• Journal of Convergence for Information Technology
• /
• v.9 no.5
• /
• pp.117-124
• /
• 2019

This paper discusses recent trends in the fabrication of semiconducting materials among the components of thin film transistors used in AMOLED display. In order to obtain a good semiconductor film, it is necessary to change the amorphous silicon into polycrystalline silicon. There are two ways to use laser and heat. Laser-based methods include sequential lateral solidification (SLS), excimer laser annealing (ELA), and thin-beam directional crystallization (TDX). Solid phase crystallization (SPC), super grain silicon (SGS), metal induced crystallization (MIC) and field aided lateral crystallization (FALC) were crystallized using heat. We will also study research for manufacturing large AMOLED displays.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
• /
• v.33A no.6
• /
• pp.172-177
• /
• 1996

We have characterized XeCl excimer-laser-induced crystallization of thin amorphous silicon films deposited by PECVD (${\alpha}$-Si:H) and LPCVD (${\alpha}$-Si). The electrical properties, surface roughness and crystallinity of crystallized thin films have been measured. The dc conductivities, crystallinity andsurface roughness of the films increased as the laser energy density and shot density were increased. The properties of laser annealed films deposited by LPCVD were better than those of thin films deposite by PECVD. We have also found that the multiple shots with relative low energy density were more benifical to the improsvement of surface roughness than the single shot with high energy density preserving the crystallinity.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 1993.11a
• /
• pp.150-151
• /
• 1993

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
• /
• 2000.04a
• /
• pp.21.1-21
• /
• 2000

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2008.06a
• /
• pp.141-142
• /
• 2008

다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 만들기 위해 가장 많이 사용되는 제작방법은 비정질 실리콘을 기판에 형성한 뒤 결정화 시키는 방법이다. 고온에서 장시간 열처리하는 고상 결정화(SPC)와 레이저를 이용한 결정화(ELA)가 자주 사용되어진다. 그러나 SPC의 경우는 고온에서 장시간 열처리하기 때문에 유리 기판이 변형될 수 있고 ELA의 경우 장비가격이 비싸고 표면일 불균일하다는 문제점이 있다. 본 연구에서는 이 문제를 해결하기 위해서 화학 기상 증착법(저온 공정)을 이용하여 비정질 실리콘 박막을 증착 시키고, 이를 금속 촉매를 이용하여 금속 유도 결정화 방법(MIC)으로 결정화 시키는 공정을 이용하였다. 유리 기판 상부에 버퍼 층을 형성한 후 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD)을 이용하여 비정질 실리콘을 증착하고 Ni-solution을 이용하여 얇게 Ni 코팅하고 그 시료를 약 $650^{\circ}C$의 Rapid Thermal Annealing(RTA) 공정을 이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 연구를 진행하였다. Ni 코팅시간은 20분, RTA 공정은 5시간의 진행시간을 거쳐야 최적의 결정화 정도를 만들어낸다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
• /
• 2002.11a
• /
• pp.97-99
• /
• 2002

유리내부에 수십나노크기의 Ag 금속입자를 생성시키기 위한 연구를 진행하였다. 본 연구에서는 규산염계 유리에 Ag와 Ce을 첨가하여 환원분위기에서 유리를 제조함으로서 Ce$^{3+}$ 를 유리내에 생성시킬 수 있었으며, 또한 레이저조사(irradiation)를 통하여 Ag+이온의 금속입자 환원을 도울 수 있었다. 또한 레이저 조사시간에 따른 금속입자의 변화를 관찰하고자 하였으며, 이와 같은 과정으로 생성된 금속입자함유 유리를 열처리함으로서 나타나는 열적특성을 평가하여 금속입자가 결정화과정에 미치는 영향을 평가하고자 하였다. 유리내에 존재하는 나노금속입자를 투과전자현미경 (TEM)을 통하여 확인하였으며, 시차주사열량분석법(DSC)을 통해 유리의 결정화거동을 평가하였다. 또한 Photo Luminescence 측정을 통한 유리내부의 Ce이온의 전자상태를 관찰하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.13 no.1
• /
• pp.29-33
• /
• 2004

In this paper, we investigated the ultra-low temperature(<$150^{\circ}C$) polycrystalline silicon film on plastic substrate application using RF-magnetron sputtering and excimer laser annealing. Amorphous silicon films were deposited using Ar/He mixture gas at $120^{\circ}C$ and in-film argon concentration was less than 2%, which was measured to Rutherford Backscattering Spectrometry. At energy density 320mJ/$\textrm{cm}^2$, RMS roughness was 267$\AA$ and UV crystallinity was 62%. The grain size varies from 50nm to 100nm after excimer laser irradiation.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
• /
• 2004.05a
• /
• pp.10-10
• /
• 2004

유전율이 서로 다른 물질을 나노 크기로 주기적으로 배열하여 황자 띠간격(Photonic bandgap)을 이루게 하는 광결정(Photonic crystal)에 인위적인 결함을 부가하여 광파워 분배 및 Mux/Demux 등 광회로 기능 수행을 할 수 있도록 집적화한 광도파로 소자가 미래형 정보통신사회를 위한 초고집적화, 초고속화, 저전력 및 신기능 등의 특성을 위하여 요구된다. 이러한 나노 광결정 소자는 다양한 방법으로 제작이 시도되고 있는데, 나노 임프린트 기술은 실장밀도가 높으며, 수십 나노급의 패턴이 주기적으로 배열된 구조물의 성형에 큰 장점이 있어서 본 연구에서 다루어졌다.(중략)

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.8 no.10
• /
• pp.884-889
• /
• 1998

Amorphous silicon films of large area have been crystallized by a line shape excimer laser beam of one dimensional scanning with a gaussian profile in the scanning direction. In order to characterize the crystalline phase transition of thickness variables in excimer laser annealing(ELA), angle wrapping method was used. And also to characterize the residual stresses of crystalline phase transition in the case of angle wrapped-crystalline silicon on corning 7059 glass, polarized raman spectroscopies were measured at various laser energy density and substrate temperature. The residual stress varies from $9.0{\times}10^9$ to $9.9{\times}10^9$, and from $9.9{\times}10^9$ to $1.2{\times}10^10$dyne/${cm}^2$ of the substrate temperature at room temperature and varies from $8.1{\times}10^9$ to $9.0{\times}10^9$, and from $9.0{\times}10^9$ to $9.9{\times}10^9$dyne/${cm}^2$ of the substrate temperature at $400^{\circ}C$ as a function of direction from surface to substrate. According to the direction from the surface in liquid phase to the interface and from the interface to near the substrate in solid phase of recrystallized Si thin film, respectively. Thus, the stress is increased from(Liquid phase to solid phase) with phase transition.

• Journal of Welding and Joining
• /
• v.12 no.2
• /
• pp.11-19
• /
• 1994

레이저 가공기술은 재료가공 분야에서 넓은 응용분야를 가지고 있으며, 특히 절단, 용접, 열처리 등의 가공분야에서 고정밀도와 자동화의 용이성으로 인해 생산성이 높은, 고부가가치의 첨단응용 기술로 부각되고 있다. 특히 레이저절단은 타 절단법에 비교되는 절단정도, 열영향, 생산성, 작업 환경등의 각종 우위성으로 박판 및 후판절단분야에서 급속한 보급을 보이기 시작하였다. 현재 대 부분의 레이저 가공기는 CNC화 되어가고 있는 추세이며, 레이저 절단의 경우 생산성증대 및 고 정밀화를 위하여 CAD/CAM인터페이스에 의한 자동화가 필연적인 상황이다. 뿐만아니라 고출력 레이저 발전기를 가공 기본체에 탑재한 탑재형 레이저가공기의 출현으로 대형부재의 절단이 가능 하게 되었으며, 더불어 절단공정의 무인화를 지향하는 각종 시스템이 개발되고 있다. 이와 같은 무인화, 생산성증대, 작업시간단축과 러닝 코스트 및 재료의 절감을 위한 노력의 일환으로 컴 퓨터에 의한 자동 및 반자동 네스팅 시스템의 개발을 들 수 있다. 레이저에 의한 2차원 절단응 용분야에서의 네스팅작업은 설계가 끝난 각 부품의 절단작업의 전단계로서 수행되며, 일반적으로 네스팅공정이 완료되면 절단경로를 결정하고 가공조건과 함께 수치제어공작기계의 제어에 필요한 NC코드를 생성하게 된다. 최근에는 이와 같은 네스팅 시스템이 일부 생산현장에 적용되고 있 으나 이러한 시스템들의 대부분이 외국에서 개발된 것을 수입하여 사용하는 실정이다. 2차원 패턴의 최적자동배치문제는 비단 레이저 절단과 같은 열가공 분야에서 뿐만 아니라 블랭킹 금형, 의류, 유리, 목재등 여러분야에서 응용이 가능하며 패키지의 국산화가 시급한 실정이다. 네스 팅작업은 적용되는 분야에 따라 요구사항과 구속조건이 달라지며 이로 인해 알고리즘과 자료구 조도 달라지게 되나 공통적인 목표는 주어진 영역안에서 겹침없이 배치하면서 버림율을 최소화 하는 것이다. 지난 10여년간 여러 산업의 응용분야에서는 네스팅시스템의 도입이 활발하게 이 루어지고 있는데 수동에 반자동 및 자동에 이르기까지 다양하나 자동네스팅시스템의 경우 배치 효율의 신뢰성이 비교적 부족하기 때문에 아직까지는 생산현장에서 기피하는 실정이다. 배치알 고리즘의 관점에서 볼 때 이러한 문제들은 NP-complete문제로 분류하며 제한된 시간안에 최적의 해를 구하기가 가능한 조합 최적화 문제로 알려져 있다. 따라서 이 글에서는 레이저 절단분야 에서의 네스팅시스템에 관한 개요와 최근의 연구동향 그리고 몇 가지 전형적인 네스팅 알고리 즘들을 소개하고 비교분석을 통해 개선점을 간략하게 논의하고자 한다.