In this study, structural optimum design was applied to the girder of magnet over head crane. The optimization was carried out using ANSYS Code for the deadweight of girder, especially focused on the thickness of its upper, lower, side and reinforced plates. The weight could be reduced up to around 15 % with constraints of its deformation, stress, natural frequency and buckling strength. The structural safety was also verified by the buckling analysis of its panel structure. It might be thought to be very useful to design the conventional structures for the weight save through the structural optimization.
ZnO thin films on glass substrate were deposited by on RF mangetron reaction sputter with various grgon/oxygen gas ratios and sbustrate temperatures. Crystallinities, surface morphologies, chemical compositions, and electrical properties of the films were investigated by XRD, AFM, XPS, RBS, and electrometer(keithley 617). All films showed a strong perferred orientation along the x-axis on glass substrate, and the chemical stoichiometry of Zn/)=1/1.0 was obtained at Ar/$O_2$ =50/50. Surface roughness and resistivity depended on the argon/oxygen gas ratio. The minimum surface roughness of 20$\AA$ and maximum resistivity of $10^8$$\Omega$ cm were achieved at Ar/$O_2$=10/90.
비등방성 고온 초전도 테이프는 자장의 세기뿐만 아니라 방향에 따라서도 임계 전류 값이 영향을 받는다. 이러한 비등방성 고온 초전도 테이프로 권선된 솔레노이드 마그네트의 임계 전류 특성 및 임계 전류를 결정짓는 위치를 알아내기 위해, 솔레노이드 모델의 자장 분포 및 수직 자장 성분과 평행 자장 성분을 구하고 임계 전류는 비선형 방정식을 수치적인 방법을 이용하여 예측해보았다.
ZnO thin films on glass substrate were deposited by RF magnetron reactive sputter with various argodoxygen gas ratios and substrate temperatures. Crystallinities, surface morphologies, chemical compositions, and electrical properties of the films were investigated by XRD, SEM, XPS and electrometer(keith1ey 617). All films showed a strong prefered orientation along the c-axis on glass substrate, and the chemical stoichiometry was obtained at Ar/$O_2$=50/50. The propagation velocity of ZnO SAW filter was about 2, 590 dsec and insertion loss was a minimum value of about -21dB.
ITO (indium tin oxide) thin films on PET (polyethylene terephthalate) and glass substrates have been deposited by a dc magnetron sputtering without heat treatments such as substrate heater and post heat treatment. Each sputtering parameter during the sputtering deposition is an important factor for the high quality of ITO thin films deposited on polymeric substrate. Particularly, the material, electrical and optical properties of as-deposited ITO oxide films are dominated by sputtering power, oxygen partial pressure and films thickness. As the experimental results, the XRD patters of ITO films are influenced by sputtering power and pressure. As the power and pressure are increased, (411) peak is grown suddenly. the electrical resistivity is also increased, as the sputteing power and pressure are increased. Transmittance of ITO thin films in visible light ranges is lowered with increasing the sputtering power and film thickness. Reflectance of ITO films in infia-red region is decreased, as the power and pressure is increased.
Transparent conducting indium tin oxide (TC-ITO) thin films are deposited on soda lime glass by a dc magnetron sputtering technique having the unbalanced-magnet structure in order to improve the electrical/material characteristics and to avoid the surface damages. The material properties are measured by the x-ray diffractometer (XRD) and atomic force microscope (AFM). The (400) peak as the preferred orientation of <100> direction for ITO thin films is stabilized with the increase of substrate temperature. The surface roughness estimated by AFM 3D image at the substrate temperature of 40$0^{\circ}C$ is extremely uniform. The best resistivity of ITO films (5500 $\AA$ thick) at 40$0^{\circ}C$ is about 1.3$\times$10$^{-4}$$\Omega$cm on the position of 4 cm from substrate center.
한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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pp.180-181
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2011
기존의 GaN LED에 사용되어지고 있는 p형 GaN 반도체의 Ni/Au 투명 접촉 전극을 제조할 때 발생하는 오염과 공정을 줄이고 발광효율을 향상시킬 수 있는 투명 접촉 전극을 제작하기 위해 마그네트론 2원 동시 방전법을 사용하여 AZO-NiO 박막을 증착 하였다. Al 원자 함량에 따른 AZO-NiO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 조사하였다.
초전도 DC 마그네트에 영구전류 (Persistent Current)를 흘리기 위해서는 초전도 접합(Superconducting Joint)이 필요하다. 저온 초전도 선재는 초전도 접합이 가능하며 고온 초전도체 중 BSCCO 선재로도 초전도 접합을 만들 수 있다. 그러나 최근 개발되어 향후의 초전도기기에 적용될 2세대 초전도 선재인 ReBCO CC(Coated Conductor)로는 아직 초전도 접합을 만들 수 없다. 본 연구에서는 광폭 선재의 중심을 가르고 양 종단부가 그대로 붙여진 형태의 선재를 이용하여 영구전류를 홀릴 수 있는 고온 초전도 마그네트를 제작하였다. 영구전류 초기 충전을 위하여 1.2 m 길이의 ReBCO 도체 종단부에 스테인리스 히터를 부착하여 영구전류 스위치를 구성하였다. 발생된 자기장의 시간적 균일성을 측정하기 위하여 34 시간동안 홀센서를 사용하여 대기압 액체질소 77.3 K에서 자기장을 측정하였다.
In-Sn-Zn-O (ISZO)박막과 In-Zn-Sn-O (IZSO)박막은 상온에서 2개의 캐소드 (DC, RF)를 이용하여 마그네트론 2원 동시 방전법에 의해 polyethylene terephthalate (PET)기판 위에 실온에서 증착되었다. ISZO 박막의 경우, Zn함량이 증가함에 따라 비저항은 증가하였지만, Zn원자의 도입에 의해 표면 조도는 개선되었다. 반면, IZSO 박막의 경우, 최저비저항 ($3.17$${\times}$$10^{-4}$${\Omega}cm$)은 $SnO_2$ 타켓의 RF power 40W에서 얻어졌지만, Sn원자의 도입에 의해 표면 조도는 거칠어졌다. XRD 측정 결과 모든 박막은 비정질 구조로 사료되고, 가시광선 영역에서 80% 이상의 높은 투과율을 보였다.
Al과 Ni이 나노 두께로 적층되어 있는 나노 포일은 외부의 촉발에 의해 원자수준의 상호 확산을 통해 합금화 된다. AlNi 합금이 되서 $-{\Delta}H$의 변화로 인하여, 외부에 열을 공급하게 되어 최대 엔탈피의 변화 일어날 수 있는 Al과 Ni의 혼합비율을 조사하였다. 나노 포일의 제조 공정은 마그네트론 스퍼터링을 이용하였으며, 나노 박막의 두께 및 적층 공정에 대한 공정 최적화를 하였다. 제조된 나노 포일은 금속-세라믹의 상온접합을 실시하여 산업적 응용에 대한 가능성을 고찰하고자 하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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