• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.11 no.5
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• pp.748-754
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• 2000

A novel single feed wide band CP stacked microstrip antenna using crossed slots has been designed, fabricated and measured. For the single rediating element the designed 10dB return loss bandwidth is 34.5%99.45~13.54 GHz), 3dB axial ratio bandwidth is 18.7%(11.17~13.39GHz), and 6 dB gain bandwidth is 29%(10.21~13.64GHz). For the 2$\times$2 array designed using a sequential rotation method, the 10dB return loss bandwidth is 35.9%(9.69~13.94GHz), 3dB axial ratio bandwidth is 34.6GHz (9.93~14.03GHz), and 6dB gain bandwidth is 27.4%(10.35~13.6GHz). For the fabricated 8$\times$8 array antenna, the 10dB return loss bandwidth is 27.3%(10.17~13.41GHz), 3dB axial ratio bandwidth is 27.9GHz(10.1~13.4GHz), and the radiation pattern is good agreement with theory. This antenna can be used for broadband applications for communications or broadcasting in Ku band.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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• v.37 no.1
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• pp.70-78
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• 2000

In applying high-${\underline{T_c}}$ superconducting material to microwave devices, Uncertainty of electromagnetics of high-${\underline{T_c}}$ superconductor(HTS) and the temperature dependence of the substrate fits with HTS thin film cause difficulty in realization of such antenna for industrial applications. It must be noted to characteristic the HTS antenna in contrast with normal conducting counterpart for this real application. In this paper, a comparative study between HTS microstrip antennas and gold antennas was reported in terms of the return loss, the characteristic impedance, efficiency, and other various characteristics. HTS thin films were $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ (YBCO) on MgO substrates. Superconducting microstrip antennas used in this work were to directly inset a microstrip transmission line into the 50 ${\Omega}$ region of the radiating patch. Measurement results of HTS antennas and gold antennas showed that usable antennas can be made using this architecture.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.24 no.2
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• pp.69-74
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• 2017

Effect of post-annealing treatment times at $200^{\circ}C$ on the peel strength of screen-printed Ag film/polyimide substrate were systematically investigated by $180^{\circ}$ peel test for thermal reliability assessment of printed interconnect. Initial peel strength around 16.7 gf/mm increased up to 29.4 gf/mm after annealing for 24hours, and then sharply decreased to 22.3, 3.6, 0.6, and 0.1 gf/mm after 48, 100, 250, and 500 hours, respectively. Ag-O-C chemical bonding as well as binder organic bridges formations seemed to be responsible for interfacial adhesion improvement after the initial annealing treatment, while excessive Cu oxide formation at Cu/Ag interface seems to be closely related to sharp decrease in peel strength for longer annealing times.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.19 no.3
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• pp.224-228
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• 2008

A highly sensitive integrated photonic temperature sensor was proposed and developed incorporating a polymeric microring resonator. The change in the ambient temperature was estimated by observing the shift in the resonant wavelength of the resonator induced via the thermooptic effect. For the purpose of enhancing its sensitivity, the sensor was built by implementing a polymeric resonator exhibiting a high thermooptic coefficient on a silicon substrate with a small coefficient of thermal expansion. For the range of from $20^{\circ}C$ to $30^{\circ}C$ near the room temperature, the fabricated sensor yielded a sensitivity of as high as 165 ${\pm}/^{\circ}C$ and a resolution of better than $0.1^{\circ}C$. And its performance was found to be hardly affected by the variation in the refractive index of the target analyte, which was applied to the surface of the sensor. It is hence expected that the sensor could be integrated with other refractormetric optical sensors, thereby compensating for the fatal error caused by the change in the ambient temperature.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.6 no.4
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• pp.49-53
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• 1999

In this study, the characteristics of the structure of buried type capacitor for RF multi- chip-module are investigated. We developed many kinds of structures to minimize the space of capacitor in module and the value of parastic series inductance without any loss in capacitance, and in this procedure the effect of vias especially position, size, number length are analyzed and optimized. This characteristics of structures are checked through HFSS(high frequency structure simulator) of HP, and the value of parastic series inductance is calculated by equivalent circuit analysis. And ensuing the result of simulation, we made buried type capacitors using LTCC (low temperature cofired ceramic) material. In measurement of this sample, we found out the effective and precise method can be applied to buried type and characteristics of vias and striplines added for measuring are quantified.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.9 no.4
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• pp.17-23
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• 2002

The more productive and stable fabrication can be obtained by applying chemical mechanical polishing (CMP) process to shallow trench isolation (STI) structure in 0.18 $\mu\textrm{m}$ semiconductor device. However, STI-CMP process became more complex, and some kinds of defect such as nitride residue, tern oxide defect were seriously increased. Defects like nitride residue and silicon damage after STI-CMP process were discussed to accomplish its optimum process condition. In this paper, we studied how to reduce torn oxide defects and nitride residue after STI-CMP process. To understand its optimum process condition, We studied overall STI-related processes including trench depth, STI-fill thickness and post-CMP thickness. As an experimental result showed that as the STI-fill thickness becomes thinner, and trench depth gets deeper, more tern oxide were found in the CMP process. Also, we could conclude that low trench depth whereas high CMP thickness can cause nitride residue, and high trench depth and over-polishing can cause silicon damage.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.105-105
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• 2000

현재 급격히발전하는 이동통신기술로 미루어 보아 앞으로는 모든 정보통신이 무선통신으로 이루어질 것이다. 그런데 무선통신은 이동성과 대용량의 정보전송에 초점을 맞추어 발전하고 있다. 많은 정보량을 전달하기 위해서 현재 사용되는 주파수 대역보다 고주파의 전파가 사용되어야 한다. 또한 이동성을 향상시키기 위해서는 통신기기의 소형화를 이루어야 하고 그러기 위해서 궁극적으로 모든 소자를 하나의 칩(chip)으로 집적화하는 것이 필요하다. 따라서 벌크상태로 사용되고 있는 유전체 공진기를 소형화, 즉 박막화해야만 한다. 결국 유전체 박막의 마이크로파 대역에서의 유전특성을 연구하고 그 특성을 향상시켜야만 한다. 통신기기에서 사용되는 유전체 공진기는 소형화를 위해 높은 유전율과 낮은 유전손실(tan$\delta$), 즉 높은 품질계수 (Q)를 가져야 한다. 마이크로파 대역에서 사용되고 있는 유전체 중에서 TiO2는 벌크 상태의 rutile 상에서 100정도의 높은 유전율과, 4 GHz에서 10,000 정도의 높은 품질계수를 나타낸다고 보고되어 있다. 따라서 본 연궁서는 TiO2 박막의 마이크로파 유전특성을 연구하였고 anatase 박막의 유전특성도 측정하였다. TiO2 박막을 RF magnetron reactive sputtering 방법으로 Ar (15 sccm)과 O2 (1.5 sccm) 기체를 사용하여 상온에서 증착하였다. 4mTorr의 증착압력에서 안정한 rutile 박막을 얻었고, 15 mTorrdo서 준안정한 anatase 박막을 얻을 수 있었다. 그리고 그 중간의 압력에서 두 상이 혼합된 박막이 증착되었다. 위와 같은 방법으로 형성한 TiO2 박막의 마이크로파 유전특성을 측정하기 위해 마이크로스트립 링공진기 (microstrip ring resonator)를 제작하였다. 마이크로스트립 링 공진기는 링의 원주길이가 전자기파 파장길이의 정수배가 되면 공진이 일어나는 구조이다. Fused quartz를 기판으로 하여 증착압력을 변수로 하여 TiO2 박막을 증착하였다. 그리고 그 위에 은 (silver)을 사용하여 링 패턴을 형성하였다. 이와 같이 공진기를 제작하여 network analyzer (HP 8510C)로 마이크로파 대역에서의 공진특서을 측정하였다. 공진특성으로부터 전체 품질계수와 유효유전율, 그리고 TiO2 박막의 품질계수를 얻어내었다. 측정결과 rutile에서 anatase로 박막의 상이 변할수록 유전율은 감소하고 유전손실은 증가하는 결과를 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.286-286
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• 2010

최근에 환경 오염과 화석 에너지의 고갈 문제를 해결하기 위하여 태양광을 전기 에너지로 변환하는 태양전지 연구에서 가장 이슈가 되는 부분은 저가격화와 고효율이다. 상용화 되어 있는 대부분의 태양전지는 단결정 실리콘 웨이퍼와 다결정 실리콘 웨이퍼를 사용한다. 실리콘 웨이퍼의 원자재 가격을 낮추는 방법에는 한계가 있기 때문에 태양전지 제작 공정에서 공정 단가를 낮추는 방법이 많이 연구되고 있고, 실리콘 웨이퍼가 가지는 재료의 특성상 화합물을 이용한 태양전지 보다 낮은 효율을 가질 수밖에 없기 때문에 반도체 소자 공정을 응용하여 실리콘 웨이퍼 기판에서 고효율을 얻는 방법으로 연구가 진행 되고 있다. 본 연구에서는 마이크로 블라스터를 이용하여 태양전지 cell 상부에 AG(anti-glare)를 가지는 유리 기판을 형성하여 낮은 단가로 태양전지 cell의 효율을 향상시키기 위한 연구를 진행 하였다. 태양전지 cell 상부에 AG를 가지는 유리 기판을 형성하게 되면 태양의 위도가 낮아 표면에서 대부분 반사되는 태양광을 태양전지 cell에서 광기전력효과가 일어나게 하여 효율을 향상시킨다. 이때 사용한 micro blaster 공정은 고속의 입자가 재료를 타격할 때 입자의 아래에는 고압축응력이 발생하게 되고, 이 고압 축응력에 의하여 소성변형과 탄성변형이 발생된다. 이러한 변형이 발전되어 재료의 파괴 초기값보다 크게 되면 크랙이 발생되고, 점점 더 발전하게 되면 재료의 제거가 일어나는 단계로 이루어지는 기계적 건식 식각 공정 기술이라 할 수 있다. 먼저 유리 기판에 마이크로 블라스터 장비를 이용하여 AG를 형성한다. AG는 $Al_2O_3$ 파우더의 입자 크기, 분사 압력, 노즐과 기판과의 간격, 반복 횟수, 노즐 이동 속도 등의 공정 조건에 따른 유리 기판 표면에서의 광학적 특성 및 구조적 특성에 관하여 분석하였다. 일반적인 태양전지 cell 제작 공정에 따라 cell을 제작 한후 AG 유리 기판을 상부에 형성시키고 솔라시뮬레이터를 이용하여 효율을 측정하였다. 이때 솔라시뮬레이터의 광원이 고정되어 있기 때문에 태양전지 cell에 기울기를 주어 태양의 위도 변화에 대해 간접적으로 측정하였다. AG 유리 기판이 태양전지 cell 상부에 형성 되었을 때와 없을 때를 각각 비교하여 AG 유리 기판이 형성된 태양전지 cell에서의 효율 향상을 확인하였다.

• Laser Solutions
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• v.6 no.3
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• pp.19-28
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• 2003

The manufacturing process for the microfluidic device can include sequential steps such as master fabrication, electroforming, and injection molding. The laser ablation, using masks, has been applied to the fabrication of channels in microfluidic devices. In this research, an excimer laser was used to engrave microscopic channels on the surface of PET (polyethylene terephthalate), which shows a high absorption ratio for an excimer laser beam with a wavelength of 248 m. When 50-${\mu}{\textrm}{m}$-wide rectangular microscopic channels are ablated with a 500 ${\times}$ 500 ${\mu}{\textrm}{m}$ square mask at a magnification ratio of 1/10, ditch-shaped defects were found in both corners. The measurement of laser beam intensity showed that a coherent image in the PET target caused such defects. Analysis based on the Fourier diffraction theory enabled the prediction of the coherent shape at the image surface as well as the diffraction beam shape between the mask and the image surface. It also showed that the diameter of the aperture had a dominant effect. The application of aperture with a diameter of less than 3 mm helped to eliminate such defects in the ablated rectangular microscopic channels on PET without such ditch-shaped defects.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.27 no.4
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• pp.1-10
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• 2020

This paper reviews the recent development of electronic textile technology, mainly focusing on chip-textile bonding. Before the chip-textile bonding, a circuit on the textile should be prepared to supply the electrical power and signal to the chip mounted on the fabrics. Either embroidery with conductive yarn or screen-printing with the conductive paste can be applied to implement the circuit on the fabrics depending on the circuit density and resolution. Next, chip-textile bonding can be performed. There are two choices for chip-textile bonding: fixed connection methods such as soldering, ACF/NCA, embroidery, crimping, and secondly removable connection methods like a hook, magnet, zipper. Following the chip-textile bonding process, the chip on the textile is generally encapsulated using PDMS to ensure reliability like water-proof.