• Title/Summary/Keyword: 기능회로테스트

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Development of Unified Test Synthesis Technique on High Level and Logic Level Designs (상위.하위 수준에서 통합된 테스트 합성 기술의 개발)

  • Sin, Sang-Hun;Song, Jae-Hun;Park, Seong-Ju
    • Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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    • v.28 no.5
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    • pp.259-267
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    • 2001
  • 칩의 집적도에 비례하여 설계검증 및 칩 제작 후의 결함점검은 갈수록 어려워지며 이러한 테스트 문제의 원초적 해결을 위하여 다양한 테스트설계 기술이 널리 개발되고 있다. 상위 수준의 테스트설계에서는 회로의 기능에 대해서는 알 수 있으나 구조에 대해서는 알 수 없고, 하위 수준의 테스트설계에서는 회로의 구조를 알 수 있으나 기능은 알 수 없다. 따라서 테스트 설계는 기능을 기술하는 상위 수준에서부터 고려되어 하위 게이트수준에서 스캔플립플롭을 선택하여야 최적화된 성능을 얻을 수 있다. 본 논문에서는 테스트용이도를 증진시키기 위해, 상위수준의 기능정보에 대해서는 테스트점을 삽입하여 제어흐름(control flow)을 변경하고, 상위 수준의 합성 후에 하위 수준에서 스캔플립플롭을 선택하여 다시 합성하는 상위.하위 수준에서 통합된 테스트 합성 기술을 제안한다. 실험결과 통합된 테스트 합성 기술이 대부분의 벤치마크 회로에서 높은 고장검출율을 보여주고 있다.

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상위 테스트합성 기술의 개발 동향

  • 신상훈;박성주
    • The Magazine of the IEIE
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    • v.25 no.11
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    • pp.42-50
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    • 1998
  • 시스템을 단일 칩에 구현함에 따라서 반도체 칩은 수백만 게이트를 내장할 정도로 고집적화 되어가고 있다. 이러한 고집적도의 칩을 제장하는 데 소요되는 고가의 텍스트비용을 최소화하기 위해 설계의 각 단계 별로 다양한 테스트설계기술이 개발되고 있다. 합성 후 회로구조가 테스트에 용이하도록 하기 위하여 상위 및 논리 합성 단계에서 테스트기능을 추가하고 있다. 합성된 회로에 대하여는 스캔 테스트점 삽입, 및 BIST 등의 테스트설계 기술이 사용되고 있다. 본 논문에서는 VHDLDD등으로 기술되는 상위 기능정보와 상위 구조합성과정에서 고려되고 이는 다양한 데스트합성 기술을 소개하고자 한다.

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A Design of BICS Circuit for IDDQ Testing of Memories (메모리의 IDDQ 테스트를 위한 내장전류감지 회로의 설계)

  • 문홍진;배성환
    • The Journal of the Acoustical Society of Korea
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    • v.18 no.3
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    • pp.43-48
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    • 1999
  • IDDQ testing is one of current testing methodologies which increases circuit's reliability by means of finding defects which can't be detected by functional testing in CMOS circuits. In this paper, we design a Built-In Current Sensor(BICS) circuit, which can be embedded in chip under test, that performs IDDQ testing. Furthermore, it is designed for IDDQ testing of memories and implemented to carry out testing at high-speed by using small number of transistors.

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A Study on the Design of Testable CAM using MTA Code (MTA 코드를 적용한 Testable CAM 설계에 관한 연구)

  • 정장원;박노경;문대철
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics C
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    • v.35C no.6
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    • pp.48-55
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    • 1998
  • In this work, the testable CAM(Content Addressable Memory) is designed to perform the test effectively by inserting the ECC(Error Checking Circuit) inside the CAM. The designed CAM has the circuit which is capable of testing the functional faults in read, write, and match operations. In general the test circuit inserted causes the increase of total circuit area, Thus this work, utilizes the new MTA code to reduce the overhead of an area of the built-in test circuit which has a conventional parallel comparator. The designed circuit was verified using the VHDL simulator and the layout was performed using the 0.8${\mu}{\textrm}{m}$ double metal CMOS process. About 30% reduction of a circuit area wad achieved in the proposed CAM using the XOR circuit

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Development of a test synthesis technique for behavioral descriptions on high level designs (상위기능 수준에서 테스트합성 기술의 개발)

  • 신상훈;조상욱;오대식;박성주
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 1998.06a
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    • pp.791-794
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    • 1998
  • 칩의 집적도에 비레한 테스트 문제의 원초적인 해결은 VHDL등으로 기술되는 상위기능 수준에서부터 고려되어야 한다. 본 논문에서는 상위수준의 기능정보에서 테스트점을 삽입 제어흐름(control flow)를 변경하여 고집적 회로의 고장점검도를 증진시키는 기술을 소개한다. while 푸프와 if-then-else 제어문에 AND 및 OR 타입 등의 테스점을 삽입하여 내부 신호의 조정도를 최적화시킨다. 랜덤패턴 시뮬레이션을 벤치마크 회로에 적용 각 변수의 조정도를 산출하여 테스트점의 종류 및 삽입할 위치를 결정하였다. 본 연구에서 제안하는 상대적 랜덤도에 의하여 VHDL 코드에 단일 테스트점을 삽입 합성한 결과 게이트 수준회로에 대한 고장점검도가 최대 30% 까지 증진됨을 알 수 있었다.

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8086 프로세서용 인 써키트 에뮬레이터의 제작에 관한 연구

  • 강중용
    • 전기의세계
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    • v.37 no.1
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    • pp.55-62
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    • 1988
  • 본 연구에서는 현재 IBM PC등에 사용되는 8088프로세서의 16비트버젼인 8086프로세서의 ICE를 설계 제작하였다. 8088프로세서와 8086프로세서는 그 내부 기능이 동일하기 때문에 어셈블러나 링커등의 소프트웨어 개발장비들을 IBM PC에서 지원받을 수 있으므로 IBM PC에 연결된 ICE는 전체적으로 하나의 MDS시스템을 구성할 수 있다. 제작된 ICE는 1) 테스트하려는 시스템의 메모리에 대한 읽기 및 쓰기, 2) 테스트프로그램의 실제 조건에서의 수행, 3) 디버깅 기능, 4) ICE의 메모리 영역을 테스트하려는 시스템에서 활용하도록하는 기능 등을 수행할 수 있도록 하였다. 또 8086프로세서는 싱글프로세서모드와 멀티프로세서모드의 두가지 동작 모드가 있는데 싱글프로세서모드에서 동작될 수 있도록 설계되었으며 ICE의 기능 수행을 위한 논리 회로의 구성과 이해에 주안점을 두었다.

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The Implementation of the Built-In Self-Test for AC Parameter Testing of SDRAM (SDRAM 의 AC 변수 테스트를 위한 BIST구현)

  • Sang-Bong Park
    • The Journal of Information Technology
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    • v.3 no.3
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    • pp.57-65
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    • 2000
  • We have proposed BIST method and circuit for embedded 16M SDRAM with logic. It can test the AC parameter of embedded 16M SDRAM using the BIST circuit capable of detecting the address of a fail cell of a 16M SDRAM installed in an Merged Memory with Logic(MML) generating the information of repair for redundancy circuit. The function and AC parameter of the embedded memory can also be tested using the proposed BIST method. The total gate of the BIST circuit is approximately 4,500 in the case of synthesizing by $0.25\mu\textrm{m}$ cell library. and verify the result of Verilog simulation. The test time of each one AC parameter is about 200ms using 2Y-March 14N algorithm.

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A Design of FPGA Self-test Circuit Reusing FPGA Boundary Scan Chain (FPGA 경계 스캔 체인을 재활용한 FPGA 자가 테스트 회로 설계)

  • Yoon, Hyunsik;Kang, Taegeun;Yi, Hyunbean
    • Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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    • v.52 no.6
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    • pp.70-76
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    • 2015
  • This paper introduces an FPGA self-test architecture reusing FPGA boundary scan chain as self-test circuits. An FPGA boundary scan cell is two or three times bigger than a normal boundary scan cell because it is used for configuring the function of input/output pins functions as well as testing and debugging. Accordingly, we analyze the architecture of an FPGA boundary scan cell in detail and design a set of built-in self-test (BIST) circuits in which FPGA boundary scan chain and a small amount of FPGA logic elements. By reusing FPGA boundary scan chain for self-test, we can reduce area overhead and perform a processor based on-board FPGA testing/monitoring. Experimental results show the area overhead comparison and simulation results.

A design of BIST/BICS circuits for detection of fault and defect and their locations in VLSI memories (고집적 메모리의 고장 및 결함 위치검출 가능한 BIST/BICS 회로의 설계)

  • 김대익;배성환;전병실
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.22 no.10
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    • pp.2123-2135
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    • 1997
  • In this paepr, we consider resistive shorts on drain-source, drain-gate, and gate-source as well as opens in MOSFETs included in typical memory cell of VLSI SRAM. Behavior of memeory is observed by analyzing voltage at storage nodes of memeory and IDDQ(quiescent power supply current) through PSPICE simulation. Using this behavioral analysis, an effective testing algorithm of complexity O(N) which can be applied to both functional testing and IDDQ testing simultaeously is proposed. Built-In Self Test(BIST) circuit which detects faults in memories and Built-In Current Sensor(BICS) which monitors the power supply bus for abnormalities in quescent current are developed and imprlemented to improve the quality and efficiency of testing. Implemented BIST and BICS circuits can detect locations of faults and defects in order to repair faulty memories.

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Design of Enhanced IEEE 1500 Wrapper Cell and Interface Logic For Transition Delay Fault Test (천이 지연 고장 테스트를 위한 개선된 IEEE 1500 래퍼 셀 및 인터페이스 회로 설계)

  • Kim, Ki-Tae;Yi, Hyun-Bean;Kim, Jin-Kyu;Park, Sung-Ju
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.44 no.11
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    • pp.109-118
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    • 2007
  • As the integration density and the operating speed of System on Chips (SoCs) become increasingly high, it is crucial to test delay defects on the SoCs. This paper introduces an enhanced IEEE 1500 wrapper cell architecture and IEEE 1149.1 TAP controller for the wrapper interface logic, and proposes a transition delay fault test method. The method proposed can detect slow-to-rise and slow-to-fall faults sequentially with low area overhead and short test time. and simultaneously test IEEE 1500 wrapped cores operating at different core clocks.