• 제목/요약/키워드: 단락회로

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A New Protection Circuit for Improving Short-Circuit Withstanding Capability of Lateral Emitter Switched Thyristor (LEST) (수평형 에미터 스위치트 사이리스터의 단락회로 유지 능력 향상을 위한 새로운 보호회로)

  • Choi, Young-Hwan;Ji, In-Hwan;Choi, Yearn-Ik;Han, Min-Koo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2005.11a
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    • pp.74-76
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    • 2005
  • 수평형 에미터 스위치트 사이리스터(Lateral Emitter Switched Thyristor, LEST)의 고전압 전류 포화 특성을 위한 새로운 보호회로가 제안하였으며 성공적으로 제작 및 측정하였다. LEST의 부유(浮遊, floating) n+ 전압이 보호 MOSFET의 문턱 전압 보다 커지면 보호 회로는 LEST의 동작 모드를 regenerative 상태에서 non-regerative 상태로 전환시킨다. 일반적인 LEST의 전압 전류 포화 특성이 17 V로 제한되는 것에 비해 제안된 회로와 결합된 LEST는 200V 이상의 고전압 전류 포화 특성을 보였으며, Hard Switching Fault(HSF) 단락 회로 상황에서도 $10{\mu}s$ 이상 견디는 단락 회로 유지 능력을 보였다.

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(A New CMOS Buffer for Low Power with Self-Controlled Dual Driving Path) (자기조정 이중구동 경로를 가진 새로운 저전력 CMOS 버퍼)

  • Bae, Hyo-Gwan;Ryu, Beom-Seon;Jo, Tae-Won
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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    • v.39 no.2
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    • pp.140-145
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    • 2002
  • A new CMOS buffer removing short-circuit power consumption is proposed. The gate-driving signal of the pull-up(pull-down) transistor at the output is controlled by delayed internal signal to get tri-state output momentarily by shunting off the path of the short-circuit current. The SPICE simulation results verified the operation of the proposed buffer and showed the enhancement of the power-delay product at 3.3V supply voltage about 42% comparing to the conventional tapered CMOS buffer(1).

The Optimized Monolithic Fault Protection Circuit for the Soft-shutdown behavior of 600V PT-IGBT by employing a New Blanking Filter (600V Punch-through형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 Soft-shutdown을 위해 시간 지연 회로를 적용한 새로운 보호회로)

  • Lim, Ji-Yong;Ji, In-Hwan;Ha, Min-Woo;Choi, Young-Hwan;Choi, Yearn-Ik;Han, Min-Koo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07c
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    • pp.1299-1300
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    • 2006
  • Floating p-well 전압 감지를 이용한 시간 지연 회로를 적용하여 punch-though형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (PT-IGBT)의 최적화된 보호 회로를 제안하였다. Floating P-well 축전기와 게이트 저항은 정상 스위칭 동작시 단락 회로 감지 동작 (false detection of fault)을 차단하며, floating p-well 전압은 단락회로 상황시 풀-다운 (pull-down) MOSFET의 문턱 전압 이상으로 상승되어 풀-다운 MOSFET을 턴-온(turn-on) 시킴으로서 IGBT의 게이트 전압을 감소시킨다. 이에 따라 IGBT의 컬렉터 전류는 자연스럽게 감소된다. 실험 결과를 통해, 단락회로 상황에서 최적화된 IGBT의 보호회로가 소프트-셧다운 (soft-shutdown) 특성을 보이는 것을 확인할 수 있다.

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위험관리정보 - 9V 배터리의 단락회로 분석

  • 한국화재보험협회
    • 방재와보험
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    • s.137
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    • pp.38-43
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    • 2010
  • 트랜지스터 또는 "트랜지스터 라디오" 배터리라고 부르고 어디에서나 흔히 볼 수 있는 9V PP3 건전지는 일반적으로 작은 크기로 인한 내부위험 또는 소각하여 폐기할 때에 발생하는 폭발 위험 이외의 중대한 위험을 내포하지 않는 것으로 알려져 있다. 후자의 위험은 모든 다른 배터리에도 적용된다. 그러나 약간 높은 에너지 밀도와 PP3 배터리 단자의 구조는 일부 사례에서 배터리의 낮은 내부 임피던스와 결합하여 단락 물질에 충분한 열을 발생시켜서 그것과 접촉하고 있는 가연물을 손상시키거나 점화시킬 수 있는 단락위험을 발생시킬 수 있다. 이 현상을 증명하기 위해 이 논문은 PP3 건전지의 단락시험에서 기록된 자료와 관찰사항을 기술한 것이다. 이 시험에는 2개 세트의 배터리, 완전 충전된 새 배터리와 완전 방전되지 않은 배터리(이 문서에서 "일부 사용된 배터리"라고 한다)를 사용하였다.

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Design and fabrication of power detector for multi-band six-port direct conversion method (다중대역 6단자 직접변환 방식을 위한 전력 검파기 설계 및 제작)

  • Kim, Young-Wan
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.14 no.10
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    • pp.2194-2200
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    • 2010
  • In this paper, the power detectors using metamaterials were designed and fabricated for multi-band six-port direct conversion method. The RF short-stubs for power detector were designed by using metamaterials which provide multi-band characteristics. The power detectors with metamaterial RF short-stub were analyzed and fabricated by using lumped and distributed element. The measured results of metamaterial power detectors show the good agreement with the simulation results. The performance of lumped-metamaterial RF short-stub shows the insertion loss below 1 dB and the good frequency response characteristics. Also, the distributed-metamaterial RF short-stub shows the good frequency response characteristics and the insertion loss under that of lumped-metamaterial RF short-stub. The multi-band power detectors with metamaterial RF short-stub detect the input RF signal in the designed dual frequency bands very well.

Consideration On Short Circuit Tests For Evaluation Of Breaking Performance Of Current-Limiting Fuses (한류형 전력퓨즈의 차단성능평가 위한 단락시험에 관한 고찰)

  • Kim, Dae-Won;Suh, Yoon-Taek;Yoon, Hak-Dong;Jung, Hee-Jae;Kim, Maeng-Hyun
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2003.07a
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    • pp.543-545
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    • 2003
  • 한류형 전력퓨즈는 계통의 단락사고로 고장 전류가 흐를 때 퓨즈내부에서 발생하는 저항에 의해 고장전류를 회로 고유의 단락전류보다 아주 적은 값으로 제한하고 최소 시간내에 차단하여 회로를 보호하므로 계통기기의 단락용량를 최소한으로 감소시킬 수 있다. 본 논문에서는 이러한 한류형 전력퓨즈의 단락전류 차단성능 평가를 위해 동작책무에 따른 차단성능을 규명하고자 단락발전기를 사용하여 단락전류차단시험을 실시하고 그 결과를 제시하였으며, 또한 차단과정에 따른 스트레스들이 단락시험 시 차단성능에 미치는 영향을 다루고 있다.

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Study of transient recovery voltage for parallel resistor (단락차단 시험 및 부하개폐 시험시 병렬 고저항이 과도 회복전압에 미치는 영향 고찰)

  • Oh, Joon-Sick;Park, Jeong-Seok;Han, Gyu-Hwan
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2003.10b
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    • pp.122-124
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    • 2003
  • 전기설비 중 차단기와 개폐기는 전기회로를 개폐하는 기기들이다. 차단기가 단락사고에 대한 주회로 보호가 목적이라면 개폐기는 건전회로의 개폐가 주요한 기능이다. 저압용 전자개폐기는 빈번한 개폐사용조건으로 인해 시험규격에서는 수천회에서 수만회까지 개폐시험을 통해 성능을 검 중하도록 되어 있고 배선용 차단기는 차단 시험과 개폐시험을 통해 성능을 검증하도록 규정되어 있다. 이 개폐시험 회로와 단락차단 시험회로는 규정된 전압, 전류, 역률조건을 맞추기 위해 저항과 리액터를 직렬 연결하여 구성한다. 개패시험과 단락차단시험을 진행하는 동안 시료 접점 사이에는 성능에 치명적인 과도한 회복전압이 발생한다. 따라서 규격에서는 과도회복전압을 적합한 수준으로 줄이기 위해 리액터 양단에 병렬로 고저항을 설치하도록 제안하고 있다.

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A Study on the Riskiness of Ignition at the Mobile Phone Battery (이동전화 단말기용 배터리에서의 발화위험성에 대한 연구)

  • Lee, Sung-Hoon;Park, Jong-Taek;Park, Young-Guk
    • Journal of Korean Institute of Fire Investigation
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    • v.6 no.1
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    • pp.31-36
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    • 2005
  • 휴대용 이동전화(Mobile Phone)의 편리성 등에 의해 이동전화의 보급률이 증가하고 있다. 이에 따라 이동 전화 기기(핸드폰)에 사용되는 배터리에서의 폭발이나 화재사고의 발생률이 증가되고 있어 이로 인한 사고의 위험과 피해도 점차 증가되고 있는 실정이다. 본 연구에서는 현재 유통되고 있는 국내 외 배터리 팩 4종을 선별하여 배터리팩의 외부 단자 사이를 1시간 이상 길게 지속적으로 단락(긴 단락)시켜보고, 1초 간격으로 접촉과 해제를 200회 가량 반복하여 단락(짧은 단락)시켜 보았다. 또한, 배터리팩을 분해한 후 보호회로를 제거한 상태에서 셀의 양극과 음극을 금속으로 단락(내부 단락)시켜 셀의 방전실험을 하여, 이에 따른 방전특성과 온도상승에 대한 실험을 하였다. 이를 통해 핸드폰 배터리에서의 폭발 화재로의 발전가능성 및 위험성에 대해 살펴보았다.

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Low Voltage Inverter Gate Driver Design (저전압 구동 인버터의 게이트 드라이버 설계)

  • Kim, E.K.;Lee, Y.K.;Kim, Y.R.
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2010.07a
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    • pp.43-44
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    • 2010
  • 본 논문에서는 저전압 구동 인버터의 게이트 구동회로 설계 시, 밀러 캡 영향이 야기할 수 있는 암 단락 현상 방지를 위한 양전원 방식의 게이트 구동회로 설계를 제안한다. 제안하는 회로는 부트스트랩 방식의 0~15[V] 의 전원을 사용하고, 커패시터와 다이오드를 통하여 마이너스 전압을 생성하며 이를 통해 양전원으로 게이트를 구동한다. 이는 단 전원 방식에 비하여 밀러 캡의 영향을 줄일수 있고 이를 통해 스위칭 시 소자의 스트레스를 감소시키며 또한 암단락을 방지한다. 제안하는 회로를 시뮬레이션과 실험을 통해 검증하였다.

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