement results, we find that reoxidized nitrided oxide(ONO) film shows superior dielectric characteristics, leakage current, and breakdown-to-charge(Qbd) performance over the NO film, while maintaining a similar electric field dependence compared to NO layer. Besides, ONO film has strong resistance against variation in temperature.