• The Safety technology
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• no.153
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• pp.16-17
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• 2010

삼성전기는 우리나라를 대표하는 첨단 전자부품을 생산하는 기업으로 "미래를 창조하는 첨단기술, 첨단부품"이라는 기치를 내걸고, 디지털 세상의 미래를 창조하고 있다. 이 중 부산시 강서구 송정동에 위치하고 있는 부산공장은 휴대폰용 기판, FCBGA 등의 기판과 MLCC를 전문적으로 생산해오고 있는 기업으로, 최근 적극적인 투자를 통해, 양산 전문기지에서 개발과 생산 등 현지 완결형 체제를 시너지 효과를 발휘하고 있다. 이곳의 안전을 책임지고 있는 유준승 안전관리자. 기술력에서 세계 최고이듯, 안전에 있어서도 세계 최고인 삼성전기주식회사를 만들고자 그는 오늘도 구슬땀을 흘리며 현장을 누비고 있다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.19 no.2
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• pp.257-262
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• 2008

In this paper, the key parameters of $CO_2$ laser(focus depth, air blow rate, total laser beam time, number of pulse) are experimented for thru-hole and scribing line on AIN(aluminum nitride) substrate with high thermal conductivity. And, microstrip line & spiral planar inductor are fabricated on AIN substrate using 5 um Cu-plating with self-masking technique. The microstrip line of AIN has 0.1 dB/mm attenuation at 10 GHz and 6 nH spiral planar inductor has 56 maximum quality factor at 1 GHz. Thus, the AIN substrate is promising for GHz applications of high power area.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.17 no.6
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• pp.549-554
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• 2008

Nickel Chloride coated protein chip plates were developed by using a spin coating method after $H_2$ plasma treatment. The adsorption ability of histidine tagged protein was investigated at various times of plasma treatment. The properties of the nickel chloride and protein on the surface of the slides were assayed using particle size analysis and the extent of the protein adsorption was determined by using a bio imaging analyzer system. The results show that the ability of protein adsorption decreased as increasing the time of $H_2$ plasma treatment. The mechanism on the ability of protein adsorption at the plate surface is discussed on results and discussions. The results also suggest that the surface stabilization of protein chip plates treated by plasma technology may be applicable in biosensor markets.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.9 no.4
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• pp.327-333
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• 2000

Transversal SAW(Surface Acoustic Wave) filters of 340MHz were fabricated on piezoelectric substrates of the LN $128^{\circ}$ Y-X wafers. Both of spacing and width of IDT were $1.435{\mu}m$. For improving the power durability characteristics, titanium layer was inserted between aluminum electrode and piezoelectric substrate since it has high density, low thermal expansion coefficient, and good adhesive properties. Power durability was evaluated with respect to the thickness of inserted titanium layer and the temperature of heat treatment. Power durability is improved with increasing the thickness of the inserted titanium layer. Moreover, it is remarkably improved by heat treatment at the temperature of $300^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.98.1-98.1
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• 2016

PTFE (Polytetrafluoroethylene) 는 벌크 형태는 물론 박막으로도 독특한 특성을 나타내는 물질이다. 매우 낮은 마찰계수, 발수표면특성, 화학적 비반응성은 다양한 방면의 적용이 가능하게 한다. 두께 $1-2{\mu}m$ 이나 50 nm 이하의 박막의 형태로서 발수 특성은 스퍼터링 조건에 따라서는 벌크 PTFE의 특성보다 뛰어나다. 순수한 PTFE 타겟을 사용하여 얇은 PTFE 막 증착을 위해 RF (radio-frequency) 스퍼터링을 하였다. 스퍼터 타겟 건 파워, 공정 압력, 그리고 기판 스테이지와 Si wafer 나 다양한 시편에 인가되는 RF 바이어스 (bias) 등과 같은 스퍼터링 변수의 변화가 가능하다. 공정 변수에 따라서 RF 스퍼터링에 의한 순수한 PTFE 박막과 바이어스가 인가된 유사 PTFE 박막을 비교하여 탐구하였다. 스퍼터링에 의한 PTFE 코팅은 접촉각이 100도 또는 그이상의 초발수성을 나타내는 장점을 갖고 있고, 90% 이상의 높은 투과도를 나타낸다. PTFE 타겟을 사용한 종래의 일반적인 스퍼터링에 의하여, 일예로 실리콘 웨이퍼상에 증착된 코팅막은 낮은 경도와 기판과의 밀착력이 좋지 않은 문제를 갖고 있다. 높은 에너지 환경에서 만들어진 PTFE 코팅은 기존의 스퍼터링 방식으로 만들어진 코팅에 비해 다른 특성을 나타낸다. PTFE 막의 경도와 밀착력을 높이고자 bias를 인가한 RF 스퍼터링을 시도하였다. 코팅 접촉각, 투과도, 나노인덴터에 의한 경도, 그리고 스크래치 테스트에 의한 코팅막의 밀착력을 살펴보았다. PTFE 폴리머 타겟을 사용한 RF 스퍼터링으로 만들어진 고경도 PTFE 유사 코팅의 경도 변화 기구를 고찰하였다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.41 no.6
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• pp.423-427
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• 2017

In this paper, an anchor design that improves bonding strength uniformity in the silicon-on-glass (SOG) process is presented. The SOG process is widely used in conjunction with electrode-patterned glass substrates as a standard fabrication process for forming high-aspect-ratio movable silicon microstructures in various types of sensors, including inertial and resonant sensors. In the proposed anchor design, a trench separates the silicon-bonded area and the electrode contact area to prevent irregular bonding caused by the protrusion of the electrode layer beyond the glass surface. This technique can be conveniently adopted to almost all devices fabricated by the SOG process without the necessity of additional processes.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.330-330
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• 2016

투명전극은 디스플레이, 터치스크린, 태양전지 등 폭넓은 분야에서 응용되고 있어 현재 각광 받는 연구 주제 중 하나이다. 특히, ITO(인듐산화물)을 이용한 투명전극은 뛰어난 효율성 때문에 가장 주목 받고 있는 전극 형태 중 하나이다. 그러나 ITO투명전극은 인듐 소재의 희소성으로 인한 자원고갈문제 및 복원력, 투명도 등에서 취약점을 지니고 있는 것으로 보고되어 있다. 이러한 ITO 투명전극의 취약점을 보완하고, 동시에 플렉서블 디스플레이(Flexible Display) 소자에 적용 가능한 대체 투명전극에 관한 연구는 현재 가장 주목할 만한 가치가 있는 연구분야로 부각되고 있다. 본 연구에서는 대체 투명전극 중 하나로 그래핀 투명전극(Graphene Transparent Electrode)을 주목했다. PEN(Polyethylene Naphthalate) 투명기판 상에 Wet-Transfer형식으로 그래핀을 전사하여 그래핀 투명전극을 구현했으며, 복원력 확인을 위해 그래핀에 2가지 (Compressive/Tensile) 압력을 가하며 구부러짐 실험(Bending Test)을 진행하며 그래핀 투명전극의 저항값을 측정했다. 일반 금속전극의 경우, 일정한 수준 이상의 압력 또는 구부러짐이 반복되는 실험의 횟수가 증가되면 원래의 복원력을 상실하며, 저항값이 상승하는 것으로 보고된바 있다. 그러나 이번 연구에서는 그래핀 투명전극을 사용해 PEN 기판 위에 투명전극을 제작한 경우, 일정한 수준의 구부러짐 반복횟수(~1,000회) 및 구부러짐 정도(~10%) 하에서 저항값이 일정하게 유지됨을 확인할 수 있었다. 별도로, 기존에 알려져 있던 순수 그래핀(Pristine Graphene)의 취약점 중 하나인 높은 저항값을 우려하여 본 연구에서는 그래핀에 도핑을 하고, 그 영향을 분석해 보았다. 그 동안 그래핀 도핑법에 대한 적지않은 연구들이 진행되었으며, 본 연구에서는 TFSA(Bis(trifluoromethanesulfonyl)amide)라는 물질을 이용한 그래핀 도핑법을 채택했다. 실험 결과, 도핑된 그래핀 투명전극은 위와 같은 수준의 그래핀 본연의 복원력을 유지하면서 저항값은 순수 그래핀 대비 약 70% 정도 낮아짐을 확인할 수 있었다. 본 연구를 통해 그래핀 투명전극이 그래핀 고유의 특성인 높은 투명도와 복원력, 도핑으로 인한 저항값 감소가능성을 확인함으로써, 그래핀 투명전극이 ITO 투명전극의 좋은 대체자가 될 수 있는 가능성을 확인할 수 있었다.

• Journal of Arbitration Studies
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• v.17 no.2
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• pp.3-21
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• 2007

Arbitration is a private and contractual means of dispute resolution. As a creature of contract, any particular arbitration owes its existence-and attendant limitations-to an arbitral agreement. This means that, in practice, the parties select their own judges, forum, and rules. By agreeing to arbitration, parties hope to achieve several goals. And arbitration has proven to be quicker, cheaper, and more predictable than litigation as a means of resolving many types of claims. As a primary method of conflict resolution, it is now worthwhile to consider carefully any procedural mechanism designed to promote the central aims of this alternative to litigation. It is helpful to frame any particular analysis according to (1) the type of decision for which preclusive effect is sought (arbitral award or court judgment) and (2) the type of subsequent proceeding in which preclusion is sought (an arbitration or a litigation). Res judicata may well bar litigation of that claim between the parties, but non-parties (affiliates or individuals) will not benefit from this bar unless the arbitral tribunal makes findings sufficient to satisfy the elements of collateral estoppel. The final permutation to be considered involves an arbitral award's preclusive effect on a subsequent arbitration. Whether a prior court decision should preclude issues or claims in a subsequent arbitration presents the easiest case for analysis. It is the easiest primarily because there is generally little room to debate whether adequate procedures were followed in a litigation. That is, one can safely assume that the rules of evidence and the rules of civil procedure were followed and that formal records sufficiently memorialize both the proceeding itself and the ultimate decision. Procedural regularity is mentioned not necessarily because it is an analytic tool, but because so many jurists and scholars see it as an impediment to the application of preclusionary doctrines.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.21 no.5
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• pp.79-89
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• 1984

In this paper we present development of microprocessor-based 8-channel statistical multiplexer (SMUX). The hardware design includes one Z-80A CPU board with the clock rate of 4 MHz, one 16 Kbyte ROM board for program storage, one 16 Kbyte dynamic RAM board and three I/O boards, all connected through an S-100 compatible tristate bus. The SMUX can presently multiplex 8 channels with data rates ranging 50 bps to 9600 bps, but can be reduced to accommodate 4 channels by having a slight modification of software and removing one terminal I/O board. The system specifications meet CCITT recommendations X.25 link level, V.24, V.28, X.3 and X.28. Significant features of the SMUX are its capability of handling 4 input codes (ASCII, EBCDIC, Baudot, Transcode), the use of a dynamic buffer management algorithm, a diagnostic facility, and the efficient use of a single CPU for all system operation. Throughout the paper, detailed explanations are given as to how the hardware and software of the SMUX system have been designed efficiently.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.8 no.5
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• pp.742-748
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• 1997

Diamond films which have high hardness and thermal conductivity can be used to improve the performance of WC-Co as a cutting tool material. However, it is difficult to get such coatings of good uniformity and adhesiveness due to the surface characteristics of WC-Co. To get better coatings, some techniques, such as the surface treatment of substrate or the formation of interlayer between substrate and diamond film, have been tried. In the present work, the nickel interlayer is formed onto WC-Co by electroless Ni-P plating, which is introduced as a new method, and then diamond film is deposited on the interlayer. Formation and uniformity of three layers, i.e., substrate, electroless plate, and diamond film, and the adhesiveness of interlayers were studied. To investigate the effects of pretreatment on electroless plating, two different methods such as acid treatment and diamond powder treatment were used. The effects of heat treatment of the electroless plated surface on adhesiveness between the substrate and the interlayer were examined. It was found that as the temperature increases, the Ni crystals grow and then result in improved adhesiveness. Diamond film coatings of pure diamond phase were obtained at $800^{\circ}C$. It is concluded that the heat treated electroless Ni-P plating can be effectively used as a interlayer between WC-Co substrate and diamond film.