• 원예과학기술지
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• 제19권1호
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• pp.92-97
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• 2001

본 실험은 대량생산을 위한 포트 재배시 바실의 생육과 정유함량을 향상시킬 수 있는 최적의 배지와 적정 배양액의 농도를 선발하고자 실시하였다. 배양액농도에 따른 생육은 1, 2배에서 양호하였으며, 3배의 경우 생육이 억제 되었다. 생육이 좋은 양액농도는 펄라이트의 경우 2배, 피트모스. 코코피트 단용배지는 0.5배, 혼용배지의 경우 1배였다. 배지별로는 코코피트를 사용한 경우가 생육이 좋았으며, 펄라이트의 경우도 양호하였으나, 피트모스의 경우 생육이 저조하였다. 내적인 품질은 동일한 경향을 보이지 않았으나, 정유함량의 경우 코코피트와 펄라이트(1:1 v:v)를 혼용한 처리구에서 높은 수치를 보였다. 따라서, 바실 포트 재배의 경우, 코코피트와 펄라이트 1:1(v:v) 혼용배지에 벨기에의 유럽채소연구회에서 개발한 허브 배양액 1배($EC=2.4dS{\cdot}m^{-1}$)를 처리한 것이 외관생육과 정유함량의 두 요소를 고려해 볼 때 가장 적합하였다.

• 항공우주시스템공학회지
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• 제18권1호
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• pp.99-107
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• 2024

본 논문은 도심 항공 모빌리티 환경에서 응급상황 발생 시 비상 대응이 가능한 시스템을 제안한다. 탑승자의 심박수를 실시간으로 모니터링하고 이상 감지 시, 모스 부호화된 진동과 음성으로 경고하는 생체신호 감응형 스마트 워치를 개발하였으며. 관제시스템을 가정한 ROS 환경과 통신하여 도심 항공 모빌리티 운용 중 인근 버티포트 비상착륙을 위한 최단 경로 생성 시스템을 구현하였다. 실제 지역을 기반으로 한 고 충실도 시뮬레이션 환경 구축과 테스트로 안정성을 확인하였으며, 결과적으로 도심 항공 모빌리티의 안정과 편의를 향상시킬 수 있는 기술을 개발하였다.

• 대한방사선치료학회지
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• 제27권1호
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• pp.53-60
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• 2015

목 적 : 본 연구는 3D 프린터를 이용하여 전립샘부위 팬텀을 제작하고 생체내선량측정(In-vivo dosimetry)을 통해 그 유용성을 평가하고자 한다. 대상 및 방법 : 전립샘암 환자의 3차원 치료체적을 바탕으로 3D 프린터(3D EDISON+, Lokit, KOREA)를 이용하여 전립샘과 직장의 체적을 동일하게 모사한 팬텀을 제작하고, 컴퓨터단층촬영(Lightspeed CT, GE, USA)을 통해 팬텀영상을 획득하였다. 전립샘암 환자의 체적과 팬텀의 체적을 비교 한 후, 전산화치료계획시스템(Eclipse version 10.0, Varian, USA)을 이용하여 치료계획을 설계하였다. 팬텀 내 측정지점인 방광(Bladder), 전립샘(Prostate), 직장 위벽(Rectal anterior wall), 직장 아래벽(Rectal posterior wall)의 임의의 지점에 모스펫검출기(Metal OXIDE Silicon Field Effect Transistor, MOSFET)를 위치시켜 선량 측정값과 치료계획을 비교분석 하였다. 결 과 : 전립샘과 직장풍선의 환자체적은 각각 30.61 cc, 52.19 cc 이고, 팬텀체적은 31.12 cc, 53.52 cc로 각 체적의 차이는 3% 미만으로 확인되었다. 모스펫검출기의 정밀도는 3%이내로 측정되었고 선량의 변화에 따라 상관계수 R2 = 0.99 ~ 1.00 의 선형성을 보였다. 네 곳의 측정 지점을 치료계획된 선량과 비교한 결과 방광 1.4%, 전립샘 2.6%, 직장 위벽 3.7%, 직장 아래벽 1.5%로 나타났고 모스펫검출기의 정밀도를 고려한 선량측정의 정확성은 5% 이내로 평가되었다. 결 론 : 본 실험을 통해 3D 프린터를 이용하여 제작한 전립샘 부위 팬텀은 체적의 차이 3% 미만으로, 인체를 모사하는데 효과적으로 사용될 수 있음을 확인하였다. 제작된 팬텀을 이용한 생체내선량측정은 모스펫검출기의 정밀도를 고려하더라도 방광, 전립샘, 직장 위벽, 직장 아래벽의 모든 측정점에서 5% 이내의 정확도로 수행 할 수 있었다. 따라서 3D 프린트를 이용해 제작된 전립샘 부위 팬텀은 생체선량측정을 하는데 있어 매우 유용하였으며 향후 환자에게 직접 적용하기 어려운 부위를 팬텀으로 대체 제작하여 생체내선량측정이 가능할 것으로 사료된다.

• 원예과학기술지
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• 제31권5호
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• pp.558-564
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• 2013

수축성이 강한 원예용 상토를 용기에 충전할 때 충전량 변화에 따른 물리성 변화를 구명하기 위해서 본 연구를 수행하였다. 피트모스 + 팽연왕겨(8:2, v/v; PM + ERH), 피트모스 + 훈탄(6:4; PM + CRH) 및 피트모스 + 분쇄부숙수피(8:2; PM + GRPB)의 세 종류 상토를 혼합 조제하였다. 작물 재배를 위한 최적 가비중을 기초로 직경이 6.0, 7.5, 8.5, 10.5 및 12.5cm의 용기에 90, 100, 110, 120 및 130%가 되도록 상토 충전량을 조절한 후 공극률, 용기용수량 및 기상률의 변화를 측정하였다. 모든 크기의 화분에 세 종류 혼합상토의 충전량이 많아질수록 뚜렷하게 공극률이 감소하였다. 그러나 용기의 크기가 작아질수록 세 종류 상토의 공극률이 유사한 경향을 보이며 감소하고 각 상토별 차이도 크지 않았지만 용기의 크기가 커질수록 공극률 감소의 상토별 차이가 커지는 경향이었다. 상토 충전량이 많아질수록 용기용수량도 뚜렷하게 낮아졌다. 훈탄이 포함된 PM + CRH 상토는 직경 8.5cm 이하의 작은 용기에서 세 종류 상토중 용기용수량이 가장 낮았지만 직경 10.5cm 이상으로 용기가 커질수록 용기용수량이 가장 높았으며 화분의 크기 및 상토종류에 따라 다른 경향을 보이며 물리성이 변함을 알 수 있었다. 모든 규격의 화분에서 상토 충전량 증가는 기상률이 뚜렷하게 감소하는 원인이 되었다. 그러나 PM + GRPB가 혼합된 상토가 팽연왕겨나 훈탄이 포함된 상토 보다 모든 충전밀도에서 기상률이 2배 이상 높았다. 또한 상토 충전량이 많아져도 큰 화분에서는 기상률의 감소한 정도가 크지 않았지만 액상률의 감소한 정도가 컸다. 이상의 연구 결과는 혼합상토를 이용한 작물 재배에서 상토의 충전량이 증가할 경우 공극률, 기상률 및 액상률이 감소하지만 이는 용기의 크기 및 상토 종류에 따라 감소 정도가 달라질 수 있음을 나타낸다. 또한 본 연구 결과는 상토를 이용한 용기재배에서 충전량 차이에 따른 물리성 변화를 예측하기 위한 자료로 활용될 수 있을 것이다.

• 현장농수산연구지
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• 제23권2호
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• pp.63-70
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• 2021

파종 후 60일 지난 인삼 생장율 조사 평균 초장은 16.9cm, 평균 초중은 0.54g으로 측정되었다. 각 토양별 생장율은 1번(피트모스6.5:펄라이트2:마사토1.5) 구에서는 16.36cm, 0.60g. 2번(피트모스 10) 구에서는 13.74cm, 0.41g. 3번(일반상토10)구에서는 12.43cm, 0.26g. 4번(일반상토8:코코피트2) 구에서는 14.60cm, 0.39g으로 측정되었다. 1번 인공상토에서 평균초장과 초중이 다른 토양 생육환경보다 우수한 것으로 측정되었다. 식물체 분석을 위해 인공상토별 평균초장과 초중이 우수한 피트모스6.5:펄라이트2:마사토1.5 비율의 인공상토와 상대적으로 낮은 결과의 일반상토에서 자란 인삼식물체 각 30개를 선별하여 식물체 분석을 수행하였다. 그 결과 1번 실험구(피트모스6.5:펄라이트2:마사토1.5) 속의 질산태 질소(NO₃-N) 260ppm이나 1번 시험구(일반상토10)에서 생육된 인삼 식물체는 질산태 질소(NO₃-N) 1,040ppm으로 더 높게 나타났다. 인삼의 특징은 질소 함량이 300ppm 넘어가면 생육이 불량해진다. 인산(P), 칼륨(K), 마그네슘(Mg)에서는 큰 차이가 없었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권5호
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• pp.270-277
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• 2000

A new Lateral Trench-MOS Bipolar-Mode Field-Effect Transistor(LTMBMFET) is proposed and verified by MEDICI simulation. By using a trench MOS structure, the proposed device can enhance the current gain without sacrificing other device characteristics such as the breakdown voltage. The channel region of the proposed device is formed between the trench MOS structure. So the effect of the substrate voltage is negligible when compared with the conventional device which has a channel region between the gate junction and the buried oxide layer.

• 한국농업기계학회:학술대회논문집
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• 한국농업기계학회 1999년도 하계 학술대회 논문집
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• pp.16-21
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• 1999

국민소득의 증대와 더불어 향상된 우리의 식생활 문화는 양보다 품질을 선호하게 되어 청정 농산물의 수요가 증대하였는데 이로 인하여 농작물의 유해성을 감소시킬 수 있으며 기후의 영향을 덜 받아 연중재배 및 생산이 가능한 수경재배 및 양액재배 기술이 등장하였으며, 이를 위한 첨단 시설하우스의 설립도 매우 많이 증가하였다. 또한 점점 더 확산되는 집단육묘 체계에서 살균 처리하여 사용되고 있는 관행 상토를 대체할 수 있는 무균의 배양토 재료의 개발이 관심 대상으로 떠올랐다. 토양 및 광물질, 유기물류가 혼합된 대부분의 상토재료(피트모스, 나무껍질)와 양액재배 지주물질은 매우 많은 양이 수입에 의존하고 있는 실정이다. 이러한 고가의 수입자재를 대체하기 위한 일환으로 우리 농촌에서 농업부산물로 생겨나는 왕겨를 탄화시켜 상토재료 및 양액재배용 지주물질로 사용하려는 연구가 다수 시행되었다. (중략)

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회A
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• pp.636-641
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• 2007

This research focuses on the development of an analytical model loosening mechanism of dental implant system. The model is utilized for predictions of preload values for internal and external types of implants. It identifies the effects of various parameters such as friction, geometric factors and mechanical properties on the loosening mechanism of the implant system. The results of analytical model are compared to those of the numerical method for validation.

• 한국생물환경조절학회:학술대회논문집
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• 한국생물환경조절학회 1994년도 봄 심포지움 및 학술논문발표요지
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• pp.121-122
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• 1994

배양액농도는 작물의 양분과 수분흡수에 영향을 주고 생육, 수량 및 품질에 미치는 영향이 큰 근권제어요인이다. 순수수경재배에서는 작물종류별 배양액농도에 대한 연구가 많이 되어 있으나 배지경에서 배지종류별 작물에 따른 적정배양액 농도에 대한 연구는 드물다. 특히 적정배양액 농도는 작물종류, 품종, 생육단계에 따라 다르고, 생산물의 품질에도 지대한 영향을 미치는 것으로 밝혀지고 있다. 따라서 토마토에서 배지종류별(펄라이트, 버미큘라이트, 피트모스) 육모기와 정식후 배양액농도에 따른 토마토 수량 및 품질에 미치는 영향을 밝히고져 실험을 수행하였다. (중략)

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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• pp.343-346
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• 1998

Ultra-thin gate oxide in MOS devices are subjected to high-field stress during device operation, which degrades the oxide and exentually causes dielectric breakdown. In this paper, we investigate the electrical properties of ultra-thin nitrided oxide (NO) and reoxidized nitrided oxide(ONO) films that are considered to be promising candidates for replacing conventional silicon dioxide film in ULSI level integration. We study vriations of I-V characteristics due to F-N tunneling, and time-dependent dielectric breakdown (TDDB) of thin layer NO and ONO depending on nitridation and reoxidation condition, and compare with thermal $SiO_{2}$. From the measurement results, we find that these NO and ONO thin films are strongly depending on its condition and that optimized reoxided nitrided oxides (ONO) films show superior dielectric characteristics, and breakdown-to-change ( $Q_{bd}$ ) performance over the NO films, while maintaining a similar electric field dependence compared to NO layer.