• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.190.2-190
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• 2002

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권3호
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• pp.579-584
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• 2012

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 드레인유기장벽 감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자 한다. 드레인유도장벽감소 현상은 채널의 길이가 짧아질 때 드레인 전압이 소스측 전위장벽에 영향을 미쳐 장벽의 높이를 감소시키는 현상으로써 단채널에서 발생하는 매우 중요한 효과이다. 본 연구에서는 DIBL을 해석하기 위하여 이미 발표된 논문에서 타당성이 입증된 포아송 방정식의 해석학적 전위분포를 이용할 것이다. 이 모델은 특히 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 소자 파라미터인 채널두께, 산화막두께, 도핑농도 등에 대하여 드레인유도장벽감소의 변화를 관찰하고자 한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 추계학술대회
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• pp.888-891
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• 2011

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 드레인유기장벽 감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자 한다. 드레인 유기장벽감소 현상은 채널의 길이가 짧아질 때 드레인 전압이 소스쪽 장벽에 영향을 미쳐 장벽의 높이를 감소시키는 현상으로써 단채널에서 발생하는 매우 중요한 효과이다. 본 연구에서는 DIBL을 해석하기 위하여 이미 발표된 논문에서 타당성이 입증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용할 것이다. 이 모델은 특히 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 소자 파라미터인 채널두께, 산화막두께, 도핑강도 등에 대하여 드레인 유기장벽감소의 변화를 관찰하고자 한다.

• Nuclear Medicine and Molecular Imaging
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• 제43권2호
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• pp.112-119
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• 2009

목적: Tc-99m tetrofosmin은 일반적으로 재분포 하지 않는 것으로 알려져 있으나 최근 일부 연구에서 Tc-99m tetrofomin의 재분포 현상이 보고 되고 있다. 본 연구는 재관류 치료를 받은 급성 심근경색 환자의 Tc-99m tetrofosmin 심근 관류 지연영상에서 역재분포 현상을 관찰하고 이에 대한 정량분석 및 추적 검사를 통해 역재분포 현상의 임상적 의의에 대하여 알아보고자 하였다. 대상 및 방법: 급성 심근경색으로 관동맥 중재술을 시행한 67명(남자 46명, 여자 21명, 평균연령 $62{\pm}12.9$세)을 대상으로 게이트 Tc-99m tetrofosmin SPECT영상을 얻었다. 휴식기 조기 영상은 주사 후 40분째 얻었고 부하 후 지연기 영상은 3시간째 촬영하였다. 심근은 단축 영상을 주로 하여17개 분절로 나누어 분석하였고 심근의 혈류감소 정도와 범위, 국소심근벽 운동, 심근벽 두께는 단축 영상을 주로 하여 정상에서 결손까지 4등급으로 분류하여 분절 점수를 매겼다(0: 정상, 1: 약간 감소, 2: 심한 감소, 3: 결손). 조기 영상을 지연기 영상과 비교하여 지연기 영상에서 2점 이상으로 악화되는 분절을 역재분포가 있는 분절로 정의하였다. 대상 환자들은 9개월 후 관동맥 조영술과 게이트 Tc-99m tetrofosmin 심근 관류를 시행하였으며 역재분포가 있었던 경우와 없었던 경우로 나누어 관동맥 재협착 유무와 심근의 혈류감소 정도와 범위, 국소 심근벽 운동, 심근두께. 구혈률을 비교 분석하였다. 결과: 관동맥 중재술을 시행한 급성 심근경색 환자에서Tc-99m tetrofosmin의 역재분포 현상은67명 중 43명으로 64%였으며 391개 분절 중에서는 100개로 31%에서 관찰되었다 심근 혈류의 감소와 범위, 국소 심근벽 운동의 이상과 심근벽 두께의 감소, 구혈률은 역재분포가 있는 심근에서 더 심하였으며 통계학적 의미를 가졌다. 9개월 후 추적검사에서 관동맥 재협착의 발생은 역재분포의 유무에 따른 차이를 보이지 않았지만 Tc-99m tetrofosmin 심근관류 SPECT에서 역재분포를 보이는 심근이 혈류감소의 정도와 범위, 국소 심근벽운동의 이상, 심근 두께의 회복은 유의한 결과를 보였다. 결론: Tc-99m tetrofosmin지연기 영상에서 보이는 역재분포는 관동맥 중재술을 시행한 환자에서 관찰될 수 있으며 재혈관화 된 심근의 생존 가능성과 좌심실 기능의 회복을 예측하는데 추가적인 정보를 제공할 수 있을 것으로 사료되어 Tc-99m tetrofosmin 심근관류 영상의 임상적 유용성을 향상 시킬 수 있을 것으로 기대된다.

• 에너지공학
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• 제14권4호
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• pp.213-218
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• 2005

습공기 유동의 착상조건하에서의 열 및 물질 전달 특성을 이해하기 위해서, 미니 열풍동을 제작하고 열풍동의 시험부인 사각덕트 아랫면에 알루미늄 평판을 설치하고 평판의 중심력에 전기냉각모듈(Peltier device)을 부착하였다. 현미경(해상도 0.05mm)을 이용하여 습공기 유동 방향으로 알미늄 평판위의 7개점의 서리 두께를 측정하였으며, 전자저울(해상도 1mg)을 이용하여 각 운전시간대까지의 발생된 서리의 총괄 질량을 측정하였다. 여러 가지의 실험조건에서 서리두께와 서리질량 그리고 알미늄 평판상의 온도 분포 등을 구하고, 이로부터 습공기 유동의 습도 및 속도가 서리의 성장 특성에 미치는 영향을 분석하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.401-406
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• 2015

본 논문에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널길이에 대한 문턱전압이하 스윙의 변화에 대하여 분석하였다. 문턱전압이하 스윙은 트랜지스터의 디지털특성을 결정하는 중요한 요소로서 채널길이가 감소하면 특성이 저하되는 문제가 나타나고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 개발된 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙의 채널길이에 대한 변화를 채널두께, 산화막두께, 상하단 게이트 전압 및 도핑농도 등에 따라 조사하고자 한다. 특히 하단 게이트 구조를 상단과 달리 제작할 수 있는 비대칭 DGMOSFET에 대하여 문턱전압이하 스윙을 분석함으로써 하단 게이트 전압 및 하단 산화막 두께 등에 대하여 자세히 관찰하였다. 문턱전압이하 스윙의 해석학적 모델을 구하기 위하여 포아송방정식에서 해석학적 전위분포모델을 유도하였으며 도핑분포함수는 가우스분포함수를 사용하였다. 결과적으로 문턱전압이하 스윙은 상하단 게이트 전압 및 채널도핑농도 그리고 채널의 크기에 매우 민감하게 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제28권2호
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• pp.3-9
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• 2000

투습조건이 다른 경우에 있어서, 목재의 두께를 동일하게 하여 목재내부의 함수율분포 및 함수율의존성을 조사하였다. 시험편은 소나무재로 직경 70mm, 두께 20mm 인 정목판재를 이용하였다. 실험은 JIS Z-0208규정에 의거하여 10가지 종류를 선정하여 실시하였다. 목재내 함수율분포는 함수율 10%위치를 경계로 두 개의 직선으로 나타났다. 한편, 10%보다 높거나 낮을때는 한 개의 직선으로 나타났다. 따라서 함수율 10%값은 목재나 실험조건과는 상관없이 나타나는 것으로 생각되었다. 10%는 수분흡착에너지가 변화하는 경계점으로 추정되었다. 전보에서 일정한 실험조건에서는 목재의 두께에 상관없이 일정한 값을 나타내었지만, 본 연구에서 확산계수는 실험조건에 따라 수분경사로 구한 확산계수는 목재함수율에 따라 다양하게 나타났다.

• 한국항행학회논문지
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• 제28권4호
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• pp.544-551
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• 2024

본 연구에서는 도금 공정 시뮬레이션에 필요한 전기화학적 분극 데이터와 도금 조건 시뮬레이션 및 도금층의 특성 평가에 대해 다루었다. Ni과 Cu의 동전위 분극 분석 및 정전류 분극 시험을 통해 얻은 전기화학적 분극 데이터는 도금액의 유동 조건에 따른 과전압 분포 변화를 관찰하는 데 사용되었다. 도금 조건 시뮬레이션에서는 랙 핀의 접점 위치와 개수가 도금 품질에 미치는 영향을 분석하기 위해 다양한 변수 하에서 전류 밀도 분포 및 도금 두께 분포를 평가하였다. 양극 형상, 극간 거리, 보조 양극 배치, 피도금체 간격 변화 등의 변수에 따른 시뮬레이션 결과를 통해 도금 두께 편차를 개선할 수 있는 방안을 모색하였다. 또한, 도금층의 특성 평가는 버퍼레이어 형성 유무에 따른 도금층의 두께, 밀착성 및 박리 여부를 분석하였다. 시뮬레이션을 통해 도금 공정의 효율성과 품질 향상을 위한 중요한 기초 데이터로 활용될 수 있다.

• 한국광학회지
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• 제27권4호
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• pp.143-150
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• 2016

분광광도계로 측정된 반사율 데이터를 활용하여 다층박막 각 층의 두께를 푸리에 변환 방법으로 결정하였다. 이를 위하여 이론적인 3층 다층박막 반사율 데이터를 생성하고 자체 작성한 Matlab 프로그램으로 델타함수의 피크 발생위치로부터 각 층의 두께를 결정하였으며, 박막의 광학적 두께가 730 nm 이상이 되는 경우 결정된 두께 오차는 1.0% 이하임을 알 수 있었다. 이 방법을 사용하여 바 코팅 방법으로 제작된 PI-(얇은 $SiO_2$)-PI 다층박막의 두께를 결정하고 그 결과를 SEM 측정결과와 비교하였다. 본 두께측정 방법은 각 층의 굴절률과 박막의 순서를 미리 인지하고 있어야 하는 단점이 있으나, 비파괴적인 방법으로 빠르게 다층 박막의 두께 분포를 결정할 수 있는 방법임을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.329-329
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• 2012

Mobile 기기로 둘러싸여있는 현대의 환경에서 Flash memory에 대한 중요성은 날로 더해가고 있다. Flash memory의 가격 경쟁력 강화와 사용되는 기기의 소형화를 위해 flash memory의 비례축소가 중요한 문제로 부각되고 있다. 그러나 다결정 실리콘을 플로팅 게이트로 이용하는planar flash memory 소자의 경우 비례 축소 시 short channel effect 와 leakage current, subthreshold swing의 증가로 인한 성능저하와 같은 문제들로 인해 한계에 다다르고 있다. 이를 해결하기 위해 CTF 메모리 소자, nanowire FET, FinFET과 같은 새로운 구조를 가지는 메모리소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 22 nm 게이트 크기의 FinFET 구조를 가지는 플래시 메모리소자에서 fin의 두께와 높이의 변화에 따른 메모리 소자의 전기적 특성을 3-dimensional 구조에서 technology computer aided design ( TCAD ) tool을 이용하여 시뮬레이션 하였다. 본 연구에서는 3D FinFET 구조를 가진 플래시 메모리에 대한 시뮬레이션 하였다. FinFET 구조에서 채널영역은 planar 구조와 다르게 표면층이 multi-orientation을 가지므로 본 계산에서는 multi-orientation Lombardi mobility model을 이용하여 계산하였다. 계산에 사용된 FinFET flash memory 구조는 substrate의 도핑농도는 $1{\times}10^{18}$로 하였으며 source, drain, gate의 도핑농도는 $1{\times}10^{20}$으로 설정하여 계산하였다. Fin 높이는 28 nm로 고정한 상태에서 fin의 두께는 12 nm부터 28nm까지 6단계로 나누어서 각 구조에 대한 프로그램 특성과 전기적 특성을 관찰 하였다. 계산결과 FinFET 구조의 fin 두께가 두꺼워 질수록 채널형성이 늦어져 threshold voltage 값이 커지게 되고 subthreshold swing 값 또한 증가하여 전기적 특성이 나빠짐을 확인하였다. 각 구조에서의 전기장과 전기적 위치에너지의 분포가 fin의 두께에 따라 달라지므로써 이로 인해 프로그램 특성과 전기적 특성이 변화함을 확인하였다.