Kim Sung-Chan;Lim Byeong-Ok;Baek Tae-Jong;Ko Baek-Seok;An Dan;Kim Soon-Koo;Shin Dong-Hoon;Rhee Jin-Koo
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.16
no.7
s.98
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pp.753-759
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2005
In this paper, we have developed a new type of single balanced mixer with the RF MEMS $180^{\circ}$ hybrid coupler using surface micromachining technology. The $180^{\circ}$ hybrid coupler in this mixer is composed of the dielectric-supported air gapped microstriplines(DAMLs) which have signal line with $10{\mu}m$ height to reduce substrate dielectric loss and dielectric posts with size of $20{\mu}m{\times}20{\mu}m$ to elevate the signal line on air with stability At LO power of 7.2 dBm, the conversion loss was 15.5 dB f3r RF frequency or 57 GHz and RF power of -15 dBm. Also, we obtained the good RF to LO isolation of -40 dB at LO frequency of 58 GHz and LO power of 7.2 dBm. The main advantage of this type of mixer is that we are able to reduce the size of the chips due to integrating the MEMS passive components.
The adhesion characteristics of adsorbent during impregnation of Y-type and ZSM-5type zeolites into ceramic paper were analyzed, as the amount of silica sol in slurry for impregnation was varied. 31 wt% of zeolite particle, which is useful for VOC adsorption, was evenly dispersed and adhered on ceramic paper and original crystal structure of the zeolite remained unchanged even after binder application and heat treatment. Surface area of the impregnated ceramic paper was decreased compared with that of zeolite powder. And it was found to be attributed to the reduction of volume of mesopore while the volume of micropore under $20{\AA}$ was unchanged. Zeolite-impregnated honeycomb cylinder, whose diameter and length were 10 cm and 40 cm, respectively, was subjected to adsorption/desorption test with respect to toluene, MEK, cyclohexanone. All of the VOC's were removed by adsorption with efficiency higher than 97% and from the static adsorption test, $42 Nm^3/h$ of 300 ppmv-VOC-laden air was calculated be treated continuously, when the honeycomb was used in an adsorptive rotor system.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.26
no.3
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pp.227-247
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2015
An X-band $8{\times}16$ dual-polarized active phased array antenna system has been implemented based on the substrate integrated waveguide(SIW) technology having low propagation loss, complete EM shielding, and high power handling characteristics. Compared with the microstrip case, 1 dB less is the measured insertion loss(0.65 dB) of the 16-way SIW power distribution network and doubled(3 dB improved) is the measured radiation efficiency(73 %) of the SIW sub-array($1{\times}16$) antenna element. These significant improvements of the power division loss and the radiation efficiency using the SIW, save more than 30 % of the total power consumption, in the active phased array antenna systems, through substantial reduction of the maximum output power(P1 dB) of the high power amplifiers. Using the X-band $8{\times}16$ dual-polarized active phased array antenna system fabricated by the SIW technology, the main radiation beam has been steered by 0, 5, 9, and 18 degrees in the accuracy of 2 degree maximum deviation by simply generating the theoretical control vectors. Performing thermal cycle and vacuum tests, we have found that the SIW array antenna system be eligible for the space environment qualification. We expect that the high efficiency SIW array antenna system be very effective for high performance radar systems, massive MIMO for 5G mobile systems, and various millimeter-wave systems(60 GHz WPAN, 77 GHz automotive radars, high speed digital transmission systems).
Park, Sang-Eun;Song, U-Seok;Kim, Yu-Seok;Song, In-Gyeong;Lee, Su-Il;Park, Jong-Yun
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.615-615
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2013
탄소나노튜브(carbon nanotubes; CNT)는 강철보다 10~100배 견고할 뿐만 아니라 영률과 탄성률 은 각각 1.8 TPa, 1.3 TPa에 달하는 매우 우수한 기계적 강도를 지니고 있으며, 구리보다 좋은 전기 전도도와 다이아몬드의 2배에 이르는 열전도도를 지닌 물질이다. 이러한 탄소나노튜브의 우수한 특성을 이용하여 나노섬유, 고분자-탄소나노튜브의 고기능 복합체, 나노소자, 전계방출원(field emitter), 가스센서 등 다양한 분야로의 활용을 위한 연구가 진행되고 있다. 특히, 수백 ${\mu}m$ 이상의 길이로 수직 성장된 탄소나노튜브(VA-CNTs)의 합성은 길이 대 직경의 비(aspect ratio)가 비약적으로 증가하여 앞서 언급한 분야로의 활용이 더욱 유리하며, 그 중에서도 대량 생산, 나노섬유 및 나노복합체로서의 활용에 극히 유용하다. 최근에는 열 화학기상증착(thermal chemical vapor deposition; TCVD)법을 이용하여 탄소나노튜브의 구조를 제어하는 연구들이 많이 보고되고 있다. 열 화학기상증착을 이용한 수직 정렬된 탄소나노튜브의 합성에서 합성조건의 변화는 탄소나노튜브의 길이, 벽의 수, 직경, 결정성 등 구조에 큰 영향을 미친다. 탄소나노튜브는 이러한 구조에 따 라 물리적 특성이 달라지기 때문에 다양한 분야로의 응용을 위해서는 합성에 대한 근본적인 이해 가 절실히 요구된다. 본 연구에서는 열 화학기상증착법을 이용한 합성에서 성장압력의 변화에 따른 탄소나노튜브의 구조적 특성을 조사하였다. 성장압력의 변화는 탄소나노튜브의 밀도, 길이, 결정성에 큰 영향을 미치는 것을 주사전자현미경과 라만분광법을 이용하여 확인하였다. 이러한 결과 는 탄소나노튜브 박막(CNT forest)의 가장자리(edge)에 비정질 탄소(amorphous carbon)의 흡착으로 인한 나노튜브사이의 간격(intertube distance)이 좁아짐에 따른 가스공급 차단 효과로 설명이 가능 하다. 또한, 마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 탄소나노튜브를 합성하였다. 합성과정 중 산소(O2)를 주입 하였을 경우, 그렇지 않은 경우에 비하여 성장 속도가 증가하여 3시간 합성 시 2 mm가 넘는 수직 정렬된 탄소나노튜브를 합성 할 수 있었다. 이러한 결과는 과잉 공급 되어 탄소나노튜브로 합성되지 못하고 촉매금속의 표면과 탄소나노튜브의 벽에 비정질의 형태로 붙어있는 탄소 원자들을 추가 주입해 준 산소에 의하여 CO 또는 CO2 형태로 제거해 줌으로써 활성화된 촉매금속의 반응 시간을 향상 시켜주어 탄소공급이 원활하게 이루어졌기 때문이라 생각된다.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.18
no.6
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pp.44-52
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2017
In this paper, we propose a DFD (Digital Frequency Discriminator) design that has better frequency discrimination and a smaller size. Electronic warfare equipment can analyze different types of radar signal such as those based on Frequency, Pulse Width, Time Of Arrival, Pulse Amplitude, Angle Of Arrival and Modulation On Pulse. In order for electronic warfare equipment to analyze radar signals with a narrow pulse width (less than 100ns), they need to have a special receiver structure called IFM (Instantaneous Frequency Measurement). The DFD (Digital Frequency Discriminator) is usually used for the IFM. Because the existing DFDs are composed of separate circuit devices, they are bulky, heavy, and expensive. To remedy these shortcomings, we use a three delay line ($1{\lambda}$, $4{\lambda}$, $16{\lambda}$) in the DFD, instead of the four delay line ($1{\lambda}$, $4{\lambda}$, $16{\lambda}$, $64{\lambda}$) generally used in the existing DFDs, and apply the microwave integrated circuit method. To enhance the frequency discrimination, we detect the pulse amplitude and perform temperature correction. The proposed DFD has a frequency discrimination error of less than 1.5MHz, affording it better performance than imported DFDs.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.11
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pp.635-639
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2016
In the devices used in the microwave frequency band, the gain decreases as the frequency increases due to the parasitic component. To compensate for these characteristics, a linear gain equalizer with an opposite slope is needed in wideband systems, such as those used for electronic warfare. In this study, a linear gain equalizer that can be used in the 18 ~ 40GHz band is designed and fabricated. Circuit design and momentum design (optimizations) were carried out to reduce the errors between design and manufacturing. A thin film process is used to minimize the parasitic components within the implementation frequency band. A sheet resistance of 100 ohm/square was employed to minimize the wavelength variation due to the length of the thin film resistor. This linear gain equalizer is a structure that combines a quarter wavelength-resonator on a series microstrip line with a resistor. All three 1/4 wavelength short resonators were used. The fabricated linear gain equalizer has a loss of more than -5dB at 40GHz and a 6dB slope in the 18 ~ 40GHz band. By using the manufactured gain equalizer in a multi-stage connected device such as an electronic warfare receiver, the gain flatness degradation with increasing frequency can be reduced.
The regional distribution of magnetic isotropy depending on the post annealing condition for the dual-type structure GMR-SV (giant magnetoresistance-spin valve) of NiFe/Cu/NiFe/IrMn/NiFe/Cu/NiFe multilayer was investigated. The rotation of in-plane ferromagnetic layer induced by controlment of the post annealing temperature inside of the vacuum chamber. The magnetoresistive curves of a dual-type IrMn based GMR-SV depending on the direction of the magnetization easy axis of the free layer and the pinned layer are measured by between $0^{\circ}$ and $360^{\circ}$ angles for the applied fields. The optimum annealing temperature having a steady and isotropy magnetic sensitivity of 1.52 %/Oe was $107^{\circ}C$ in the rotational section of $0{\sim}90^{\circ}$. By investigating the switching process of magnetization for an arbitrary measuring direction, the in-plane orthogonal magnetization for the dual-type GMR-SV multilayer can be used by a high sensitive biosensor for detection of magnetized micro-beads.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.50
no.1
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pp.174-179
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2013
This paper presents a capacitor loaded tunable bandpass chip filter using multiple split ring resonators (MSRRs) with two transmission zeros. To obtain high selectivity and minimize the chip size, asymmetric feed lines are adopted to make a pair of transmission zeros located on each side of passband. Compared with conventional filters using cross-coupling or source-load coupling techniques, the proposed filter uses only two resonators to achieve high selectivity through a pair of transmission zeros. In order to optimize selectivity and sensitivity (insertion loss) of the filter, the effect of the position of asymmetric feed line on transmission zeros and insertion loss is analyzed. The SOI-CMOS switched capacitor composed of metal-insulator-metal (MIM) capacitor and stacked-FETs is loaded at outer rings of MSRRs to tune passband frequency and handle high power signal up to +30 dBm. By turning on or off the gate of the transistors, the passband frequency can be shifted from 4GH to 5GHz. The proposed on-chip filter is implemented in 0.18-${\mu}m$ SOI CMOS technology that makes it possible to integrate high-Q passive devices and stacked-FETs. The designed filter shows miniaturized size of only $4mm{\times}2mm$ (i.e., $0.177{\lambda}g{\times}0.088{\lambda}g$), where ${\lambda}g$ denotes the guided wave length of the $50{\Omega}$ microstrip line at center frequency. The measured insertion loss (S21)is about 5.1dB and 6.9dB at 5.4GHz and 4.5GHz, respectively. The designed filter shows out-of-band rejection greater than 20dB at 500MHz offset from center frequency.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.21
no.2
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pp.99-109
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2010
Recently, SIW(Substrate Integrated Waveguide) is intensively studied because of its high Q and easy integration with other devices. However, lacks of analytic characterization of SIW makes it difficult an accurate design of a SIW filter along the conventional filter design method. In this paper, two kinds of a three-stage 10 GHz SIW bandpass filter of fractional bandwidth 10% are designed using 3D EM simulator HFSS based on the recently presented EM filter design method. Two types of a modified CPW to SIW transition is proposed and employed as a SIW to microstrip transition necessary for measurement. The transitions provide an easy measurement with commercial test fixture by TRL calibration. The two proposed transitions are included in the SIW filters. The fabricated filters shows the center frequency of 10 GHz, fractional bandwidth 10%, a return loss of about 12 dB, and insertion loss of about 0.8 dB.
In this paper, we proposed an optical true time-delay (TTD) for planar phased array antennas (PAAs), which is composed of a wavelength-dependent optical true time delay (WDOTTD) followed by a wavelength-independent optical true time delay (WIOTTD). The WDOTTD is a fiber Bragg gratings (FBGs) Prism and the WDOTTD is a fiber delay-lines matrix of which each component consists of a certain length of fiber connected to cross-ports of a 2${\times}$2 MEMS switch. A 10-GHz 2-bit${\times}$4-bit two-dimensional optical TTD has been fabricated by cascading a WDOTTD with a maximum time delay of 810 ps to a WIOTTD of $\pm$50 ps. Time delay and insertion loss for each radiation angle have been measured. Time delay error for the WIOTTD has been measured to be less than $\pm$1 ps. We have also designed a two-dimensional 10-GHz PAA composed of 8${\times}$8 microstrip patch antenna elements driven by the proposed TTD. The radiation patterns of this PAA have been obtained by simulation and analyzed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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