Journal of the Microelectronics and Packaging Society
/
v.11
no.3
s.32
/
pp.1-7
/
2004
Tin plating on component finishes may grow whiskers under certain conditions, which may cause failures in electronics equipment. To protect the environment, 'lead-free' among component finishes is being promoted worldwide. This paper presents the evaluation results of whiskers on two kinds of lead-free plating materials at the plating temperature and under the reliability test. The rising plating temperature caused increasing the size of plating grain and shorting the growth of whisker. The whisker was grown under the temperature cycling the bent type in matt Sn plating and striated type in malt Sn-Bi. The whisker growth in Sn-Bi plating was shorter than that in Sn plating. In FeNi42 leadframe, the $7.0{\~}10.0{\mu}m$ diameter and the $25.0{\~}45.0{\mu}m$ long whisker was grown under 300 cycles. In the 300 cycles of Cu leadframe, only the nodule(nuclear state) grew on the surface, and in the 600 cycles, a $3.0{\~}4.0{\mu}m$ short whisker grew. After 600 cycles, the ${\~}0.34{\mu}m$ thin $Ni_3Sn_4$ formed on the Sn-plated FeNi42. However, we observed the amount of $0.76{\~}1.14{\mu}m$ thick $Cu_6Sn_5$ and ${\~}0.27{\mu}m$ thin $Cu_3Sn$ intermetallics were observed between the Sn and Cu interfaces. Therefore, the main growth factor of a whisker is the intermetallic compound in the Cu leadframe, and the coefficient of thermal expansion mismatch in FeNi42.
Sohn Yoon-Chul;Yu Jin;Kang S. K.;Shih D. Y,;Lee Taek-Yeong
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
/
v.11
no.3
s.32
/
pp.37-45
/
2004
Electroless Ni(P) has been widely used for under bump metallization (UBM) of flip chip and surface finish layer in microelectronic packaging because of its excellent solderability, corrosion resistance, uniformity, selective deposition without photo-lithography, and also good diffusion barrier. However, the brittle fracture at solder joints and the spatting of intermetallic compound (IMC) associated with electroless Ni(P) are critical issues for its successful applications. In the present study, the mechanism of IMC spatting and microstructure change of the Ni(P) film were investigated with varying P content in the Ni(P) film (4.6,9, and $13 wt.\%$P). A reaction between Sn penetrated through the channels among $Ni_3Sn_4$ IMCs and the P-rich layer ($Ni_3P$) of the Ni(P) film formed a $Ni_3SnP$ layer. Thickening of the $Ni_3SnP$ layer led to $Ni_3Sn_4$ spatting. After $Ni_3Sn_4$ spatting, the Ni(P) film directly contacted the molten solder and the $Ni_3P$ phase further transformed into a $Ni_2P$ phase. During the crystallization process, some cracks formed in the Ni(P) film to release tensile stress accumulated from volume shrinkage of the film.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
/
v.21
no.4
/
pp.97-103
/
2014
Among various lead-free solders, the Sn-58Bi solders have been considered as a highly promising lead-free solders because of its low melting temperature and high tensile strength. However, Sn-58Bi solder has the poor ductility. To enhance the mechanical property of Sn-58Bi solder, epoxy-enhanced Sn-58Bi solders have been studied. This study compared the microstructures and the mechanical properties of Sn-58Bi solder and Sn-58Bi epoxy solder with aging treatment. The solders ball were formed on the printed circuit board (PCB) with organic solderability preservative (OSP) surface finish, and then the joints were aged at 85, 95, 105 and $115^{\circ}C$ for up to 100, 300, 500 and 1000 hours. The shear test was conducted to evaluate the mechanical property of the solder joints. $Cu_6Sn_5$ intermetallic compound (IMC) layer grew with increasing aging time and temperature. The IMC layer for the Sn-58Bi epoxy solder was thicker than that for the Sn-58Bi solder. According to result of shear test, the shear strength of Sn-58Bi epoxy solder was higher than that of Sn-58Bi solder and the shear strength decreased with increasing aging time.
Yoon, Ji-Hae;Ha, Ju-Young;Hwang, Jin-Yeon;Hwang, Byoung-Hoon;Gordon E. Brown, Jr.
Journal of the Mineralogical Society of Korea
/
v.22
no.1
/
pp.23-34
/
2009
The adsorption of iodide on untreated bentonite and bentonites modified with organic cation (i.e., hexadecylpyridinium chloride monohydrate ($HDP^+$)) was investigated, and the organobentonites were characterized using uptake measurements, ${\mu}$-XRD, and electrophoretic mobilities measurement. Uptake measurements indicate that bentonite has a high affinity for $HDP^+$. Our ${\mu}$-XRD study indicates that organobentonites significantly expanded in basal spacing and organic cations were substantially intercalated into the interlayer spaces of bentonite. The electrophoretic mobility indicates that organobentonite tht is modified with organic cations in excess of the CEC of bentonite is completely different from untreated bentonite in the surface charge distribution. We found significant differences in adsorption capacities of iodide depending on the bentonite properties as follows: iodide adsorption capacities were 439 mmol/kg for the bentonite modified with $HDP^+$ at an equivalent amount corresponding to 200% of the CEC of bentonite whereas no adsorption of iodide was observed for the untreated bentonite. The molecular environments of iodine adsorbed on organobentonites were further studied using I K-edge and $L_{III}$-edge x-ray absorption spectroscopy (XAS). The X-ray absorption near-edge structure (XANES) of iodine spectra from organobentonites was similar to that of KI reference solution. Linear combination fitting of EXAFS data suggests the fraction of iodine reacted with the organic compound increased with increasing loading of the organic compound on organobentonites. In this study, we observed significant differences in the adsorption environments of iodide depending on the modified property of bentonite and suggest that an organobentonite has potential as reactive barrier material around a nuclear waste repository containing anionic radioactive iodide.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
/
v.27
no.3
/
pp.77-81
/
2020
Commercialization of flexible OLED displays, such as rollable and foldable displays, has attracted tremendous interest in next-generation display markets. However, during bending deformation, cracking and delamination of thin films in the flexible display panels are the critical bottleneck for the commercialization. Therefore, measuring mechanical properties of the fragile thin films in the flexible display panels is essential to prevent mechanical failures of the devices. In this study, tensile properties of the metal and ceramic nano-thin films were quantitatively measured by using a direct tensile testing method on the water surface. Elastic modulus, tensile strength, and elongation of the sputtered Mo, MoTi thin films, and PECVD deposited SiNx thin films were successfully measured. As a result, the tensile properties were varied depending on the deposition conditions and the film thickness. The measured tensile property values can be applied to stress analysis modeling for mechanically robust flexible displays.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
/
v.13
no.1
s.38
/
pp.1-5
/
2006
We prepared 80 nm-thick TiSix on each 70 nm-thick amorphous silicon and polysilicon substrate using an RF sputtering with $TiSi_2$ target. TiSix composite silicide layers were stabilized by rapid thermal annealing(RTA) of $800^{\circ}C$ for 20 seconds. Line width of $0.5{\mu}m$ patterns were embodied by photolithography and dry etching process, then each additional annealing process at $750^{\circ}C\;and\;850^{\circ}C$ for 3 hours was executed. We investigated the change of sheet resistance with a four-point probe, and cross sectional microstructure with a field emission scanning electron microscope(FE-SEM) and transmission electron microscope(TEM), respectively. We observe an abrupt change of resistivity and voids at the silicide surface due to interdiffusion of silicide and composite titanium silicide in the amorphous substrates with additional $850^{\circ}C$ annealing. Our result implies that the electrical resistance of composite titanium silicide may be tunned by employing appropriate substrates and annealing condition.
ZITO/Ag/ZITO multilayer transparent electrodes at room temperature on glass substrates were prepared using RF/DC magnetron sputtering. Transparent conductive films with a sheet resistance of 9.4 Ω/㎡ and a transmittance of 83.2% at 550 nm were obtained for the multilayer structure comprising ZITO/Ag/ZITO (100/8/42 nm). The sheet resistance and transmittance of ZITO/Ag/ZITO multilayer films meant that they would be highly applicable for use in polymer-dispersed liquid crystal (PDLC)-based smart windows due to the ability to effectively block infrared rays (heat rays) and thereby act as an energy-saving smart glass. Effects of the thickness of the PDLC layer and the intensity of ultraviolet light (UV) on electro-optical properties, photopolymerization kinetics, and morphologies of difunctional urethane acrylate-based PDLC systems were investigated using new transparent conducting electrodes. A PDLC cell photo-cured using UV at an intensity of 2.0 mW/c㎡ with a 15 ㎛-thick PDLC layer showed outstanding off-state opacity, good on-state transmittance, and favorable driving voltage. Also, the PDLC-based smart window optimized in this study formed liquid crystal droplets with a favorable microstructure, having an average size range of 2~5 ㎛ for scattering light efficiently, which could contribute to its superior final performance.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
/
v.10
no.2
/
pp.7-12
/
2003
The $Bi_{3.3}La_{0.7}O_{12}$(BLT) capacitors with Metal-Ferroelectric-Insulator-Silicon structure were prepared on $SiO_2/Si$ substrates by using sol-gel method. The BLT thin films annealed at $650^{\circ}C$ and $700^{\circ}C$ showed randomly oriented perovskite crystalline structures. The full with at half maximum (FWHM) of the (117) main peak was decreased from $0.65^{\circ}$ to $0.53^{\circ}$ with increasing the annealing temperature from $650^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$, indicating the improvement in the crystalline quality of the film. In addition, the grain size and $R_rms$ , values were increased with increasing the annealing temperatures, showing the rough film surface at higher annealing temperatures. From the capacitance-voltage (C-V) measurements, the memory window voltage of the BLT film annealed at $700^{\circ}C$ was found to be about 0.7 V at an applied voltage of 5 V. The leakage current density of the BLT film annealed at $700^{\circ}C$ was about $3.1{\times}10^{-8}A/cm^2$.
We have demonstrated structural evolution and optical properties of the Si-NWs on Si (111) substrates with synthesized nanoscale Au-Si islands by rapid thermal chemical vapor deposition(RTCVD). Au nano-islands (10-50nm in diameter) were employed as a liquid-droplet catalysis to grow Si-NWs via vapor-liquid-solid mechanism. Si-NWs were grown by a mixture gas of $SiH_4\;and\;H_2$ at pressures of $0.1{\sim}1.0$Torr and temperatures of $450{\sim}650^{\circ}C$. SEM measurements showed the formation of Si-NWs well-aligned vertically for Si (111) surfaces. The resulting NWs are 30-100nm in diameter and $0.4{\sim}12um$ in length depending on growth conditions. HR-TEM measurements indicated that Si-NWs are single crystals convered with about 3nm thick layers of amorphous oxide. In addition, optical properties of NWs were investigated by micro-Raman spectroscopy. The downshift and asymmetric broadening of the Si optical phonon peak with a shoulder at $480cm^{-1}$ were observed in Raman spectra of Si-NWs.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
/
v.9
no.3
/
pp.49-56
/
2002
In this study, the InGaP epilayers were grown on the exact and the $2^{\circ}$, $6^{\circ}$, $10^{\circ}$ of cut GaAs substrates by metal-organic vapor phase epitaxy, and the effects of interfacial elastic strains determined by the substrate offcut angle upon the resulting dislocation density of epilayer were investigated for the first time. The elastic strains were obtained from lattice mismatch and lattice misfit by TXRD, and the dislocation densities from epilayer x-ray FWHM. For the offcut angle range used in this study, the elastic strain was maximum and x-ray FWHM minimum at offcut angle $6^{\circ}$. From 11K PL measurements, PL wavelength was found to decrease with an increase of offcut angle. PL intensity was maximum at offcut angle $6^{\circ}$. TEM results showed that the electron diffraction pattern was of typical zincblende structure, and that the dislocation density was minimum for substrate offcut angle $6^{\circ}$. The results obtained in this study, along with the device fabrication process and beam characteristics, clearly demonstrated that the optimum substrate offcut angle for the InGaP/GaAs heterostructures is $6^{\circ}$.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.