본 연구에서는 고출력 레이저에 의한 고에너지 물질의 점화 현상 모델을 제시하였다. 본 모델에서는 강판에 긴 조사 시간을 가진 펄스 레이저를 조사하여 발생한 어블레이션에 의한 열 확산을 고려하였고, 수 kW의 continuous 레이저를 폭약에 조사하여 폭약이 열에 의하여 점화하는 현상을 실험 결과와 비교를 통해 검증하였다. 여기서는 매우 짧은 조사 시간(femto- 혹은 pico-second)을 가진 펄스 레이저에서 나타나는 전자에 의한 효과는 무시 되었다. 본 연구에 사용된 폭약은 RDX, TATB 그리고 HMX이며, 제시한 모델은 실험 결과와 흡사한 결과를 도출하였다.
$Cr^3+$:LiSAF 레이저의 출력 특성을 조사하기 위하여 이 레이저를 들띄울 수 있는 640nm DCM dye 레이저를 이용하여 이 레이저를 들띄워 그 출력의 특성을 조사하였다. 이 레이저 결정을 3cm 크기의 공진기 안에 넣어 820nm에 전반사하여 93%의 반반사율을 갖는 거울을 양쪽에 달아 이 레이저를 들띄워 그 출력의 특성을 보았다. 실험은 3%의 $Cr^3+$ 첨가율을 갖는 결정과 10%의 첨가율을 갖는 두 종류의 결정을 선택하여 각각의 경우에 들띄움 레이저 빛의 편극이 광축에 대하여 평행한 것과 수직한 것에 대하여 각각의 효율이 어느정도 이며 slope efficiency가 어느정도인 가를 각각 살폈다. 그 결과 이 레이저는 최대 10%의 효율을 22mJ의 들띄움 에너지에 대하여 가졌고 또 그 최대 slope efficiency는 19%를 가져 아주 좋은 효율을 가진 레이저 매질임을 확인 하였다.
레이저 가공기술은 공정 적용이 용이하고 응용 분야가 넓어 산업 전반에 걸쳐 널리 사용되고 있다. 특히, 태양전지 제조공정에서는 cutting, grooving, doping, ablation등의 분야에 활발하게 적용되고 있으며 최근에는 다양한 종류의 레이저를 기술을 이용하여 효율 향상과 원가 절감을 위해 많은 기관에서 활발하게 연구를 진행하고 있다. 본 연구에서는 실리콘웨이퍼에 특정 파장의 레이저를 조사하여 실리콘웨이퍼 표면의 용융과 고상화를 통해 구조적, 전기적 특성 변화를 확인하였다. Si wafer의 표면은 레이저 조사 조건에 의해 다결정화 하며 레이저의 power와 frequency, scan speed등을 조절하여 다결정 실리콘 영역의 형성 깊이를 조절 할 수 있다. 다결정화 된 부분의 구조적 특성은 SED과 XRD를 이용하여 측정하였으며, 전기적 특성은 면저항 측정을 통하여 실시하였다. 또한 이러한 특성을 이용하여 태양전지 제조 공정의 적용가능성을 평가하였다.
대구경 레이저 광집속장치의 쿠데(Coude) 광경로를 구성하는 레이저 반사경들의 레이저 빔조사에 의한 열변형과 이에 따른 광파면 왜곡에 대한 연구를 수행하였다. 쿠데 광경로는 연결거울 3개와 고속조종거울 1개로 구성된다. 반사경은 레이저 빔 파장에 대하여 99.5%의 반사율을 갖으며, 반사경 거울면에 조사된 레이저 에너지는 초당 500 W 정도가 흡수된다. 레이저 빔을 5초 동안 조사하면서 유발된 열하중에 의한 거울의 열 변형과 이에 따른 광파면 왜곡을 분석하였다. 광파면 왜곡은 연결거울의 경우 334 nm_PV, 98 nm rms로 나타났으며 고속조종거울은 $11.5\;{\mu}m$_PV, $3\;{\mu}m$ rms로 나타났다.
본 논문에서는 최근 유체소자 재료로써 많이 사용되고 있는 polymethyl methacrylate (PMMA)의 레이저 직접식각에 관한 특성을 나타내었다. 식각을 위한 레이저 원으로 기본파가 1064 nm, 반복율이 10 Hz인 Nd:YAG 레이저의 4고조파 성분 ($\lambda$=266 nm)을 사용하였다. X-Y-Z 축으로 이동 가능한 스테이지의 수평 이동속도를 변화시키며, 표면으로 조사되는 펄스 수를 제어하였다. 식각 후 광학현미경으로 식각 단면을 조사하여 식각 깊이와 폭을 측정하였다. 측정된 식각 깊이로부터 식각률을 계산하고, 그 값과 레이저 빔 밀도와의 관계를 알아보았다. 그 결과 시료 표면에 조사되는 레이저 빔 밀도의 로그값과 선형적인 관계를 갖는 것을 확인할 수 있었다. 또한 주사전자현미경을 이용하여 채널 형상 및 채널 내벽을 관찰하였다. 마이크로 채널 내벽에 식각 과정에서 발생한 생성물의 제거를 위해, 레이저 식각과 함께 질소가스 블로잉을 해주었다. 질소 블로잉 압력 1500 torr에서 식각 잔유물이 제거된 내벽을 볼 수 있었다. 실험결과, Nd:YAG 4고조파를 이용하여 PMMA 기판상에 유체 이동을 위한 마이크로 채널을 형성시킬 수 있었다.
재료가공분야에의 레이저의 적용은 1960년대 후반부터 시작되었으며, 고출력 CO$_2$ 와 Nd:YAG 레이저가 많은 산업분야에서 보편화될 정도로 발전하여 왔다. 재료가공에서의 레이저의 적용분야는 금속의 절단, 용접 및 드릴링, 세라익의 스크라이빙, 플라스틱과 복합재의 절단 및 여러 가지 재료의 마킹 등을 포함한다. 이와 같은 모든 응용에서 공통적인 것이 레이저 조사에 의해 재료를 용융, 증발시키는 열적 메카니즘이다.(중략)
펄스레이저를 고체표면에 조사하면 광-음향효과에 의해 입사지점에서 음향파원이 형성되고 음향파원의 형태와 재료의 특성에 따라 여러 유형의 종파, 횡파 및 표면파의 음향에너지가 발생된다. 본 연구에서는 열탄성영역과 플라스마영역에서 종파와 횡파의 변위파형을 해석하여 모의실험을 수행하였다. 실험에서는 KrF엑시머레이저를 탄소강, 알루미늄, 황동에 조사하여 플라스마영역에서의 광-음향신호를 검출하였으며 이론과 비교하여 분석하였다.
Sol-gel 및 MCVD 공정을 사용하여 Ag 가 함유된 광섬유를 제조하였다. KrF 엑시머 레이저에서 출력된 248 nm 의 UV 빔을 광섬유에 조사한 경우 450 nm 를 중심으로 광흡수가 6 dB/cm 로 급격히 증가하는 것을 확인할 수 있었으며, 이는 UV 레이저 조사에 의한 Ag 나노입자 형성에 따른 것으로 추측된다.
연구의 목적은 이산화탄소 레이저의 유치 법랑질 탈회 억제 및 재경화 효과를 레이저형광측정법을 사용하여 평가하는 것이었다. 사람 유치의 건전 평활면으로부터 법랑질 시편을 제작하여, 코카콜라에 담가 24시간 탈회시키는 전후에 정촛점 연속파 또는 탈촛점 펄스파, 3W 또는 6W로 4초간 직경 약 2 mm의 조사점에 이산화탄소 레이저를 조사하고, Diagnodent 측정을 통하여 탈회억제효과와 재경화 효과를 평가하였다. 탈회된 법랑질에 대한 정촛점 연속파 또는 탈촛점 펄스파 조사의 재경화 효과는 두 군 사이에 유의한 차이가 없었으며 모두 탈회 전과 유의한 차이가 없는 수준으로 감소하였다. 건전 법랑질에 대한 3W 또는 6W 탈촛점 펄스파 조사의 탈회 억제 효과에서 3W군은 탈회 후의 측정치가 유의하게 증가하였고(P<0.05), 6W군은 탈회 후 유의한 증가가 없었다. 탈회된 법랑질에 대한 3W또는 6W 탈촛점 펄스파 조사의 재경화 효과에서 3W군은 레이저 조사 후 유의하게 감소하였으나 탈회 전보다 유의하게 컸고(P<0.05), 6W군은 레이저 조사 후 유의하게 감소하였고(P<0.05) 탈회 전과 유의한 차이가 없었다(P>0.05). 유치 법랑질의 색은 6W로 탈회 후 조사하였을 때 갈색 내지 검은색으로 변색되었고 탈회 전 조사하였을 때 갈색으로 변색되었으며, 탈회 전과 후에 3W로 조사하였을 때에는 색의 변화가 없었다.
본 연구는 Ag와 Ce이 함유된 유리를 용융법에 의해 제조하였으며, 355nm Nd:YAG 펄스 레이저를 조사하였을 때의 광학적 특성과 열처리과정에서 발생하는 결정화의 변화과정에 대해 평가하였다. Ce이 함유된 유리는 환원 분위기에서 제조되었으며, Optical Absorption을 통하여 Ce$^{3+}$ 이온이 존재하는 유리의 흡수대역을 관찰하고자 하였다. Photo Luminescence(PL) 측정을 통해 Ce$^{3+}$ 이 존재하고 있음을 확인하였으며, Ce$^{3+}$ 이온의 5d$\longrightarrow$4f 전이를 관찰하였다. 이와같이 Ce$^{3+}$ 가 함유된 유리는 레이저를 조사하였을 경우 PL의 강도가 저하됨을 확인하였다. 열처리과정에서 발생하는 결정화현상을 고찰하기 위해 열분석을 실시하였으며, 레이저조사된 유리에서 최대결정화온도가 감소함을 관찰하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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