Characteristics of AZO-NiO thin films for p-type GaN semiconductor in GaN LED TCEs by using magnetron co-sputtering methode

GaN LED의 p형 반도체 투명 접촉 전극용 마그네트론 2원 동시 방전법을 통해 증착한 NiO-AZO 박막의 특성 평가

기존의 GaN LED에 사용되어지고 있는 p형 GaN 반도체의 Ni/Au 투명 접촉 전극을 제조할 때 발생하는 오염과 공정을 줄이고 발광효율을 향상시킬 수 있는 투명 접촉 전극을 제작하기 위해 마그네트론 2원 동시 방전법을 사용하여 AZO-NiO 박막을 증착 하였다. Al 원자 함량에 따른 AZO-NiO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 조사하였다.