• 한국산학기술학회논문지
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• 제5권3호
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• pp.223-226
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• 2004

나노 패턴을 갖는 미세 구조물을 낮은 비용으로 생산하기 위해서는 플라스틱 재료를 이용하는 것이 필수적이고, 대량생산이 가능한 가공방법으로 사출성형 공정기술이 유망하다. 본 연구에서는 e-beam 리소그라피로 제작된 석영원판 내의 100-500nm크기의 선과 점 형상을 간단한 thermal embossing 공정을 이용하여 액상 PDMS를 고형화 시킨 후에 원판과 분리시켜 PDMS 몰드를 제작하였다. 실험결과, 원판에 있는 나노 크기의 다양한 패턴들은 PDMS 몰드에 균일하게 전사되었고, 이 몰드는 사출성형용 스탬퍼 제작에 유용하게 이용될 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국레이저가공학회지
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• 제14권2호
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• pp.13-16
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• 2011

We fabricated the Fresnel zone plate using femtosecond laser lithography-assisted micro-machining, which is a combined process of nonlinear lithography and wet etching. We investigated the focusing properties by launching a 632.8nm wavelength He-Ne laser beam into the zone plate. The spot size of the primary focal point was $27{\mu}m$ and the intensity of focal point was 0.565W/$cm^2$.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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• pp.14-14
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• 2004

전자 공학 분야의 발전으로 인해 작은 구조물을 제작할 수 있는 리소그라피 (lithography) 기술이 급속하게 발전하고 있으며, 보다 작은 구조물에 대한 수요도 빠르게 증가하고 있다. 지난 수십 년간 반도체 분야에 적용 되어온 Moore's law에 의하면, 수년 내에 수십 나노 미터 크기의 특성 길이 (Critical Dimension)를 지닌 구조물을 이용하여 소자가 제작될 것 이 예견되고 있다. 반도체 공정을 응용하여 작은 구조물을 제작하는 기술은, 전자 공학 분야뿐만 아니라 광전자공학(optoelectronics) 분야, 양자 계산(quantum computing) 분야, 양자 계산(quantum computing) 분야, MEMS/NEMS, 바이오 센서(biosensor)분야 등에 다양한 응용성을 가질 것으로 예상된다.(중략)

• 한국통신학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.1059-1065
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• 1998

광정보처리와 광연결에 널리 사용되는 위상홀로그램을 제작하기 위해서는 정확한 위상을 갖게 하는 것이 매우 중요하다. 본 논문에서는 광 리소그래피 방식에 의한 위상 홀로그램의 제작 시 요구되는 위상을 얻기 위한 방법으로 회절빔의 0차 세기와 홀로그램의 위상과의 관계를 도입하였고, 이를 이용하여 위상이 각각 $\pi$와 $\pi$/2인 이진 위상 홀로그램을 제작하였다. 이 두 홀로그램을 결합하여 다중 위상 홀로그램을 구현함으로서 이진 위상 홀로그램에서 재생되는 불필요한 영상을 제거할 수 있었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제15권3호
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• pp.1-5
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• 2016

In order to apply sub-resolution assist feature (SRAF) in extreme ultraviolet lithography, the maximum non-printing SRAF width and lithography process margin needs to be improved. Through simulation, we confirmed that the maximum SRAF width of 6% attenuated phase shift mask (PSM) is large compared to conventional binary intensity mask. The increase in SRAF width is due to dark region's reflectivity of PSM which consequently improves the process window. Furthermore, the critical dimension error caused by variation of SRAF width and center position is reduced by lower change in diffraction amplitude. Therefore, we speculate that the margin of SRAF application will be improved by using PSM.

• 한국광학회지
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• 제6권3호
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• pp.239-244
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• 1995

내부 전반사 홀로그램을 이용하여 마스크의 미세 패턴을 기록, 재생 결상하였다. 직각 프리즘과 쐐기 살 다발 가르개, 반사경을 이용하여 광학계를 구성하였으며 TIR 홀로그램의 특성을 조사하였다. 본 실험에서는 5mW의 출력과 633nm의 파장을 가진 He-Ne 레이저를 이용하여 Agfa 8E75 홀로그램 건판에 TIR 홀로그램을 기록하고 기준파의 복소 공액파인 재생파로써 홀로그램을 재생하였다. 홀로그램 건판과 마스크와의 간격을 $200\mu$m로 유지했을 때 약 $3\mu$m의 분해능을 가진 재생상을 얻었으며 $70\mu$W의 기록 광으로써 홀로그램을 기록하여 0.45%의 에돌이 효율을 얻었다. 본 실험을 통하여 렌즈를 쓰지 않는 TIR 홀로그래피의 평판 표시 소자 리소그라피 기술에 응용 가능성을 알아 보았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1459-1460
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• 2006

A new gas jet Z-pinch EUV light source having double gas jet electrodes has been developed. It has two nozzles and two diffusers. The EUV beam is collected from the side of pinch plasma, generated in between the inner nozzle and corresponding diffuser. A cylindrical shell of He gas curtain produced by the outer nozzle is specially designed for shielding the debris and suppressing the inner gas expansion. We have succeeded in generating EUV energy of 1.22 mJ/sr/2%BW/pulse at 13.5nm. The estimated dimension of EUV source is to be FWHM diameter of 0.07 mm and length of 0.34 mm, and FW 1/e2 diameter of 0.15 mm and length of 1.2 mm.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.303-303
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• 2007

Photo-imageable thick-film lithography technology was developed for the fabrication of embedded passives such as inductors and capacitors. In this study, photo-imageable dielectric and conductor pastes have apoted a negative type. Sodalime glass wafer, alumina substrate and zero-shrinkage LTCC green tapes were used as substrates. In result, The lithographic patterns were designed as lines and spaces for conductor material, or via-holes for ceramic, LTCC, materials. The scattering and reflection of UV-beam on the substrate had negative effects on fine patterning. The patterning performance was varied with the exposing and developing process conditions, and also varied with the substrate materials. Fine resolution of less then $50/50{\mu}m$ in line and space was obtained, which is difficult in screen printing method.

• 한국진공학회지
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• 제12권4호
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• pp.288-292
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• 2003

Air hole 구조를 갖는 2차원 고분자 광결정 도파로를 나노 임프린트 방법으로 제작하기 위하여, e-beam lithography와 ICP etching 공정을 이용하여 기둥 구조를 갖는 실리콘 나노 마스터를 제작하였다. Air hole 구조를 갖는 광결정 구조를 얻기 위해, 실리콘 마스터 기둥의 형태를 4각형, 6각형, 12각형 및 원으로 설계하였다. 제작된 기둥의 직경과 구조를 CD-SEM과 SPM-AFM을 이용하여 측정하였으며, dose가 432 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$일 때 최적의 dose임을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.62-62
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• 2010

근래 실리콘 나노선을 이용한 FET타입의 바이오 센서로의 응용 연구가 활발하다. 본 연구에서는 top-down 방식으로 제작한 실리콘 나노선의 전자수송 특성을 측정 분석하여 실리콘 나노선의 기하학적 변수에 따른 수송 변수를 추출하였다. 두께가 40 nm인 SOI wafer로부터 출발하여 일반적인 포토리소그라피와 건식식각 공정을 통하여 선폭이 100-300 nm 그리고 길이가 2-20 mm인 실리콘 나노선을 제작하고 resistance 및 transconductance를 측정하여 전하농도와 이동도의 선폭에 대한 의존도를 얻었다. 이를 바탕으로 bare surface, OH-activated surface, APTES-treated surface등 실리콘 표면상태에 따른 표면전하의 시간에 대한 진화과정을 모니터 할 수 있었으며, 또한 PBS 용액상태에서 pH를 변화시킴에 따른 전하수송 특성곡선의 변화를 연구하였다.