Annealing Effects on $Q_{BD}$ of Ultra-Thin Gate Oxide Grown on Nitrogen Implanted Silicon
(열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 $Q_{BD}$ 특성에 미치는 영향)
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- Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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- v.37 no.3
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- pp.6-13
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- 2000