본 논문은 SiC MOSFET의 단락 검출을 위한 고정밀 Rogowski 코일 회로 설계 방법을 제안한다. 설계 방법을 제안하기 위해 먼저 Rogowski 코일의 기본 구성인 적분기를 실제 시스템 요구 사양에 맞추어 설계한다. 설계한 회로의 성능 확인을 위하여 DPT (double pulse test)를 실시하며, test 결과 분석을 통해 문제점을 파악하고 전류 센싱 정밀도 향상을 위해 입출력 필터 설계 및 Rogowski 코일 턴 수를 변경한다. 변경한 각 조건들에 대하여 DPT를 진행하고 각 test 결과를 기반으로 Rogowski 코일 회로 설계 방안을 제안한다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.37
no.11
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pp.96-104
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2000
This paper presents a simple method to estimate short-circuit power dissipation for static CMOS logic circuits. Short-circuit current expression is derived by accurately interpolating peak points of actual current curves which is influenced by the gate-to-drain coupling capacitance. It is shown through simulations that the proposed technique yields better accuracy than previous methods when signal transition time and/or load capacitance decreases, which is a characteristic of the present technological evolution. The proposed analytical expressions can be easily applied in such applications as power estimation even when the current expression is changed.
High Voltage Direct Current (HVDC) 시스템은 고압 직류송전을 위한 시스템이다. 고압 직류 송전을 위해서는 전력변환기가 교류전력을 직류전력으로 변환해주어야 하는데, 최근에는 모듈형 멀티레벨 컨버터(Modular Multilevel Converter, MMC)가 많이 적용되고 있다. MMC는 다수의 서브모듈이 직렬로 구성되어 있으며 DC-link단에 대용량 커패시터가 없다. MMC의 심각한 사고 중에 하나는 DC측 전력케이블의 단락사고로 시스템에 따라서 수십 kA 정도의 사고전류가 AC측 CB(Circuit Breaker)가 열리기 전까지 수십 ms에서 수백 ms동안 흐른다. 만약 하프브릿지 회로의 서브모듈로 구성된 컨버터에 별도 보호장치가 없으면 단락전류는 서브모듈의 하단 다이오드를 통해서 흐르게 되어 소손되게 된다. 이를 방지하기 위해 단락전류를 바이패스(by-pass) 시키기 위한 별도의 사이리스터를 추가하는데 이 기기의 사양은 DC 단락 전류를 충분히 견딜 수 있어야 한다. 본 논문에서는 사이리스터의 서지 전류 내력을 평가하기 위해 사양을 분석하고 시뮬레이션과 실험을 통해서 검증하였다.
To investigate influence of the incident beams which have the truncated Gaussian amplitude and of the shapes of bump on read-out signal is an optical disc, and the point spread function on bump, the scalar diffraction theory is used in this paper. We consider the truncated Gaussian amplitudes which are $\sigma$=0, 0.5, 1.5, and 2.5, the height of bump which is given by $n{\Delta}_0={\lambda}/4$, and the phase height of bump which is then given by ${\Phi}_0={\pi}$. We also consider the shapes of the bump which are a rectangular shape, a frustoconical shape, and a conical shape. It is shown that as the truncation of incident beam reduces the radius of central spot on bump decreases, the maximum value of read-out signal increases, and that the size of bump decreases. From these results, we get better read-out signal and the reduced cross-talk in optical disc when the truncation of incident beam reduces. Therefore a laser beam having less truncated Gaussian amplitude may useful for an actual optical disc.
현재 산업용으로 많이 쓰이고 있는 연축전지나 Alkali 전지의 충전용 충전기가 반도체화 이후 Thyristor식 자동충전기로 전환되고 있는데 발맞추어 본 연구에서는 현재의 충전기로서의 장점을 충분히 가지고 있으면서 부하단자가 단락되거나 개방되거나 또는 전원이 잘못 접속될 경우에도 충전기 부하나 회로를 충분히 보호할 수 있는 충전기를 설계하고져 했다. 본 연구의 연구대상은 Battery의 잔류전압을 이용한 UJT 이장발진기로 구동되는 SCR식 충전기 회로이다. 아울러 Soft start 회로와 동기회로 그리고 Pulse 증폭회로를 첨가시켜 보다 충전특성을 향상시켰으며 엄밀한 특성시험, 즉 지연회로 시험, 출력단자 개방시험, 단락시험, 출력단자 오결선시험등을 통해 여러가지 장해가 없음을 확인했다. 그리고 가급적 휴대가 가능하도록 소형화 시키면서 누구나 손쉽게 조작할 수 있는 간편하고 실용적인 충전기를 설계하는데 힘썼다. 그래서 다음과 같은 장점을 본래의 장점에다 부가시킬 수 있었다. (가) Soft start 회로를 첨가시켜 평균 30-50sec의 지연시간을 얻을 수 있었다. (나) 동기회로를 별도로 첨가시켜 Pulse 신호의 동기를 확실하게 할 수 있었다. (다) Pulse 증폭회로를 사용하여 SCR의 제어능력을 확실하게 할 수 있었다. 결론적으로 본 충전기는 Trickle 충전을 제외한 초충전 균등충전 부동충전 보정충전 급속충전등을 자유로이 할 수 있었고 소형 경량이고 취급이 간편하여 실용적이라고 본다. 그러나 여러가지 조건하에서의 현장실험을 다해보지 못한 것이 약간 아쉽다.
절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Insuialed atc Bipolar Transistor : IGBT)는 높은 전류구동 능력과 높은 입력 임피던스 특성으로 인해 대전력 스위칭 소자로 널리 응용되고 있다. 특히, 대용량 모터 구동을 위해 응용되는 경우, 모터의 부하 특성상, 모터의 단락에 의한 단락 회로 (Short-circuit fault) 현상을 비롯한 클램핑 다이오드의 파손으로 인한 unclamped 유도성 부하 스위칭 (UIS) 상황에서 견딜 수 있도록 설계되어야 한다. 이를 위해, 이전 연구를 통해 Floating p-well을 600V급 IGBT에 도입함으로써 UIS 상황에서 IGBT가 견딜 수 있는 에너지(항복 에너지)륵 증가시키고 Floating p-weil 전압을 감지함으로써 단락 회로 상황에서 IGBT가 보호될 수 있도록 보호회로를 제안하고 검증하였다. 그러나 이 보호회로는 수평형 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 (Latcral MOSFET)로 제작됨으로써 보호회로 기능을 수행하기 위해서는 넓은 면적을 요구하였다. 또한, 정상적인 동작 상황에서 오류를 감지 (오류 감지: False detection)하는 동작으로 인해 추가적인 filter를 요구함으로써 보호회로 동작 속도를 감소시켰다. 이러한 단점을 해결하기 위해, 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Lateral IGBT : LIGBT)를 보호회로에 적용함으로써 LIGBT의 높은 전류 구동능력을 이용하여 기존 보호회로 면적의 30% 수준의 보호회로를 구현하였다. 또한, 구현된 보호회로는 오류 감지 현상을 제거함으로써 보호회로의 동작 속도를 개선하였다. 제안된 보호회로와 1200V급 IGBT는 7장의 마스크를 이용한 표준 수평형 IGBT 공정을 이용하여 제작되었으며, 특히, 전자빔 조사를 이하여 턴오프 속도를 개선함으로써 고속 스위칭에 적합하도록 최적화 되었다.
지중케이블 시스템에서의 고장은 필연적으로 대전류 현상을 수반하는 경우가 대부분으로서 고장전류는 고장 케이블 자체와 인접해 있는 타 선로 및 통신선 등에 악영향을 미칠 가능성이 크고, 초고압 케이블의 운전전압 레벨이 지속적으로 증가하고 있는 상황에서 사고의 파급 및 위험정도 또한 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 단락 고장의 경우 고장전류의 크기도 크지만 고장전류 발생에 따른 전자력을 동반하게 되어 케이블 및 접속함, 각종 금구류에 전기적, 기계적인 스트레스를 야기할 수 있다[1]. 따라서 본 논문에서는 지중케이블의 삼각배열 구간의 단락전자력 영향을 최소화하기 위한 방안을 모색하기 위하여 154kV OF케이블 3상 단락 실증시험을 2회 시행하였고, 유한요소법을 이용하여 단락전자력 발생시 클리트 설치간격에 따른 케이블 변위를 계산함으로써 케이블의 단락 전자력 영향 검토결과를 기술하였다.
In this paper, we describes a system that extracts important sentences from Korean newspaper articles using automatic paragraphing. First, we detect repeated words between sentences. Through observation of the repeated words, this system compute Closeness Degree between Sentences(CDS ) from the degree of morphological agreement and the change of grammatical role. And then, it automatically divides a document into meaningful paragraphs using the number of paragraph defined by the user´s need. Finally. it selects one representative sentence from each paragraph and it generates summary using representative sentences. Though our system doesn´t utilize some features such as title, sentence position, rhetorical structure, etc., it is able to extract meaningful sentences to be included in the summary.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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